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[发明专利]气相法纳米粉体制备中的尾气酸洗涤系统及尾气酸洗涤工艺-CN201810515133.0有效
发明人： 吴春蕾;段先健;卞春丽;李政法 -专利权人：湖北兴发化工集团股份有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本发明提供一种气相法纳米粉体制备中的尾气酸洗涤系统，含尘尾气管道与洗涤器连接，洗涤器与洗涤塔连接，洗涤塔与缓冲罐连接，缓冲罐底部经管道与酸循环泵连接后再与洗涤冷却器连接，洗涤冷却器与洗涤器连接；缓冲罐底部经管道与洗涤酸储罐连接，洗涤酸储罐与洗涤酸泵连接后再与洗涤塔上部连接。采用该系统进行白炭黑尾气洗涤工艺包括一级采用洗涤器并流洗涤,二级采用洗涤塔逆流洗涤。本发明中一级管道并流气液通过重力作用充分在竖直管道中接触，减小了系统阻力，二级逆流采用洗涤塔洗涤，气体流速在进入洗涤塔以后由于直径变大，流速大幅下降，液体至上向下，气体由下向上，气液充分在填料表面接触，保证了尾气的洗涤效果。
气相法纳米体制中的尾气酸洗系统工艺

[实用新型]一种投料仓除尘装置-CN202320978157.6有效
发明人：王二虎;曹辉;吴春龙;闫立武;武胜;张健;吴春蕾;李广信;杨翠柳;李红梅 -专利权人：深州冀衡药业有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01D46/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种投料仓除尘装置，包括通过除尘口与投料仓连通的除尘管道，除尘管道上连通有与控制系统电连接的风机，除尘口处可拆卸连接有覆盖除尘口的滤芯盘，滤芯盘上朝向投料仓的一侧设置有若干个过滤装置；本实用新型避免了物料浪费，提高了生产利润，且不再需要定期清理粉尘，降低了员工的劳动强度，适用于所有易产生扬尘的投料仓。
一种投料除尘装置

[发明专利]环栅结构源漏的外延制备方法以及环栅结构-CN202111070720.1有效
发明人：徐敏;刘桃;汪大伟;王晨;张卫;徐赛生;吴春蕾 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种环栅结构源漏的外延制备方法以及环栅结构，其中的方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成多个鳍片，沿沟道方向，相邻的两个鳍片之间具有凹槽；在所述衬底上淀积非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火，以使所述非晶硅层结晶形成单晶硅层；以所述单晶硅层的表面为起始表面，外延生长锗硅材料，形成锗硅体层；在所述锗硅体层形成环栅结构的源/漏区；通过在凹槽淀积非晶硅层，然后将非晶硅层经过退火处理结晶成单晶硅层，以单晶硅层为起始表面生长锗硅体层的方法，能够制备出无位错高质量的硅锗体层，为沟道提供足够的应力，提升环栅器件的空穴迁移率，进而提高环栅器件的开启电流。
结构外延制备方法以及

[发明专利]内侧墙沟槽的制备方法、内侧墙、电子设备及制备方法-CN202310543733.9在审
发明人：钱乐雯;孙新;刘桃;汪大伟;杨静雯;陈鲲;徐敏;吴春蕾;王晨;徐赛生;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种内侧墙沟槽的制备方法，包括：提供一待刻蚀对象；待刻蚀对象包括：衬底以及形成于衬底上的沿远离衬底方向上间隔堆叠的若干沟道层与若干牺牲层；对待刻蚀对象沿第一方向进行刻蚀，直至衬底的表层，以形成源漏空腔；同时对待刻蚀对象中的牺牲层沿第二方向进行刻蚀，以形成内侧墙空腔；其中，第一方向表征了若干沟道层与若干牺牲层堆叠的方向；第二方向垂直于第一方向；其中，对牺牲层沿第二方向进行刻蚀时，刻蚀速率为：0.05nm/s‑0.3nm/s。本发明提供的技术方案，解决了沟道层过久暴露在刻蚀环境中造成刻蚀损伤的问题，进而实现了器件电学性能的提升，同时避免了后续的源漏SiGe外延工艺可能产生的不利影响。
内侧沟槽制备方法电子设备

[实用新型]一种用于跨线桥梁施工的悬挂式防护平台-CN202320751176.5有效
发明人：秦超;王磊;刘坤;张弟伟;马有顺;秦岭;刘本岩;聂晨瑶;相旭成;赵龙喜;吴春蕾;刘渭蒲;徐昊;车明轩;廉文龙 -专利权人：中水电四局南方（珠海）工程有限公司;中国水利水电第四工程局有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： E01D21/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于跨线桥梁施工的悬挂式防护平台，设置在跨线桥梁的端部上，跨线桥梁上设置有多个预制梁板，相邻两个预制梁板之间形成有湿接缝，悬挂式防护平台包括第一吊杆、第一支撑架、第一支撑板、横向支撑杆、第二吊杆和第二支撑板，横向支撑杆跨设在湿接缝的两侧上，第一吊杆的上部穿过湿接缝与横向支撑杆连接，第一吊杆的下部与第一支撑架连接，第一支撑板设置在第一支撑架上，跨线桥梁的至少一侧设置有第二支撑板，第二支撑板沿第一支撑板的边缘向上倾斜延伸，第二支撑板与第一支撑板相交成钝角，第二吊杆的上部与预制梁板连接，第二吊杆的下部与第二支撑板连接。本实用新型结构简单、易于施工操作且无需封锁公路。
一种用于桥梁施工悬挂防护平台

