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[发明专利]半导体结构及其形成方法、半导体器件-CN201911320044.1在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成隧穿氧化膜，形成隧穿氧化膜的步骤包括：依次形成多个子隧穿氧化膜；形成子隧穿氧化膜的步骤包括：形成初始子隧穿氧化膜；对初始子隧穿氧化膜进行氧化处理，使初始子隧穿氧化膜转化为子隧穿氧化膜本发明实施例依次形成多个子隧穿氧化膜以形成隧穿氧化膜，初始子隧穿氧化膜的厚度较薄，因此，有利于保证初始子隧穿氧化膜在所述氧化处理的过程中能够完全被氧化、并提高氧化处理的均匀性，从而有利于提高氧原子在子隧穿氧化膜中的分布均匀性、改善子隧穿氧化膜材料中的晶格结构，相应提高了隧穿氧化膜的薄膜质量，进而在后续图形化隧穿氧化膜以形成隧穿氧化层后，有利于提升隧穿氧化层的薄膜质量。
半导体结构及其形成方法半导体器件

[发明专利]磁隧穿结装置及其形成方法-CN201910030827.X在审
发明人：陈纬;王慧琳;杨玉如;林进富;邹宜勲;杨钧耀 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁隧穿结装置及其形成方法，该磁隧穿结装置包含两个磁隧穿结元件以及一磁屏蔽层。两个磁隧穿结元件并排设置。磁屏蔽层设置于两个磁隧穿结元件之间。一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。接续，填入磁隧穿结元件于凹槽中。或者，一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。首先，形成一磁隧穿结层。之后，图案化磁隧穿结层，以形成磁隧穿结元件。而后，形成一层间层于磁隧穿结元件之间，其中层间层包含一磁屏蔽层。
磁隧穿结装置及其形成方法

[发明专利]一种太阳电池以及制作方法-CN202110297175.3有效
发明人：张策;朱鸿根;郭文辉;吴志明;张雷;翁妹芝;吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本申请实施例提供了的一种太阳电池以及制作方法，层叠的多个子电池以及位于相邻子电池之间的隧穿结结构，所述隧穿结结构包括层叠的第一超晶格层、隧穿结层以及第二超晶格层，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻子电池中，进而避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，有助于维持所述隧穿结层高掺杂的特点，使得隧穿结层的隧穿效果好，隧穿电流大，满足大电流输运需求。并且，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够有效抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻的子电池中，还能够避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，进而避免所述隧穿结层对所述太阳电池开路电压的损耗增大。
一种太阳电池以及制作方法

[发明专利]一种跨骑型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201410438469.3有效
发明人：黄如;吴春蕾;黄芊芊;王佳鑫;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种跨骑型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法，该器件包括隧穿源区，沟道区，漏区和位于沟道上方的控制栅，其中，隧穿源区与沟道区的异质隧穿结的能带结构为跨骑型异质结。若为N型器件则在隧穿源区与沟道区的异质隧穿结交界面处，隧穿源区导带底位于沟道区导带底的上方，隧穿源区价带顶位于沟道区价带顶下方；若为P型器件则隧穿源区导带底位于沟道区导带底的下方，隧穿源区价带顶位于沟道区价带顶上方本发明可显著提高隧穿场效应晶体管的开态电流，同时保持较陡直的亚阈值斜率。其制备工艺简单有效，极大降低生产成本。
一种跨骑型异质结共振场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体存储器元件-CN202011221820.5在审
发明人：陈自平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：浮动栅极晶体管包含浮动栅极、浮动栅极氧化层、源极掺杂区、在浮动栅极下方的第一隧穿区掺杂、第二隧穿区掺杂、在第一隧穿区掺杂上的第一隧穿氧化层、在第二隧穿区掺杂上的第二隧穿氧化层。浮动栅极氧化层介于第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层之间。淡掺杂扩散区围绕源极掺杂区和第二隧穿区掺杂。
半导体存储器元件

