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[发明专利]集成式组合件和形成集成式组合件的方法-CN201910409476.3有效
发明人： D·比林斯利;E·A·麦克蒂尔;C·W·佩茨;李浩宇;J·M·梅尔德里姆;Y·J·胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请案涉及集成式组合件和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含一种集成式组合件，其包括具有与第二区域相邻的第一区域的绝缘块体。所述第一区域与所述第二区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。一些实施例包含一种集成式组合件，其具有竖直延伸的沟道材料柱，并且具有沿着所述沟道材料柱的存储器单元。导电结构在所述沟道材料柱下方。所述导电结构包含与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的掺杂半导体材料。绝缘块体沿着所述沟道材料柱的所述底部区域。所述绝缘块体具有在下部区域上方的上部区域。所述下部区域与所述上部区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。一些实施例包含一种形成集成式组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]具有垂直延伸结构的组合件及其形成方法-CN201811556564.8有效
发明人： D·R·埃科诺米;J·M·梅尔德里姆;李浩宇;Y·J·胡;C·W·佩茨;D·比林斯利;E·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本申请案涉及具有垂直延伸结构的组合件及其形成方法。一些实施例包含组合件，其具有沟道材料柱且具有沿着所述沟道材料柱的存储器单元。导电结构在所述沟道材料柱下方。所述导电结构具有与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的掺杂半导体材料。镁、钪、钇及镧系元素中的一或多者沿着所述沟道材料柱的所述底部区域。一些实施例包含形成组合件的方法。形成结构，且抵靠所述结构的上表面形成块状物。在所述块状物中的开口内形成插塞。所述插塞包括第一材料上方的第二材料。所述第一材料包含镁、钪、钇及镧系元素中的一或多者。开口经形成以终止于所述第一材料上，且接着延伸穿过所述第一材料。在所述开口内形成沟道材料柱。
具有垂直延伸结构组合及其形成方法

[发明专利]包含导电结构的微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法-CN202180049928.7在审
发明人： D·比林斯利;M·J·金;J·D·格林利;Y·J·胡;T·乔治;A·拉伊;S·古普塔;K·A·里特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构，所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构，所述存储器单元串包括竖直地延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；以及另一堆叠结构，其竖直上覆于所述堆叠结构且包括其它导电结构和其它绝缘结构的交替层级的其它层，所述其它导电结构展现比所述堆叠结构的所述导电结构的导电性更大的导电性。还描述了相关存储器装置、电子系统和方法。
包含导电结构微电子装置以及相关存储器电子系统方法

[发明专利]晶体管及包括存储器单元串的存储器电路系统-CN202210802300.6在审
发明人： D·比林斯利;J·D·格林利;Y·J·胡;R·J·克莱因;E·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本申请案涉及晶体管及包括存储器单元串的存储器电路系统。包括存储器单元串的存储器电路系统包括包含交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠。沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。电荷通道材料在所述导电层级中位于所述沟道材料串的横向外部。存储材料在所述导电层级中位于所述电荷通道材料的横向外部。AlOq、ZrOq及HfOq中的至少一者在所述导电层级中位于所述存储材料的横向外部。(a)及(b)中的至少一者在所述导电层级中位于AlOq、ZrOq及HfOq中的所述至少一者的横向外部，其中，(a)：MoOxNy，其中“x”及“y”中的每一者是从0到4.0；及(b)：MoMz，其中“M”为W、第7族金属及第8族金属中的至少一者；“z”大于0且小于1.0。
晶体管包括存储器单元电路系统

[发明专利]包括包含触点通孔及导电线的结构的设备和相关方法-CN202211246360.0在审
发明人：张晓松;Y·J·胡;D·A·奎利;M·Z·胡斯艾因;M·J·欧文;D·比林斯利;S·拉玛罗杰;R·J·汉森;王淼鑫;K·W·洲 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本申请涉及包括包含触点通孔及导电线的结构的设备和相关方法。所述设备包括结构，所述结构包含上覆于下部绝缘材料的上部绝缘材料、下伏于所述下部绝缘材料的导电元件，及包括金属线及触点的导电材料。所述导电材料从所述上部绝缘材料的上部表面延伸到所述导电元件的上部表面。所述结构还包括邻近所述金属线的衬里材料。在所述触点外部的所述金属线的所述导电材料的最上表面的宽度相对小于所述触点的所述导电材料的最上表面的宽度。
包括包含触点导电结构设备相关方法

