“林劭昱”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存储器器件及其形成方法-CN202210811537.0在审
发明人：邹亚叡;陈韦任;刘邦均;刘致为;林劭昱;王智麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括源极区、漏极区、沟道区、栅极介电层、MTJ堆叠件和金属栅极。源极区和漏极区位于衬底上方。沟道区位于源极区和漏极区之间。栅极介电层位于沟道区上方。MTJ堆叠件位于栅极介电层上方。MTJ堆叠件包括第一铁磁层、具有可切换磁化的第二铁磁层以及位于第一和第二铁磁层之间的隧道势垒层。金属栅极位于MTJ堆叠件上方。
存储器器件及其形成方法

[实用新型]记忆体元件-CN202221860694.2有效
发明人：邱日照;邹亚叡;陈韦任;刘致为;林劭昱;王智麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种记忆体元件包含自旋轨道转移(SOT)底部电极、SOT铁磁自由层、第一穿隧能障层、自旋转移力矩(STT)铁磁自由层、第二穿隧能障层、及参考层。SOT铁磁自由层位于SOT底部电极之上。SOT铁磁自由层具有可通过SOT底部电极使用自旋霍尔作用或Rashba作用切换的磁性定向。第一穿隧能障层位于SOT铁磁自由层之上。STT铁磁自由层位于第一穿隧能障层之上，并具有可使用STT作用切换的磁性定向。第二穿隧能障层位于STT铁磁自由层之上。第二穿隧能障层具有的厚度不同于第一穿隧能障层的厚度。参考层在第二穿隧能障层之上并具有固定的磁性定向。
记忆体元件

[发明专利]磁阻式记忆体元件-CN202010350814.3在审
发明人：罗宗祐;邹亚叡;刘致为;林劭昱;鍾良佐;王智麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种磁阻式记忆体元件包括多根底部导线、多根顶部导线、第一记忆体单元、及第二记忆体单元。顶部导线位于底部导线上方。第一记忆体单元位于底部导线与顶部导线之间并包括第一磁穿隧接面堆叠。第二记忆体单元邻近于第一记忆体单元并位于底部导线与顶部导线之间。第二记忆体单元包括第二磁穿隧接面堆叠，且第二磁穿隧接面堆叠的顶表面高于第一磁穿隧接面堆叠的顶表面。
磁阻记忆体元件

[发明专利]磁阻记忆体装置-CN201910865927.4在审
发明人：邹亚叡;罗宗祐;刘致为;林劭昱;鍾良佐;王智麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁阻记忆体装置包含记忆体堆叠、自旋轨道扭矩(SOT)层、及自由层。记忆体堆叠包括固定层以及在固定层上方的参考层。SOT层是与记忆体堆叠间隔开。自由层是在记忆体堆叠及SOT层上方。
磁阻记忆体装置

1
共 4 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top