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[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制作方法-CN201610037518.1有效
发明人：王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：所述氮化镓基发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，P型层包括多个P型子层，各个P型子层均包括空穴低势垒层、空穴提供层、空穴高势垒层，空穴低势垒层和空穴高势垒层均包括AlGaN层和InGaN层，空穴提供层包括P型GaN层。本发明通过空穴低势垒层和空穴高势垒层均采用晶格失配较大的AlGaN层和InGaN层，AlGaN层和InGaN层的界面处由于较强的极化应力而产生可有效铺展电荷的空穴二维气，为空穴注入有源层提供一定的驱动力，提高空穴的注入效率，进而提高发光效率。
一种氮化发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法-CN201110095027.X有效
发明人：于洪波 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物LED结构，其多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度梯度变化，从而使空穴载流子更加易于输运到靠近N型电子注入层的量子阱中，提高了载流子在有源区中分布的均匀性，进一步提高了器件的内量子效率和发光效率；同时，还公开了一种氮化物LED结构的制备方法，通过梯度改变多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度，使得靠近P型空穴注入层的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度大，靠近N型电子注入层的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度小，从而使空穴载流子更加易于输运到靠近N型电子注入层的量子阱中，提高了载流子在有源区中分布的均匀性，进一步提高了器件的内量子效率和发光效率。
一种氮化物 led 结构及其制备方法

[发明专利]荧光淬火器件以及使用荧光淬火器件的显示器-CN200410028419.4有效
发明人： M·雷德克;J·费希尔 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：一种具有空穴势垒层和/或电子势垒层的显示器，借此空穴势垒层和/或电子势垒层设置在显示器的发射体层和第一电极层或第二电极层之间。空穴势垒层的最高被占据的分子轨道的能量小于发射体层的最高被占据的分子轨道的能量，和/或电子势垒层的最低未被占据的分子轨道的能量大于发射体层的最低未被占据的分子轨道的能量。通过安排空穴势垒层和/或电子势垒层的分子轨道的能级，可以产生势垒，阻止不期望的电荷载流子在显示器的再次发射模式操作期间沿相反方向的注入。
荧光淬火器件以及使用显示器

[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法-CN201110112531.6无效
发明人：于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物LED结构，其多量子阱有源层中的部分量子阱的势垒进行了P型掺杂，利用势阱与势垒组成的异质结结构具有的极化效应，可提高空穴浓度，降低P型空穴注入层的掺杂浓度，从而减少了掺杂原子向量子阱中扩散，提高了器件的内量子效率和发光效率；同时，还公开了一种氮化物LED结构的制备方法，通过选择性地对部分势垒进行P型掺杂，提高了空穴浓度，降低了P型空穴注入层的掺杂浓度；并且量子阱的势阱与势垒组成的结构具有极化效应，提高了势垒的掺杂效率，降低了势垒掺杂的杂质浓度；从而提高了器件的内量子效率和发光效率。
一种氮化物 led 结构及其制备方法

[发明专利]一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法-CN202210675845.5在审
发明人：张毅;张骏;岳金顺 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法，该深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、调制量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；沿电流扩展层至电子阻挡层的方向，调制量子阱有源层包括依次层叠布置的第一势垒层、非掺杂势垒层、势阱层和第二势垒层，第一势垒层与非掺杂势垒层的Al组分百分数相同，第一势垒层的Al组分百分数大于第二势垒层的本发明通过对量子阱有源层进行调制设置，由第一势垒层、非掺杂势垒层、势阱层和第二势垒层形成特定的单量子阱结构，改善了电子和空穴向量子阱中的注入效率，提高了器件的发光效率。
一种具有量子结构深紫 led 及其制备方法

