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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]移除磁性穿隧接面蚀刻后侧壁损伤的方法-CN201880020074.8在审
发明人：滕忠健;锺汤姆;杰斯明·哈克 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：图案化磁穿隧接面(MTJ)结构的方法包括：于磁穿隧接面层堆叠(16)上提供图案化遮罩(18)，磁穿隧接面层堆叠形成于晶圆(10)上的底电极(12)之上；蚀刻堆叠，以形成磁穿隧接面装置；以及利用物理方法移除磁穿隧接面装置上的侧壁损伤
磁性穿隧接面蚀刻侧壁损伤方法

[发明专利]间隔物辅助的离子束蚀刻自旋扭矩转移磁阻随机存取存储器-CN201880020122.3在审
发明人：杨毅;沈冬娜;王郁仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：提供磁穿隧接面堆叠于基板上，包括底电极、钉扎层、穿隧阻障层、自由层、与顶电极。图案化磁穿隧接面堆叠以形成磁穿隧接面装置，其中侧壁损伤形成于磁穿隧接面装置的侧壁上。形成介电间隔物层于磁穿隧接面装置上。之后施加水平蚀刻至磁穿隧接面装置，以由自由层移除侧壁损伤，其中介电间隔物保护钉扎层与底电极免于蚀刻。
介电间隔物穿隧蚀刻接面底电极钉扎层自由层移除侧壁损伤侧壁堆叠磁阻随机存取存储器自旋扭矩转移水平表面图案化磁顶电极辅助的间隔物离子束阻障层基板施加保留覆盖

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN201911056904.5有效
发明人：林世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本案的一些实施例提供一种磁阻随机存取记忆体单元，包括条型磁穿隧接面，其中反铁磁性层、自由层、阻障层及基准层具有实质上对准的侧壁。间隔物抵靠住反铁磁性层、自由层、阻障层及基准层中每一层的侧壁。条型磁穿隧接面由用于磁阻随机存取记忆体单元的分隔磁穿隧接面的图案的单一元素制造。条形磁穿隧接面的阻障层具有比柱形磁穿隧接面更大的面积，导致磁阻随机存取记忆体单元寿命延长，因为阻障层具有跨阻障层的较低穿隧电流密度。
集成电路及其制造方法

[发明专利]磁阻元件及其制作方法-CN201811137949.0有效
发明人：邱久容;陈禹钧;冯雅圣;林宏展 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻元件及其制作方法，其于形成底电极材料层、磁隧穿接面材料层和顶电极材料层后，先将顶电极材料层图案化成顶电极，然后于顶电极侧壁形成第一间隙壁，再以顶电极和第一间隙壁为掩模蚀刻磁隧穿接面材料层和底电极材料层，形成磁隧穿接面和底电极。后续，再形成第二间隙壁覆盖住第一间隙壁、磁隧穿接面和底电极的侧壁。
磁阻元件及其制作方法

[发明专利]平面式磁化自旋轨道磁性组件-CN202111459274.3在审
发明人：李欣翰;魏拯华;王艺蓉;杨姗意;张耀仁;陈芳名 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：此平面式自旋轨道磁性组件包括重金属层、反铁磁层以及磁穿隧接面。反铁磁层设置于重金属层上，且磁穿隧接面设置于反铁磁层上。磁穿隧接面包括自由层、阻障层以及固定层。
平面磁化自旋轨道磁性组件

[发明专利]磁穿隧接面及三维磁穿隧接面数组-CN201610805752.4有效
发明人：林育中 -专利权人：林育中
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种磁穿隧接面单元具有一第一电极，第一电极具有沿着实质上垂直于一基板之一主动表面之一方向延伸的一轴向。该磁穿隧接面单元更具有一固定层、一U形自由层、夹置于该固定层与该U形自由层之间的一穿隧层、及嵌于该U形自由层中的一第二电极。设于该第一电极与该第二电极之间的该固定层、该穿隧层、及该U形自由层构成一磁穿隧接面。该穿隧层亦可为U形。
磁穿隧接面三维数组

[发明专利]磁阻式记忆体元件-CN202010350814.3在审
发明人：罗宗祐;邹亚叡;刘致为;林劭昱;鍾良佐;王智麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：第一记忆体单元位于底部导线与顶部导线之间并包括第一磁穿隧接面堆叠。第二记忆体单元邻近于第一记忆体单元并位于底部导线与顶部导线之间。第二记忆体单元包括第二磁穿隧接面堆叠，且第二磁穿隧接面堆叠的顶表面高于第一磁穿隧接面堆叠的顶表面。
磁阻记忆体元件

[发明专利]磁穿隧接面所用的保护钝化层-CN201880019758.6在审
发明人：裘地·玛丽·艾维塔;真杰诺;童儒颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：此处揭露磁阻随机存取记忆体技术所用的磁性装置，其中具有侧壁的磁穿隧接面(MTJ,11a)形成于底电极(10a)与顶电极(14a)之间。钝化层(12)为含硼、碳、锗、或其他合金的单层或多层其形成于磁穿隧接面的侧壁，以在后续制程时保护磁穿隧接面免于反应性物种的影响。后续制程包沉积介电层(13)以电性隔离磁穿隧接面(11a)与相邻的磁穿隧接面(11b)，以及互补式金氧半制程。
磁穿隧接面所用保护钝化

