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[发明专利]低暗电流高速PIN探测器及其加工方法-CN201610562068.8有效
发明人：李冲;刘巧莉;丰亚洁;吕本顺;郭霞;王华强;黎奔 -专利权人：苏州北鹏光电科技有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明揭示了一种低暗电流高速PIN探测器，包括衬底，所述衬底上生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上覆盖有增透膜，所述增透膜上设置有至少一个P型欧姆接触电极，所述衬底上端面除P型欧姆接触层外的区域均覆盖有阻隔层，所述阻隔层上覆盖有增透膜，所述衬底下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极，所述衬底上端面开设有第一隔离沟槽，所述衬底下端面开设有第二隔离沟槽，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽内均填充有阻隔材料，所述第一隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的外周侧，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽上下对应。
电流高速 pin 探测器及其加工方法

[发明专利]一种提升LED性能的LED制备方法以及LED芯片-CN201711187616.4有效
发明人：杨丹;杨晓蕾;叶佩青;翁启伟;刘兆 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供一种提升LED性能的LED制备方法及LED芯片，制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成图形化欧姆接触层，图形化欧姆接触层为Ga_xIn_(1‑x)N材质；在图形化欧姆接触层以及第二型半导体层上形成电流扩展层；其中，电流扩展层与欧姆接触层的厚度总和小于或等于由于通过控制欧姆接触层中In和Ga组分，能够使其具有相对于电流扩展层更高的横向电导率、与第二型半导体层之间的欧姆接触特性以及合适的折射率、可见光波段下透射效果好等特性，使得本发明中能够采用图形化欧姆接触层代替部分厚度的电流扩展层实现电流扩展的功能从而提高
一种提升 led 性能制备方法以及芯片

[发明专利]一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管及其制作方法-CN201811558022.4有效
发明人：杨林安;李秀圣;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管，包括：衬底层；外延层，位于衬底层上层；欧姆接触层，位于外延层中间的上层；第一漂移区，位于欧姆接触层中间的上层；第二漂移区，位于第一漂移区上层；雪崩区，位于第二漂移区上层；欧姆接触电极，位于欧姆接触层两侧和欧姆接触层两侧的上层；第一钝化层，位于欧姆接触层上层和欧姆接触电极上层，且位于第一漂移区两侧、第二漂移区两侧和雪崩区两侧；第二钝化层，位于第一钝化层上层
一种双异质结复合钝化 impatt 二极管及其制作方法

[发明专利]二类超晶格雪崩光电探测器及其制作方法-CN201910648930.0有效
发明人：赵成城;马文全;黄建亮;张艳华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L31/0248 文献下载
摘要：本公开提供一种二类超晶格雪崩光电探测器及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；N型欧姆接触层，位于所述缓冲层上，为N型InAs/GaSb超晶格；雪崩倍增层，覆于部分所述欧姆接触层之上，未被覆盖的欧姆接触层形成一台面；光吸收层，位于所述雪崩倍增层上，为InAs/GaSb超晶格，用于探测红外光；P型欧姆接触层，位于所述光吸收层上；钝化层，覆于所述台面的部分上表面并开设有第一电极窗口，同时覆盖所述P型欧姆接触层上表面边缘处，并开设有第二电极窗口；以及还覆于所述雪崩倍增层、光吸收层、P型欧姆接触层的侧面；P电极，位于所述第二电极窗口内，居中裸露P型欧姆接触层区域作为通光孔；以及N电极，位于所述台面上的第一电极窗口内。
二类超晶格雪崩光电探测器及其制作方法

[发明专利]高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法-CN202010952681.7有效
发明人：周玉刚;梁志斌;许朝军;张齐轩;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：所述紫外探测器件包括：第一极性半导体层、第二极性半导体层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；所述第一极性半导体层设置在所述第二极性半导体层上，所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层分别与第一极性半导体层、第二极性半导体层形成欧姆接触，所述第一欧姆接触层包括覆设在第一极性半导体层上的Ag‑Au合金薄膜，所述Ag‑Au合金薄膜可选择性地使紫外光透过。本发明实施例提供的高波长选择性的紫外探测器件在体积小、容易使用的基础上，实现了对特定波段紫外光的高选择性探测，同时Ag‑Au合金薄膜与第一极性半导体层之间的欧姆接触保证了器件的优异探测性能。
波长选择性紫外探测器件及其制作方法

[发明专利]一种光通信芯片欧姆接触电极的制作方法-CN202110121320.2有效
发明人：赵亮;葛婷;尹建峰 -专利权人：湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种光通信芯片欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：在光通信芯片P面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述P面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行P面合金化退火，P面合金化退火温度为T1；在光通信芯片N面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述N面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行N面合金化退火，N面合金化退火温度为T2；上述P面合金化退火温度T1高于上述N面合金化退火温度采用本发明的欧姆接触电极制作工艺可以得到工艺稳定、接触电阻低的欧姆接触电极，且匹配了解理切割工艺，最终获得了性能稳定、芯片外观优良、成品率高的光通信芯片。
一种光通信芯片欧姆接触电极制作方法