[发明专利]发光芯片的外延结构、发光芯片及显示背板-CN202110211462.8有效
发明人：翟小林;杨顺贵 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光芯片的外延结构、发光芯片及显示背板，发光芯片的有源层包括多个交替生长的量子阱层和量子垒层，且量子垒层包括第三势垒子层，以及分别位于第三势垒子层上、下两侧的第一势垒子层和第五势垒子层，第一势垒子层、第五势垒子层与量子阱层的晶格常数之差，小于第三势垒子层与所述量子阱层的晶格常数之差，使得因晶格失配导致的量子限制斯塔克效应得以遏制，减小能带弯曲，使电子和空穴的辐射复合效率得到提升；第三势垒子层掺杂有P型杂质，注入到量子阱中的空穴数显著增加，空穴可尽可能均匀的分布在所有量子阱中，可进一步提升电子和空穴的辐射复合效率，从而提升内量子效率。
发光芯片外延结构显示背板

[发明专利]具有渐变的量子势垒层的发光二极管-CN201980039235.2在审
发明人：李晓航 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管包括：形成在衬底上的n型氮化铝层，形成在该n型氮化铝层上的多量子阱，以及与该多量子阱相邻地形成的p型氮化铝空穴注入层。该多量子阱包括：第一氮化铝量子阱层，其具有固定组分并且由第一氮化铝量子势垒层和第二氮化铝量子势垒层包围，和第二氮化铝量子阱层，其具有固定组分并且由第二氮化铝量子势垒层和第三氮化铝量子势垒层包围。该第一氮化铝量子势垒层、第二氮化铝量子势垒层和第三氮化铝量子势垒层中的至少一个具有渐变的铝组分。第一氮化铝量子势垒层与n型氮化铝层相邻，并且第三氮化铝量子势垒层与p型氮化铝空穴注入层相邻。
具有渐变量子势垒层发光二极管

[实用新型]一种多量子阱结构及其发光二极管-CN201821548054.1有效
发明人：徐志波;林兓兓;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电技术领域，尤其涉及一种多量子阱结构及其发光二极管，该多量子阱结构由复数个发光基本单元交替层叠而成，其特征在于：每一个发光基本单元从下至上依次包括第一势阱层、第一势垒层、第二势阱层和第二势垒层，所述第一势垒层的厚度大于所述第二势垒层的厚度。本实用新型通过将多量子阱层设置成周期性结构，且每一周期均包含较厚的势垒层和薄的势垒层，其中，较厚的垒层且掺杂n型杂质，主要是修复晶体质量，同时n型掺杂提升电子注入浓度，降低电压提升亮度。较薄的垒层有利于电子空穴隧穿，提升空穴注入浓度，最终提升复合辐射效率。
势垒层多量子阱结构本实用新型发光二极管基本单元势阱层垒层发光光电技术领域空穴多量子阱层周期性结构电子空穴电子注入复合辐射降低电压交替层叠掺杂n型复数隧穿半导体修复

[实用新型]氮化镓晶体管-CN201922471991.2有效
发明人：逯永建;贾利芳;肖金平;闻永祥;李东昇 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化镓晶体管，包括：位于衬底上的势垒层；位于所述势垒层上方第一区域的栅叠层，所述栅叠层包括栅极结构层以及位于所述栅极结构层和所述势垒层之间的第一插入层；以及位于所述势垒层上方第二区域的第一空穴注入层，所述第一区域和所述第二区域彼此隔开，其中，所述氮化镓晶体管的漏极电极与所述第一空穴注入层和所述势垒层二者接触。该氮化镓晶体管采用第一空穴注入层向沟道层中注入电荷以释放陷阱能级捕获的电子，因而可以获得稳定的导通电阻。
氮化晶体管

[发明专利]光电器件-CN202011634860.2在审
发明人：杨一行;王天锋;周礼宽 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述空穴传输层中空穴传输层材料的价带顶能级与所述第二空穴注入层中第二空穴注入材料的功函差值小于本申请提供的光电器件，通过在空穴传输层材料与第二空穴注入材料之间构筑小于‑0.2eV的注入势垒，增大阳极向HIL的空穴注入势垒，有效控制进入QLED器件内的空穴数量，使发光层中空穴电子注入速率平衡，提高载流子复合效率保证载流子在器件稳定工作状态下注入平衡的基础上，充分有效地利用器件中注入的空穴，保证器件的发光效率，实现器件效率和寿命的同时提升。
光电器件

