本发明公开了一种可改善写入范围的磁性存储器，包括有一磁性穿隧接面组件与一调整层，磁性穿隧接面组件由一反铁磁层、一固定层、一穿隧能障绝缘层与一自由层组成，其中该反铁磁层、该固定层、该穿隧能障绝缘层与该自由层依序形成。调整层形成于磁性穿隧接面组件的一侧并与自由层接触。其中调整层的厚度为20纳米(nm)以下，所使用的材料为钌(Ru)金属或含有钌的材料，本发明所公开的可改善写入范围的磁性存储器，得以改善自由层翻转一致性并且减小自由层的翻转场，以降低写入线(write word line)所需提供的电流。