[发明专利]混合导通机制围栅晶体管及制作方法，设备及制作方法-CN202310630971.3在审
发明人： 吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了混合导通机制围栅晶体管，包括：围栅MOSFET器件，包括衬底、第一源区、第一漏区、第一栅介质层以及围栅沟道控制栅；其中，第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第二源区，形成于衬底与第一源区之间，第二漏区，形成于衬底与第一漏区之间，且第二源区与第二漏区的高度不低于第一源区和第一漏区之间的衬底的高度；其中，第二漏区中掺杂有第一离子，第二源区中掺杂有第二离子；底部控制栅；底部控制栅覆盖衬底上的栅介质层的表面；围栅沟道控制栅覆盖底部控制栅的表面，且底部控制栅与围栅沟道控制栅之间的功函数之差大于0.5eV。该技术方案解决了底部亚阈值区的小于60mV/dec的超陡亚阈值摆幅特性无法凸显的问题。
混合机制晶体管制作方法设备

[发明专利]粉体材料制备装置-CN201810098097.2有效
发明人：段先健;吴春蕾;李政法 -专利权人：广州汇富研究院有限公司;湖北汇富纳米材料股份有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01B13/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉体材料制备装置，其具有汽化器、混合供气机构、混气机构、交叉供气机构及反应室，其中，混合供气机构具有混合出气口，交叉供气机构具有环状的交叉出气口，交叉出气口位于混合出气口与反应室的入口之间，且交叉出气口与混合出气口之间的距离可调，交叉出气口处点燃的火焰能够与混合出气口处点燃的火焰交汇后共同进入反应室进行粉体材料的杂化反应，通过调整交叉出气口与混合出气口之间的距离，可得到具有不同结构的杂化粉体材料。该粉体材料制备装置结构设计精巧，可以用于气相法实现杂化粉体材料的生产，具有适用范围广、适用性强的优点。
材料制备装置

[发明专利]底部U型栅围栅晶体管器件及制作方法、设备及制作方法-CN202310630991.0在审
发明人： 吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种底部U型栅围栅晶体管器件，其中，包括衬底、第一源区、第一漏区、第一控制栅以及第一沟道层；其中，第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第一沟道层表征了最接近衬底的沟道层；第一控制栅表征了最接近衬底的控制栅；第二源区，形成于衬底与第一源区之间，第二漏区，形成于衬底与第一漏区之间，且第一离子的类型与第二离子的类型不同；其中，第一控制栅沟道层的沿第二方向上的厚度高于其他控制栅沿第二方向上的厚度；第二源区与第二漏区的第一面沿第二方向上的高度不高于第一沟道层的底面，且第二面不低于二者之间的衬底的表面。该技术方案在防止底部寄生沟道泄漏的同时，解决了围栅晶体管器件中存在的源漏直接隧穿的问题。
底部型栅围栅晶体管器件制作方法设备

[发明专利]一种围栅隧穿场效应晶体管以及制作方法-CN202211566349.2在审
发明人： 吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种围栅隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬底上包括：第一外延区、第二外延区、第一沟道区、第二沟道区以及第三沟道区；第一外延层形成于第一外延区；第二外延层形成于第二外延区；若干第一沟道层沿远离衬底的方向上堆叠，且相邻两第一沟道层之间通过沟道空腔间隔；其中，第一沟道层包括第一沟道部、第二沟道部以及第三沟道部；内侧墙；填充于第一沟道区和第三沟道区的沟道空腔中；第二沟道层、栅介质层以及控制栅；均形成于第二沟道区中；其中，第一沟道部中掺杂有第一离子，第二沟道层中掺杂有第二离子；第一离子和第二离子的类型不同；以解决如何增大围栅隧穿场效应晶体管的开态电流的问题。
一种围栅隧穿场效应晶体管以及制作方法

[发明专利]混合导通机制围栅晶体管及其制作方法-CN202211730768.5在审
发明人： 吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫;徐敏 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合导通机制围栅晶体管，包括围栅MOSFET器件、第二源区与第二漏区；围栅MOSFET器件包括衬底、第一源区以及第一漏区；第一源区与第一漏区中参杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，且第二源区、第二漏区的高度不低于第一源区和第一漏区之间的衬底的高度；第二漏区中掺杂有第一离子，第二源区中掺杂有第二离子。该技术方案解决了围栅MOSFET器件的底部寄生沟道电流泄漏的问题，并且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在传统围栅MOSFET器件的底部并联了隧穿场效应晶体管TFET器件结构，可以实现围栅沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，以获得更优的超陡开关特性。
混合机制晶体管及其制作方法