[发明专利]隧穿晶体管结构及其制造方法-CN201410378521.0有效
发明人：赵静;杨喜超;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种隧穿晶体管结构，包括衬底、硅条、漏极区域、源极区域、栅电介质层及栅极，硅条形成于衬底上，漏极区域形成于硅条一侧，源级区域设第一槽，硅条部分收容于第一槽内，栅电介质层形成于源级区域上并部分包覆源级区域，栅极设第二槽，栅电介质层部分收容于第二槽内，第二槽的横截面形状与第一槽相同，隧穿时，在第二槽的作用下，第一槽发生隧穿，形成隧穿电流。另，本发明还提供一种隧穿晶体管结构的制作方法。本发明提供的隧穿晶体管结构通过改变源级区域及栅极的结构，隧穿时，在栅极作用下，源极区域的隧穿面积增大，在第一槽处发生点隧穿和线隧穿。因此，该结构不仅增大了隧穿面积，同时也增大了隧穿几率，从而提高了整个器件的开态电流。
晶体管结构及其制造方法

[发明专利]垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管及制备方法-CN201410162765.5有效
发明人：王超;黄如;吴春蕾;黄芊芊;赵阳 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管及制备方法，所述隧穿晶体管包括热电子发射源区，隧穿源区，沟道区，隧穿漏区，以及纳米线的栅；控制栅环绕于沟道，带带隧穿发生在隧穿源区与沟道交界面处，在隧穿源区下方存在一个与隧穿源区掺杂类型相反的热电子发射源区；并且隧穿源区电位浮置，器件的源端电位加在热电子发射源区。与现有的TFET相比，垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管通过器件结构设计，在隧穿机制外，引入了热电子发射机制，有效增大了器件导通电流，同时保持了陡直的亚阈值斜率，显著改善了器件特性。本发明的垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管制备工艺简单，极大地降低了生产成本，简化了工艺流程。
垂直沟道双机制导纳米线隧穿晶体管制备方法

[发明专利]一种隧穿氧化层表征方法、装置、设备及可读存储介质-CN202211534228.X有效
发明人：赵迎财;张晓攀;徐义胜;蔡婷婷;马玉超;蔡永梅;何胜;徐伟智 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种隧穿氧化层表征方法、装置、设备及可读存储介质，方法包括：获取TOPCon电池中硅基底的方阻、结构体的方阻及多晶硅层的方阻；结构体包括硅基底、位于硅基底表面的隧穿氧化层及位于隧穿氧化层表面的多晶硅层；根据硅基底的方阻、结构体的方阻及多晶硅层的方阻得到隧穿氧化层的方阻；对隧穿氧化层的方阻进行分析，得到隧穿氧化层的表征结果。本申请公开的技术方案，通过获取TOPCon电池中与隧穿氧化层相关的结构的方阻，并基于这些方阻得到隧穿氧化层的方阻，且对隧穿氧化层的方阻进行分析得到隧穿氧化层的表征结果，并无需破坏电池的结构，且可以实现准确地对隧穿氧化层进行表征
一种氧化表征方法装置设备可读存储介质

[发明专利]具有磁性隧穿结的半导体元件-CN201910659797.9有效
发明人：蔡雅卉;黄瑞民 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有磁性隧穿结的半导体元件，该半导体元件包括基板、磁性隧穿结阵列、包括第一虚置磁性隧穿结的阵列以及包括第二虚置磁性隧穿结的阵列。其中，基板上包括阵列区域，且阵列区域包括至少一外侧角落，磁性隧穿结阵列会被设置于阵列区域中，包括第一虚置磁性隧穿结的阵列会沿着阵列区域的外侧角落的边缘而设置，包括第二虚置磁性隧穿结的阵列会围绕住阵列区域以及第一虚置磁性隧穿结
具有磁性隧穿结半导体元件

[发明专利]一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法-CN202111243885.4有效
发明人：徐培强;李俊承;宁如光;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓太阳电池结构技术领域，具体是涉及一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、DBR、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池；其中，所述第一隧穿结和所述第二隧穿结结构相同，为AlGaInP/InP/AlGaAsP/AlGaInP多异质结结构。本发明制作的太阳电池，其隧穿结采用多异质结隧穿结，可明显提高隧穿电流，降低隧穿结处的压降，同时增强隧穿结的辐照性能，改善产品的可靠性。
一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法