[发明专利]用于存储器装置的电极结构及相关联装置和系统-CN202210319741.0在审
发明人：郑鹏园;Y·J·胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于存储器装置的电极结构及相关联装置和系统。本文中公开具有用热循环增加电阻率的电极结构的存储器装置及相关联系统和方法。在一些实施例中，存储器装置包含存储器元件及电耦合到所述存储器元件的电极结构。所述电极结构可包含包括钨、硅、及锗的组合物的材料。
用于存储器装置电极结构相关系统

[发明专利]包括包含触点通孔及导电线的结构的设备和相关方法-CN202010810979.4有效
发明人：张晓松;Y·J·胡;D·A·奎利;M·Z·胡斯艾因;M·J·欧文;D·比林斯利;S·拉玛罗杰;R·J·汉森;王淼鑫;K·W·洲 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本申请涉及一种包括包含触点通孔及导电线的结构的设备、相关方法及存储器装置。所述设备包括结构，所述结构包含上覆于下部绝缘材料的上部绝缘材料、下伏于所述下部绝缘材料的导电元件，及包括金属线及触点的导电材料。所述导电材料从所述上部绝缘材料的上部表面延伸到所述导电元件的上部表面。所述结构还包括邻近所述金属线的衬里材料。在所述触点外部的所述金属线的所述导电材料的最上表面的宽度相对小于所述触点的所述导电材料的最上表面的宽度。
包括包含触点导电结构设备相关方法

[发明专利]包括存储器阵列的集成电路系统及其形成方法-CN202110993203.5在审
发明人： D·比林斯利;J·D·格林利;J·D·霍普金斯;Y·J·胡;S·伦加德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开涉及一种包括存储器阵列的集成电路系统及其形成方法。一种用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法包括在下堆叠的正上方形成上堆叠。所述下堆叠包括竖直交替的下第一层面和下第二层面。所述上堆叠包括竖直交替的上第一层面和上第二层面。下沟道开口延伸穿过所述下第一层面和所述下第二层面。所述下沟道开口在其中具有牺牲材料。所述下第二层面的上部或所述上第二层面的下部包括硅氧原子比大于0.5的非化学计量二氧化硅。在所述下部的上第二层面上方的所述上第二层面的较高部包括硅氧原子比小于或等于0.5的二氧化硅。
包括存储器阵列集成电路系统及其形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法-CN202110782933.0在审
发明人： D·比林斯利;J·D·格林利;J·D·霍普金斯;Y·J·胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括位于下部堆叠上方的上部堆叠。所述下部堆叠包括竖直交替的下部导电层和下部绝缘层。所述上部堆叠包括竖直交替的上部导电层和上部绝缘层。中间层竖直地位于所述上部堆叠与所述下部堆叠之间。所述中间层至少主要是多晶硅并且具有与所述中间层正上方的所述上部导电层和所述上部绝缘层的组成不同的组成以及与所述中间层正下方的所述下部导电层和所述下部绝缘层的组成不同的组成。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述上部堆叠、所述中间层和所述下部堆叠。公开了其它结构和方法。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]集成组件和形成集成组件的方法-CN202110510311.2在审
发明人：王宜平;A·李;李皓玉;M·J·金;W·Y·吴;Y·J·胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：本发明涉及集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含一种集成组件，其具有含有半导体材料的第一结构，且具有接触所述第一结构的第二结构。所述第一结构具有沿着与所述第二结构的界面的组成物。所述组成物包含浓度在约1018原子/cm3到约1021原子/cm3范围内的添加剂。所述添加剂包含碳、氧、氮和硫中的一或多种。一些实施例包含形成集成组件的方法。
集成组件形成方法

