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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]平面式磁化自旋轨道磁性组件-CN202111459274.3在审
发明人：李欣翰;魏拯华;王艺蓉;杨姗意;张耀仁;陈芳名 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明提供一种平面式自旋轨道磁性组件。此平面式自旋轨道磁性组件包括重金属层、反铁磁层以及磁穿隧接面。反铁磁层设置于重金属层上，且磁穿隧接面设置于反铁磁层上。磁穿隧接面包括自由层、阻障层以及固定层。阻障层设置于自由层上，固定层设置于阻障层上。自由层的膜面形状为圆角矩形。
平面磁化自旋轨道磁性组件

[发明专利]平面式磁化自旋轨道磁性组件-CN202110202621.8在审
发明人：李欣翰;魏拯华;王艺蓉;杨姗意;张耀仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种平面式磁化自旋轨道磁性组件。此平面式磁化自旋轨道磁性组件包括重金属层、上电极以及磁穿隧接面。磁穿隧接面设置于重金属层与上电极之间。磁穿隧接面包括自由层以及固定层。自由层设置于重金属层上，且自由层具有第一膜面面积。固定层设置于自由层上，且固定层具有第二膜面面积。自由层的膜面形状的长轴方向与固定层的膜面形状的长轴方向之间具有预设夹角，且第一膜面面积大于第二膜面面积。
平面磁化自旋轨道磁性组件

[发明专利]磁性存储器结构-CN202010009376.4在审
发明人：罗哈曼;王艺蓉;魏拯华 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供具有自旋轨道转矩及电压控制磁异向性辅助型多位元SOT记忆胞结构。根据本发明实施例的磁存储单元包括重金属层和包括自由层、阻障层及固定层的磁穿隧接面元件。重金属层位于自由磁性层的下方，铜接垫位于磁穿隧接面元件的外部并沿重金属层放置。阻障层、自由层及重金属层向外延伸，大于固定层的椭圆形顶部电极层。本实施例的磁性存储器结构扩大了习知装置上的处理窗口，并且缝合到重金属层上的铜接垫用于降低单元写入电压。平面充电电流通过铜接垫施加到重金属层，正电流将SOT及VCMA磁性记忆单元驱动到高电阻状态，即从平行状态至反平行状态，而负电流的驱动而进入低电阻状态，即从反平行状态至平行状态。
磁性存储器结构

[实用新型]超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构-CN201120557599.0有效
发明人： 魏拯华;李永忠;潘宗铭 -专利权人：台湾半导体股份有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：一半导体基层；数个源极半导体沟槽，分别埋设于半导体基层中，各源极半导体沟槽上端及下端分别形成一基层与沟渠，于基层的顶面形成一第一连接层及第二连接层；至少一额外掺杂层，结合于各源极半导体沟槽的周围，形成一超级接面；至少一闸极，连结于半导体基层顶端与各源极半导体沟槽的基层、第一连接层间；一汲极半导体层，结合于半导体基层底部。本实用新型使源极半导体沟槽、汲极半导体层间具有降低顺向偏压时的阻抗值与具有较高的逆向偏压值的特性，让金属氧化物半导体场效应晶体管可大幅降低顺向偏压的温升与具有逆向偏压的耐高压的效果。
超级金属氧化物半导体场效应晶体管结构

[发明专利]制造纳米碳管场效晶体管的方法-CN200610161736.2无效
发明人：陈百宏;魏拯华;骆伯远;斐静伟 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造纳米碳管场效晶体管的方法，包括以下步骤：形成一图案化导电层于一基板上；形成一介电层以覆盖该导电层以及该基板；在该介电层上，形成一纳米碳管层于一对电极之间；以及对该纳米碳管层进行一处理程序，使得该纳米碳管层为半导体型。本发明提供一种制造纳米碳管场效晶体管的方法，在纳米碳管形成之后通过对于纳米碳管进行处理以将金属型纳米碳管转换成半导体型纳米碳管，而应用于场效晶体管、传感器与有机晶体管等领域，以确保芯片的质量并且提高产能。
制造纳米碳管场效晶体管方法

[发明专利]形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线的方法-CN200510105212.7有效
发明人：骆伯远;魏拯华;陈百宏;江日舜;黄建良;高明哲 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-09-26 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：一种形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线的方法被揭示，包含于一含有金属离子及纳米碳管的电镀浴中对一表面具有一导电基线的基材进行电镀，于是在该导电基在线形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线。本发明亦揭示另一种形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线的方法，包含准备一纳米碳管的分散液，其包含一有机溶剂及分散于该有机溶剂的纳米碳管；将该纳米碳管的分散液印刷于一基材的一表面，及从该表面挥发移除该有机溶剂，而形成一导电基线；及于一含有金属离子的电镀浴中对该表面进行电镀，于是在该导电基在线形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线。
形成纳米金属复合材料电镀互连导线方法

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