[发明专利]气相二氧化硅塑料浓缩料制备系统及制备方法-CN202310009998.0在审
发明人： 吴春蕾;段先健;李政法;王跃林;王成刚 -专利权人：广州汇富研究院有限公司;湖北汇富纳米材料股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B29B7/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相二氧化硅塑料浓缩料制备系统及制备方法，该气相二氧化硅塑料浓缩料制备系统包括气相二氧化硅加料机构、聚合物加料机构、捏合机构、强制喂料机构、螺杆挤出机构；捏合机构设置有多个捏合装置，各捏合装置依次连通形成多级捏合结构；聚合物加料机构与第一级捏合装置连通；气相二氧化硅加料机构设置有多个，且气相二氧化硅加料机构与捏合装置一一对应并连通设置；位于最后一级的捏合装置与强制喂料机构、螺杆挤出机构依次连通。该气相二氧化硅塑料浓缩料制备系统及制备方法提供的技术方案能够得到高浓度的气相二氧化硅塑料浓缩料，利用该气相二氧化硅塑料浓缩料填充塑料能够使获得的制品性能均一，有效提高改性塑料的性能。
二氧化硅塑料浓缩制备系统方法

[发明专利]基于自适应MPPT的光伏系统间谐波抑制方法及系统-CN202110327120.2有效
发明人：丁广乾;侯建中;尚佳静;吴春蕾;程新功;陈芳;宗西举;王鲁浩;张永峰;徐航;彭放 -专利权人：济南大学
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H02J3/01 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于自适应MPPT的光伏系统间谐波抑制方法及系统，所述方案通过在对光照强度变化方向的判断当中引入光伏输出电流变化量，并结合传统MPPT算法形成自适应MPPT算法以准确判断光照强度变化，进而实现准确无飘移的追踪最大功率点；同时，所提自适应MPPT算法以MPPT算法输出的直流链电压参考值为输入变量，判断其值是否连续三次满足三点周期振荡特性，若满足表明追踪到新的最大功率点，系统则将扰动步长置为零，随之，进行在最大功率点的恒电压追踪，从而减少了在最大功率点附近的扰动；反之，依旧扰动追踪新的最大功率点。最后利用仿真验证所提抑制策略可以在保证MPPT效率的同时有效减少间谐波的注入，提高了电能质量。
基于自适应 mppt 系统谐波抑制方法

[发明专利]混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件-CN202211730772.1在审
发明人： 吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫;徐敏 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，包括鳍型栅场效应晶体管、第二源区与第二漏区；鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区及第一漏区；第二源区的高度不低于第一源区与第一漏区之间的衬底的高度；第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，第二漏区与第二源区中分别掺杂有第一离子与第二离子。该方案解决了鳍型栅场效应晶体管的底部电流泄漏的问题，且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在鳍型栅场效应晶体管的底部并联隧穿场效应晶体管器件结构，可以实现鳍型沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，从而获得更优的超陡开关特性。
混合机制鳍型栅场效应晶体管器件

[实用新型]一种污水处理装置及污水处理系统-CN202221992358.3有效
发明人：杨茂青;李宁宁;吴春蕾;申晴;刘月;杨海江 -专利权人：达斯玛环境科技(北京)有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C02F1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及污水处理技术领域，具体而言，涉及一种污水处理装置及污水处理系统，包括工艺池本体，所述工艺池本体的下部设置有系统进水口，所述工艺池本体的中部设置有活性炭层，所述工艺池本体的上部设置有至少两个出水口，每个所述出水口的内侧均设置有倾斜设置的拦截筛网，所述拦截筛网能够对所述活性炭层中逃逸的颗粒活性炭进行拦截，并能够使颗粒活性炭顺利回落于在所述工艺池本体内。设计成至少两个出水口能够分散水流的流速以及对每个拦截筛网造成的冲击力，还能够使颗粒活性炭通过其自身重力顺利回落，能够极大地减轻甚至消除颗粒活性炭被水流冲击附着在拦截筛网上无法顺利回落于在池体内的问题，降低拦截筛网堵塞频率。
一种污水处理装置系统

[实用新型]一种切管机定位机构-CN202222850053.5有效
发明人： 吴春蕾 -专利权人：青岛欧牧野机械有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本实用新型的一种切管机定位机构，属于切管机技术领域，包括机台和切割组件，机台的顶端设置有定位组件，定位组件包括安装座，安装座连接于机台顶部的一端，安装座的内部转动连接有螺纹杆，螺纹杆的外部套设有移动块，且移动块的一端贯穿安装座，螺纹杆的一端贯穿安装座并套设有齿轮，齿轮的外部设置有锁定套，锁定套的内侧壁设置有卡齿，锁定套的一端对称连接有滑杆，安装座的一端对称开设有滑槽，滑杆的一端通过弹簧与滑槽的内侧壁相连接，螺纹杆的一端连接有调节手柄。本实用新型的有益效果是提高了管件的切割精度和切割效率，避免误差导致的损耗，保证所切管件尺寸的一致性，同时避免粉屑漂浮危害操作人员身体健康，保证了加工环境的整洁。
一种切管机定位机构

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