[发明专利]形成钨结构的方法-CN201980092714.0在审
发明人： D·R·埃科诺米;B·贝蒂;J·M·梅尔德里姆;Y·J·胡;J·D·格林利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明描述用于形成半导体装置的多层导电结构的方法。形成包括金属及额外成分的晶种层，所述额外成分与所述金属组合抑制形成在所述晶种层之上的所述金属的填料层的成核。可使用硅掺杂或合金化钨以形成所述晶种层，其中钨填料经形成在所述晶种层之上。
形成结构方法

[发明专利]复合电极材料化学-CN202110164115.4在审
发明人：郑鹏园;E·瓦雷西;L·弗拉汀;D·柯林斯;Y·J·胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本申请涉及复合电极材料化学。存储器器件可以包含：存取线；存储元件，所述存储元件包括硫族化物；以及电极，所述电极与所述存储器元件和所述存取线耦接。所述电极可以由掺杂有第二材料的第一材料的组合物制成。所述第二材料可以包含钽‑碳化合物。在一些情况下，所述第二材料可以操作以相对于所述存储元件呈化学惰性。与所述第一材料的电阻相比，所述第二材料可以包含热稳定的电阻率并且对跨所述存储元件的操作温度范围在所述存取线与所述存储元件之间传送的信号具有较低电阻。
复合电极材料化学

[发明专利]间隙填充材料的等离子体掺杂-CN202011582142.5在审
发明人： S·萨卡尔;J·S·布朗;秦舒;Y·J·胡;F·M·戈德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请案涉及间隙填充材料的等离子体掺杂。在用于使用旋涂电介质材料形成电子装置的多种过程中，可通过使用等离子体掺杂使这些材料固化来增强所述旋涂电介质材料的性质。举例来说，可增加所述经固化材料的硬度及杨氏模量。可增强其它性质。使所述旋涂电介质材料固化的所述等离子体掺杂使用一种作为与所离子化的物种相关联的等离子体离子植入物与高能量辐射的组合的机制。另外，可通过选择对应于关于长度的选择变化的所使用的特定掺杂剂的植入物能量及掺杂剂剂量沿着所述旋涂电介质材料的长度修改所述旋涂电介质材料的物理性质。
间隙填充材料等离子体掺杂

[发明专利]存储器阵列及形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202011050056.X在审
发明人： D·比林斯利;J·D·格林利;Y·J·胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器阵列及形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，方法包括形成包括垂直交替第一层及第二层的堆叠。使水平伸长沟槽形成到堆叠中以形成横向间隔存储器块区域。跨横向地在存储器块区域中的横向紧邻者之间且纵向地沿着横向紧邻者的沟槽形成桥材料。桥材料包括纵向交替第一及第二区域。使桥材料的第一区域不同于桥材料的第二区域而离子植入以在蚀刻过程中改变第一或第二区域中的一者相对于另一者的相对蚀刻速率。使第一及第二区域经受蚀刻过程以相对于第一及第二区域中的一者选择性地蚀除另一者以形成跨横向地在横向紧邻存储器块区域之间且沿着横向紧邻存储器块区域纵向间隔的沟槽延伸的桥。揭示独立于方法的其它实施例及结构。
存储器阵列形成包括单元方法

[发明专利]用于相变存储器元件的阻挡膜技术与构造-CN201580060284.6有效
发明人： C·W·佩茨;Y·J·胡;D·W·柯林斯;A·麦克蒂尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的实施例描述了用于相变存储器元件的阻挡膜技术和构造。在实施例中，装置包括多个相变存储器(PCM)元件，其中所述多个PCM元件中的单独的PCM元件包括：底部电极层、设置在所述底部电极层上的选择器件层、设置在所述选择器件层上的中间电极层、设置在所述中间电极层上的相变材料层、设置在所述相变材料上的顶部电极层、以及阻挡膜，所述阻挡膜包括IV族过渡金属、VI族过渡金属、碳(C)和氮(N)，所述阻挡膜设置在所述底部电极层与所述顶部电极层之间。可以描述和/或要求保护其它实施例。
用于相变存储器元件阻挡膜技术构造

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