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- [实用新型]一种半导体结构-CN202223244589.9有效
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何军;黄立贤;庄曜群;王智麟;田世纲
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2022-12-05
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2023-08-29
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H01L23/538
- 本实用新型涉及一种半导体结构,包括：衬底，具有第一区域、环绕第一区域的第二区域及环绕第二区域的第三区域；装置层，其安置于所述衬底上，装置层在第一区域上面的部分包括装置；通路层，其安置于所述装置层上，通路层在第一区域上面的第一部分包括第一组通路且通路层在所述第二区域上面的第二部分包括第二组通路；互连结构，其安置于所述通路层上，其中互连结构在所述第一区域上面的第一部分包括连接到所述装置的导电线，互连结构在第二区域上面的第二部分包括连接到第二组通路的第一组虚拟金属线，且互连结构在第三区域上面的第三部分包括第二组虚拟金属线；及应力缓冲层，其具有楔形侧轮廓，安置于互连结构的第一部分及第二部分上。
- 一种半导体结构
- [实用新型]记忆体元件-CN202221860694.2有效
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邱日照;邹亚叡;陈韦任;刘致为;林劭昱;王智麟
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2022-07-19
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2022-11-01
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H01L43/08
- 一种记忆体元件包含自旋轨道转移(SOT)底部电极、SOT铁磁自由层、第一穿隧能障层、自旋转移力矩(STT)铁磁自由层、第二穿隧能障层、及参考层。SOT铁磁自由层位于SOT底部电极之上。SOT铁磁自由层具有可通过SOT底部电极使用自旋霍尔作用或Rashba作用切换的磁性定向。第一穿隧能障层位于SOT铁磁自由层之上。STT铁磁自由层位于第一穿隧能障层之上，并具有可使用STT作用切换的磁性定向。第二穿隧能障层位于STT铁磁自由层之上。第二穿隧能障层具有的厚度不同于第一穿隧能障层的厚度。参考层在第二穿隧能障层之上并具有固定的磁性定向。
- 记忆体元件
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