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[发明专利]具有p沟道金属氧化物半导体传输门晶体管的鳍式场效应晶体管静态随机存取存储器器件-CN201580041560.4在审
发明人： N·N·莫江德;S·S·宋;Z·王;C·F·耶普 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：此类CMOS SRAM存储器单元进一步包括具有至少第一p沟道器件的CMOS存储器单元，该第一p沟道器件包括不同于该CMOS存储器单元的基板材料的第一沟道材料，该第一沟道材料具有比该基板材料的固有沟道迁移率大的固有沟道迁移率，该第一p沟道器件将该CMOS存储器单元耦合到位线和字线。
具有沟道金属氧化物半导体传输晶体管场效应静态随机存取存储器器件

[发明专利]具有垂直延伸结构的组合件及其形成方法-CN201811556564.8有效
发明人： D·R·埃科诺米;J·M·梅尔德里姆;李浩宇;Y·J·胡;C·W·佩茨;D·比林斯利;E·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：一些实施例包含组合件，其具有沟道材料柱且具有沿着所述沟道材料柱的存储器单元。导电结构在所述沟道材料柱下方。所述导电结构具有与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的掺杂半导体材料。镁、钪、钇及镧系元素中的一或多者沿着所述沟道材料柱的所述底部区域。一些实施例包含形成组合件的方法。形成结构，且抵靠所述结构的上表面形成块状物。在所述块状物中的开口内形成插塞。所述插塞包括第一材料上方的第二材料。所述第一材料包含镁、钪、钇及镧系元素中的一或多者。开口经形成以终止于所述第一材料上，且接着延伸穿过所述第一材料。在所述开口内形成沟道材料柱。
具有垂直延伸结构组合及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法与存储器的制造方法-CN201611054276.3有效
发明人：李智雄;李建颖;韩宗廷 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：半导体元件的制造方法包括：于基底及其上的材料层中形成第一与第二沟道，第一沟道的宽度小于第二沟道；形成覆盖材料层并填满第一与第二沟道的流动性隔离材料；移除第二沟道中的部分流动性隔离材料，使第二沟道侧壁上的流动性隔离材料的厚度介于DDA0001162637160000012.TIF" imgContent="drawing" imgFormat="TIFF" orientation="portrait" inline="no" />之间；于流动性隔离材料上形成非流动性隔离材料
半导体元件及其制造方法存储器

[发明专利]提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法-CN201310365515.7在审
发明人：赵猛;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，包括：提供包含有第一材料层与第二材料层的半导体衬底；依次形成氧化层与氮化层；进行第一次刻蚀，以在所述氮化层、氧化层、第一材料层和第二材料层上形成第一浅沟道隔离凹槽；在所述第一浅沟道隔离凹槽中，对所述第二材料层进行第二次刻蚀，形成第二浅沟道隔离凹槽；填充隔离材料；去除所述氮化层，形成浅沟道隔离结构。本发明通过对第二材料层进行第二次刻蚀，在保证源/漏区域有效面积不变的情况下，扩大浅沟道隔离结构底部的宽度，增加了浅沟道隔离结构的隔离效果，在一定程度上提高了半导体器件的阈值电压，从而提高半导体器件的性能
提高沟道隔离结构宽度效应方法