[发明专利]低蚀刻率自对准磁穿隧接面装置结构-CN201880047456.X有效
发明人：杰斯明·哈克;锺汤姆;滕忠健 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：公开了用于形成自对准于旗下的底部电极BE(35,36)的一种磁穿隧接面(MTJ)单元(47)的制程流程。磁穿隧接面堆叠层包括最上层硬遮罩(46)，其沉积于底部电极上并因为自对准沉积制程而具有宽度w2。虚置磁穿隧接面堆叠(49)也形成在第一底部电极层的周围。其后，沉积封装层(80)，将磁穿隧接面单元绝缘，并填充第一底部电极层与虚置磁穿隧接面堆叠之间的间隙。
蚀刻对准磁穿隧接面装置结构

[发明专利]穿隧磁阻结构以及集成式3轴向磁场传感器与其制造方法-CN201110261944.0有效
发明人：陈永祥;颜诚廷 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：穿隧磁阻结构以及集成式3轴向磁场传感器与其制造方法。在基板上的穿隧磁阻(TMR)结构，包括具有相同图案和相同磁性薄膜堆栈的两个磁性穿隧接面(MTJ)器件，位于同一导电性底部电极上以及并联连接的导电性顶部电极。每个磁性穿隧接面器件包括：固定层，其位于所述底部电极上、具有固定磁距；非磁性穿隧层，其位于所述固定层上；以及自由层，其位于所述穿隧层上、且具有自由磁距。这两个磁性穿隧接面器件具有共线的易轴，且其固定磁距都平行于同一固定方向，所述同一固定方向与易轴具有45度角；在初始时以电流产生的磁场使其自由磁距平行于所述易轴但方向相互反平行。
磁阻结构以及集成轴向磁场传感器与其制造方法

[发明专利]结合物理及化学蚀刻图案化磁穿隧接面-CN201880032228.5在审
发明人：沈冬娜;王郁仁;童儒颖;维格纳许·桑达;沙希·帕特尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：揭露磁穿隧接面(MTJ)纳米柱(la)的形成制程，使其具有最少侧壁残留物与损伤，其中先于硬掩模(15)中形成图案，硬掩模为磁穿隧接面层的最上层。之后，通过剩余的磁穿隧接面层蚀刻转移硬掩模侧壁(20)，剩余的磁穿隧接面层包括自由层(14)与参考层(12)间的穿隧阻障(13)。或者，在图案化磁穿隧接面堆叠后可接着进行使用前述化学物质的化学处理(33)与挥发步骤(34v)，图案化步骤使用了包括惰性气体离子(32i)的离子束蚀刻或反应离子蚀刻。
结合物理化学蚀刻图案化磁穿隧接面

[发明专利]旋转扭矩转移磁阻式随机存取存储器装置-CN200710148055.7有效
发明人：王郁仁;邓端理;郑旭辰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-09-03 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：存储器组件包括一磁穿隧接面(MTJ)组件与一电极。电极包括一固定层、一被固定层与一非磁性传导层。在一实施例中，磁穿隧接面组件包含具有一第一表面区域的一第一表面，且电极包含一第二表面。在此实施例中，电极的第二表面耦合至磁穿隧接面组件的第一表面，以使形成一接口区域，且接口区域比第一表面区域小。
旋转扭矩转移磁阻随机存取存储器装置

[发明专利]存储单元-CN201811307721.1在审
发明人：莫竣傑;郭仕奇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：存储单元包括：第一电极、第二电极及磁穿隧接面。第一电极具有安置在后端层上方的侧壁及底表面。第二电极具有与后端层接触的侧壁及底表面。磁穿隧接面形成于第一电极与第二电极之间。将磁穿隧接面耦接至第一电极的侧壁及耦接至第二电极的侧壁。
第二电极第一电极侧壁存储单元后端层穿隧接面耦接垂直存储单元记忆装置基板安置

[发明专利]可变电阻装置、物理性不可复制功能电路与控制方法-CN201710367962.4有效
发明人：邓端理;陈佑昇;王丁勇 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：方法包括将多个磁阻式可变电阻电路的磁穿隧接面元件初始化至一电阻状态后，施加一第一能量至磁穿隧接面元件，以及判断具有一预定电阻状态的上述磁穿隧接面元件的一汉明权重是否在一预定数值范围内。
可变电阻装置物理不可复制功能电路控制方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201911036865.2在审
发明人：吴荣堂;吴孟谕;吴思桦;李锦思 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，并提供一种磁穿隧接面(magnetic tunnel junction,MTJ)存储单元的形成方法，其用于磁阻式随机存取存储器(magneto‑resistive random进行预清洗工艺以移除金属氧化层，其可形成于磁穿隧接面存储单元的底电极的顶表面上。在预清洗工艺期间，沉积磁穿隧接面层之前，底电极可曝露于空气中。
半导体结构形成方法

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