[发明专利]电荷捕捉式非易失性存储器的存储单元-CN202310026575.X在审
发明人：黎俊霄;赖宗沐;沈政彦;许家荣 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：存储晶体管的栅极结构包括：第一隧穿层、第二隧穿层、捕捉层、阻挡层与栅极层。第一隧穿层接触于阱区的表面。第二隧穿层覆盖于第一隧穿层。捕捉层覆盖于第二隧穿层。阻挡层覆盖于捕捉层。栅极层覆盖于阻挡层。第二隧穿层中有渐变的氮分布。第二隧穿层中靠近第一隧穿层的第一区域的第一氮浓度低于第二隧穿层中靠近捕捉层的第二区域的第二氮浓度。
电荷捕捉非易失性存储器存储单元

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202311027255.2在审
发明人：王建文;胡朝冰 -专利权人：江西沐邦高科股份有限公司;广西沐邦高科新能源有限公司
申请日： 2023-08-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包位于硅基底一侧的钝化隧穿结构包括第一钝化隧穿层和第二钝化隧穿层；第一钝化隧穿层设置有第一开口，第一开口露出部分硅基底，第二钝化隧穿层位于第一开口内；第一钝化隧穿层和第二钝化隧穿层不接触；第一掺杂膜层位于第一钝化隧穿层远离硅基底一侧，并且第一掺杂膜层设置有第二开口，第二开口覆盖第一开口；第二掺杂膜层位于第二钝化隧穿层远离硅基底的一侧；电极结构，包括第一电极和第二电极；第一电极位于第一掺杂膜层远离第一钝化隧穿层的一侧，第二电极位于第二掺杂膜层远离第二钝化隧穿层的一侧。通过设置硅基底同侧且相互隔离的钝化隧穿层提升太阳能电池的转换效率。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法-CN202210249010.3有效
发明人：徐培强;李俊承;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓太阳电池技术领域，具体涉及一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法，该电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、第一隧穿结、DBR、中电池、第二隧穿结、顶电池和盖帽层；第一隧穿结和第二隧穿结结构相同，均采用渐变隧穿结结构N++Alx1Gay1InP/P+本发明太阳电池采用渐变隧穿结结构，可提升隧穿结的隧穿能力，降低隧穿结两侧的压降，减少隧穿结的吸光能力，提升中电池的电流密度，还可改善隧穿结界面的晶体质量，提高太阳电池产品的稳定性。
一种带有渐变隧穿结砷化镓太阳电池及其制作方法

[发明专利]通过信号指示标签交换路径(LSP)隧穿模型-CN201280035644.3有效
发明人： S.基尼;P.德索扎 -专利权人：瑞典爱立信有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H04L12/723 文献下载
摘要：本文描述了通过信号指示标签交换路径(LSP)隧穿模型。在一个实施例中，充当多协议标签交换(MPLS)网络中出口网络单元的网络单元通过信号指示用于MPLS网络中提供的多个全异应用的多个LSP，每个应用要求不同类型的隧穿模型。网络单元传送用于LSP之一，包括适用于该LSP的第一隧穿模型类型的指示的第一标签映射消息。该LSP要用于在MPLS网络中传输要求指示的第一隧穿模型类型的全异应用的第一应用的业务。网络单元还中转用于LSP的第二LSP，包括适用于该LSP的第二隧穿模型类型的指示的第二标签映射消息。该LSP要用于在MPLS网络中传输要求指示的第二隧穿模型类型的全异应用的第二应用的业务。第一隧穿模型类型和第二隧穿模型类型不同。在一个实施例中，第一隧穿模型类型是均匀隧穿模型，并且第二隧穿模型类型是管道隧穿模型（常规管道或短管道）。
通过信号指示标签交换路径 lsp 模型

[发明专利]基于量子效应的唯一标识符-CN201880067662.7有效
发明人：沙赫拉姆·莫斯比;帕特里克·卡米莱里;亨利·爱德华·威廉·蒙塔古 -专利权人：量子加密有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：提供了一种用于确定设备的唯一标识符的方法，该设备包括该设备独有的量子隧穿势垒。该方法包括在量子隧穿势垒两端施加电势差，该电势差足以使电荷载流子能够隧穿量子隧穿势垒。该方法还包括测量电信号，该电信号代表穿过量子隧穿势垒的隧穿电流，该隧穿电流是量子隧穿势垒的特性。该方法还包括根据所测量的电信号来确定设备的唯一标识符。
基于量子效应唯一标识符

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