[发明专利]基于超短纳米沟道/低维材料的光电探测器及其制备方法-CN202310286612.0在审
发明人：孙飞莹;聂长斌;付津滔;李庚霖;魏兴战 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明属于光电子技术领域，具体涉及一种基于超短纳米沟道/低维材料的光电探测器及其制备方法。该光电探测器包括硅基衬底、低维材料、纳米沟道、一对金属电极和薄层SiO2；从下到上依次为硅基衬底、薄层SiO2、纳米沟道和低维材料；其中，低维材料位于纳米沟道上方；一对金属电极位于纳米沟道的两侧，分别连接低维材料的两端。本发明通过构筑超短纳米沟道/低维材料混合结构，提供了一种高灵敏光电探测器，该探测器利用超短纳米沟道在增强低维材料光吸收的同时也提升电荷的收集效率，从而实现光电转换效率的提升，在可见光至红外波段范围具有良好的光电响应
基于超短纳米沟道材料光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201911252119.7有效
发明人：马雪丽;李永亮;王晓磊;项金娟;杨红;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的沟道层；位于沟道层之上的界面层；位于界面层之上的第一高介电常数材料层；位于第一高介电常数材料层之上的第二高介电常数材料层其中，界面层是通过对包括沟道层和第一高介电常数材料层的第一半导体结构进行原位化学氧化处理形成的，界面层通过钝化沟道层可以降低沟道层与第一高介电常数材料层界面处的界面态密度；同时界面层很稳定，不会扩散进入第一高介电常数材料层，还可以抑制沟道层中的Ge原子扩散进入第一高介电常数材料层，最终获得高质量的包括沟道层、界面层、第一高介电常数材料层和第二高介电常数材料层的第二半导体结构。
一种半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种双沟道半导体器件-CN202011178840.9有效
发明人：罗景涛;严可为 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种双沟道半导体器件，上方AlGaN材料薄层、GaN材料薄层和下方AlGaN材料薄层依次叠加构成三叠层材料结构的器件核心，在两处材料交界界面构成二维电子气上沟道和二维电子气下沟道。本发明双沟道半导体器件，在不增加器件管芯面积，不增加额外的制造工艺复杂度前提下，仅以AlGaN/GaN/AlGaN或GaN/AlGaN/GaN这样的三叠层结构为核心，就可以构造出新型的双沟道半导体器件。由于二维电子气上沟道的导通电流必然会受到紧邻的二维电子气下沟道电信号的影响，二维电子气上沟道就可以用来作为一种寄生的电流传感器，用于监控以上沟道导电为主的器件的工作状态。
一种沟道半导体器件

[发明专利]一种空气隙石墨烯场效应管结构及制备方法-CN202010705457.8在审
发明人：康晓旭;陈寿面;钟晓兰;沈若曦 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于集成电路的技术领域，公开了一种空气隙石墨烯场效应管结构，使用石墨烯材料作为沟道，所述沟道的上下表面均部分或者全部与空气或者真空接触。所述石墨烯材料设置为氧化石墨烯材料通过旋涂在沟道位置后，经过高温还原得到。在石墨烯材料的沟道上下方均设置空气隙，形成悬浮式沟道，从而改善了石墨烯沟道与其它材料接触引起其载流子迁移率大幅度下降的问题，最大程度地保留石墨烯中载流子的高迁移率，降低石墨烯表面特性的退化，提高石墨烯器件的电学特性，而通过氧化石墨烯旋涂到沟道位置，再进行高温还原得到石墨烯，形成石墨烯沟道，可以最大程度地提升工艺的可操作性。
一种空气石墨场效应结构制备方法

[发明专利]一种呼气分子分析气相色谱仪的热脱附进样结构装置-CN202310598662.2在审
发明人：王俊奇;梁为亮;张伟;孙泽;孔俊;刘鹏辉 -专利权人：精智未来（广州）智能科技有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N30/12 文献下载
摘要：本发明公开一种呼气分子分析气相色谱仪的热脱附进样结构装置，进样结构装置包括：基板，所述基板的端面设置有若干条沟道，相邻的沟道之间形成沟道壁，材料被填充在所述沟道中；盖板，所述盖板盖在基板上，所述盖板与沟道壁顶部之间的距离小于材料的直径，所述沟道壁与沟道和基板之间采用分步刻蚀法制作，同时进料口和进出气口也采用分步刻蚀。本申请提供的呼气分子分析气相色谱仪的热脱附进样结构装置，将材料填充在基板上的沟道中，可以有效增大材料与基板的接触面，实现对材料颗粒的快速均匀加热，有效的提高热脱附效率；将基板分区设计、每个分区都设置加热电阻和隔热板
一种呼气分子分析色谱仪热脱附进样结构装置

[发明专利]CMOS结构及其制造方法-CN200810082061.1有效
发明人：刘孝诚;R·A·道纳顿;K·里姆 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-03-05 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种CMOS结构包括n－FET器件和p－FET器件，所述n－FET器件具有n－FET沟道区域，所述p－FET器件具有p－FET沟道区域。所述n－FET沟道区域包括位于硅－锗合金材料层上的第一硅材料层。所述p－FET沟道包括位于硅－锗－碳合金材料层上的第二硅材料层。所述硅－锗合金材料层在所述n－FET沟道内诱导希望的拉伸应变。所述硅－锗－碳合金材料层抑制了所述p－FET沟道区域内的不希望的拉伸应变。可以通过将碳选择性地并入到形成所述硅－锗合金材料层的硅－锗合金材料中，来形成构成所述硅－锗－碳合金材料层的硅－锗－碳合金材料。
cmos 结构及其制造方法