[发明专利]具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构-CN201610261242.5有效
发明人：张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构在LED外延结构的P‑型半导体材料传输层中插入一层低势垒的P‑型半导体材料空穴能量调节层本发明利用极化电场增加空穴能量提高空穴注入效率，并且没有增加空穴势垒，克服了现有技术存在的空穴注入效率低，内量子效率不高的缺陷。
具有空穴能量调节发光二极管外延结构

[发明专利]III族氮化物半导体发光二极管-CN200810114715.4有效
发明人：王海嵩;熊志军;张磊;鲍鹏 -专利权人：北京宇极科技发展有限公司
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：III族氮化物半导体发光二极管，其活性层为存在内部电场的量子阱结构，所述量子阱结构活性层由位于p型区域一侧的第一势垒层、量子阱层、和位于n型区域一侧的第二势垒层所构成的，其特征在于：所述量子阱层中插入第三势垒层，所述第三个势垒层的厚度满足以下条件：(1)由p型区域注入的空穴能被屏蔽在第三势垒层与位于p型区域一侧的第一势垒层之间；(2)由n型区域注入的电子能自由通过第三势垒层，向能量最低的区域移动。本发明通过插入第三势垒层，使电子和空穴的波动函数的空间重叠部分增大，发光复合效率增大，是插入第三势垒层之前的2－3倍。
iii 氮化物半导体发光二极管

[发明专利]光电器件-CN202011643638.9在审
发明人：杨一行;周礼宽;王天锋 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、第一空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级与所述第一空穴注入层中第一空穴注入材料的功函差值的绝对值小于等于本申请提供的光电器件，通过限定|ΔEHTL‑HIL|小于等于0.2eV，使HTL与HIL之间的空穴注入能级势垒能够显著降低，提高空穴从阳极的注入效率，有利于空穴从HIL向HTL的有效注入，消除势垒及界面电荷，减小器件的整体电阻，从而避免在HIL和HTL之间界面处电荷积累造成不可逆破坏，降低器件驱动电压、提升器件寿命。
光电器件

[发明专利]一种阴极界面修饰的高效率有机电致发光器件的制作方法-CN201810547195.X在审
发明人：牛巧利;仝静;黄文涛;吕豪;闵永刚 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种阴极界面修饰的高效率有机电致发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤:在涂覆有透明导电阳极的玻璃基板上，涂覆空穴注入层，以实现空穴的无势垒注入；采用涂覆的方式在空穴注入层上形成发光层；将界面修饰材料涂覆在发光层上后形成界面修饰层，以改善发光层/阴极的界面特性，降低电子的注入势垒；在界面修饰层上通过真空热蒸镀的方式制备阴极。本发明通过将极性材料溴化钾插入发光层和阴极之间形成界面修饰层，降低了阴极的功函数，因此降低了电子的注入势垒，提高了电子的注入效率，最终实现了有机电致发光器件的发光效率大幅度提升，该方法原料易得，在采用溶液法制备
阴极界面修饰发光层涂覆有机电致发光器件空穴注入层阴极界面注入势垒高效率修饰透明导电阳极空穴溶液法制备真空热蒸镀玻璃基板发光效率极性材料界面特性注入效率功函数溴化钾势垒制备制作应用

[发明专利]一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构-CN202211713104.8在审
发明人：刘腾飞;杨建兵;秦昌兵;张阳;唐宇;王玉珠 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构，包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层组成的复合空穴传输层结构，空穴注入层结构由空穴传输主体材料以及P型掺杂材料组成，空穴传输层由空穴传输主体材料与空穴传输次主体材料组成，电子阻挡层由空穴传输次主体材料与电子阻挡材料组成，且构成空穴传输主体材料的HOMO能级与空穴传输次主体材料的HOMO能级不同。空穴传输次主体材料的HOMO能级大于电子阻挡材料的HOMO能级。本发明通过材料设计产生两个空穴传输通道，从而分别提升两个发光单元的空穴注入传输效率，降低由于材料HOMO能级不同导致的势垒效应。通过降低空穴传输势垒来降低热效应，从而实现OLED器件的高寿命表现。
一种空穴传输搭配 oled 器件结构

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