[发明专利]用于创建缓冲区以减少微电子晶体管中的泄漏的装置和方法-CN201480081280.1有效
发明人： C·S·莫哈帕特拉;A·S·默西;G·A·格拉斯;T·加尼;J·T·卡瓦列罗斯;W·拉赫马迪;M·V·梅茨;G·杜威 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：晶体管器件具有位于有源沟道与衬底之间的缓冲区，其可以包括在有源沟道与衬底之间的子结构(例如缓冲区)上的包括低带隙材料的有源沟道。子结构可以包括具有期望导带偏移的高带隙材料，以使得泄漏可以被抑制而没有对有源沟道内的电子移动性的显著影响。在实施例中，有源沟道和子结构可以形成在窄沟槽中，以使得由于有源沟道与子结构之间的晶格失配而引起的缺陷在子结构中终止。在另外的实施例中，子结构可以被去除以形成有源沟道与衬底之间的空隙，或者绝缘材料可以被设置在有源沟道与衬底之间，以使得空隙或绝缘材料形成绝缘缓冲区。
用于创建缓冲区减少微电子晶体管中的泄漏装置方法

[发明专利]柔性类CMOS反相器及其制备方法-CN202110448428.2在审
发明人：江潮;彭朝晗;蔡小勇 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性类CMOS反相器及其制备方法，该方法包括：提供柔性基底；在所述柔性基底上形成保护层；在所述保护层上制备栅电极；在所述保护层和所述栅电极上沉积介电层；在所述介电层上形成第一沟道层，所述第一沟道层的材料为无机材料；在所述第一沟道层上制备源电极和漏电极；在所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极上形成第二沟道层，所述第二沟道层的材料为有机材料；其中，所述栅电极、所述介电层、所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极通过光刻进行图案化本发明在柔性基底上结合有机与无机材料来制备柔性类CMOS反相器。
柔性 cmos 反相器及其制备方法

[发明专利]环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备-CN202111070721.6有效
发明人：陈鲲;徐敏;杨静雯;王晨;张卫;徐赛生;吴春蕾 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，环栅器件的源漏制备方法，包括：形成基底上的鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极，所述鳍片包括交替层叠的鳍片沟道层与鳍片牺牲层；所述鳍片沟道层包括处于所述伪栅极内侧的第一沟道层部分，以及未处于所述伪栅极内侧的第二沟道层部分；释放所述鳍片牺牲层；在所述鳍片沿沟道方向的两侧，基于所述第二沟道层部分，分别外延硅，形成硅材料层，并以所述第一沟道层部分作为环栅器件的沟道层；所述硅材料层连接所有沟道层；基于所需的源漏区域，对所述硅材料层进行刻蚀；基于剩余的硅材料层，外延锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。
器件及其制备方法电子设备

[发明专利]混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管-CN200910199720.4无效
发明人：肖德元;王曦;张苗;陈静;薛忠营 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及栅区，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的第一沟道为n型的Ge材料，所述的第二沟道为p型的Si材料；栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离本器件结构简单、紧凑，集成度高，在反型工作模式下，采用圆柱体全包围栅结构，高介电常数栅介质和金属栅，可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应等。
混合材料模式圆柱体包围 cmos 场效应晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201110295017.0无效
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括基板、沟道层、源极、漏极和栅极，沟道层设置在基板上，源极和漏极分别设置在该沟道层的相对两侧并与该沟道层电连接，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，沟道层采用第一氧化物半导体材料制成，源极和漏极采用第二氧化物半导体材料制成，且第二氧化物半导体材料的禁带宽度小于第一氧化物半导体材料的禁带宽度。上述过程无需通过在沟道层上掺杂的方式使源极和漏极的载流子浓度高于沟道层，从而使制备过程简单，降低薄膜晶体管的制作成本。
薄膜晶体管