[发明专利]厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构、方法及射频系统-CN202310032308.3有效
发明人：詹利宏;何磊 -专利权人：四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构、方法及射频系统，结构包括多个导体层和位于相邻导体层的陶瓷基板；底层的导体层为金属地层，顶层的导体层设有欧姆微带线，中间导体层设有欧姆微带线，各欧姆微带线通过金属化过孔连通，并连通金属地层；相邻两个欧姆微带线宽度不同，金属化过孔孔径与欧姆微带线宽度匹配，相邻两个欧姆微带线所在导体层之间的金属化过孔孔径光滑渐变；金属化过孔周侧设有多个贯通的接地孔，接地孔连通金属地层；欧姆微带线均连接有阻抗调节枝节
电路多层连接阻抗匹配结构方法射频系统

[实用新型]具有新型扩展电极结构的发光二极管-CN201420590729.4有效
发明人：白继锋;马祥柱;杨凯;陈亮;李俊承;陈宝;张银桥 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：具有新型扩展电极结构的发光二极管，属于光电子技术领域，在外延片上制作镜面反射层，键合衬底后，去除外延片上的基板、缓冲层和截止层，露出N-GaAs欧姆接触层，再制作图形化的N-GaAs欧姆接触层，本实用新型通过制作出图形的N-GaAs欧姆接触层，再利用电子束蒸镀和蚀刻工艺制作出同N-GaAs欧姆接触图形套合的扩展电极，再利用负胶剥离工艺制作出主电极，工艺简单，主电极的尺寸大于扩展电极尺寸，既保证了扩展电极层与N-GaAs欧姆接触层的充分结合，形成良好的欧姆接触，又对于图案化N-GaAs欧姆接触层起到了保护作用，提高了扩展电极与外延层的附着性和完整性，确保发光器件工作电压稳定。
具有新型扩展电极结构发光二极管

[实用新型]碳化硅横向肖特基结型微型核电池-CN201220735047.9有效
发明人：张林;李清华;邱彦章;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池，包括由N型SiC基片构成的衬底和设置在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有欧姆接触电极，N型SiC外延层上部设置有肖特基接触电极；N型SiC欧姆接触掺杂区、欧姆接触电极和肖特基接触电极均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构，欧姆接触电极的垂直指条与肖特基接触电极的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构；N型SiC外延层上部除去欧姆接触电极和肖特基接触电极的区域设置有二氧化硅层。
碳化硅横向肖特基结型微型核电

[实用新型]一种碳化硅温度传感器-CN201220734974.9有效
发明人：张林;李演明;邱彦章;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅温度传感器，包括由N型SiC基片构成的衬底和设置在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部中间位置处设置有圆形的肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设置有圆环形的N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有圆环形的欧姆接触电极，N型SiC欧姆接触掺杂区、欧姆接触电极和肖特基接触电极同心设置，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间的N型SiC外延层上部，以及位于欧姆接触电极外围的
一种碳化硅温度传感器

[实用新型]低暗电流高速PIN探测器-CN201620751818.1有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种低暗电流高速PIN探测器，包括衬底，所述衬底上生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上覆盖有增透膜，所述增透膜上设置有至少一个P型欧姆接触电极，所述衬底上端面除P型欧姆接触层外的区域均覆盖有阻隔层，所述阻隔层上覆盖有增透膜，所述衬底下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极，所述衬底上端面开设有第一隔离沟槽，所述衬底下端面开设有第二隔离沟槽，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽内均填充有阻隔材料，所述第一隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的外周侧，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽上下对应。
电流高速 pin 探测器

[实用新型]一种轴承制造智能分拣仓储控制系统-CN201920574576.7有效
发明人：王铭旭;栾成宝;李书乾;赵海东;杨德军 -专利权人：瓦房店轴承集团国家轴承工程技术研究中心有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G05B19/05 文献下载
摘要：所述逻辑控制器与触摸屏双向连接，所述逻辑控制器的输入端与信号采集系统的输出端连接，所述逻辑控制器的输出端与执行系统的输入端连接，所述信号采集系统包括欧姆龙光电传感器，所述欧姆龙光电传感器的输出端与欧姆龙光纤放大器的输入端连接，所述欧姆龙光纤放大器的输入端分别与欧姆龙磁性开关和金属传感器的输出端连接，所述欧姆龙磁性开关的输入端与逻辑控制器的输出端连接，所述欧姆龙光纤放大器的输出端与逻辑控制器的输入端连接。
光纤放大器逻辑控制器输出端连接输入端连接仓储控制输出端输入端信号采集系统光电传感器磁性开关智能分拣轴承制造控制器与逻辑分拣本实用新型金属传感器仓储装置反馈装置开关控制双向连接触摸屏掉落检查

[实用新型]一种沟槽碳化硅MPS二极管结构-CN202221108279.1有效
发明人：孟繁新;陆超;袁强;贺晓金;王海锐;王博;余文兴;张浩宇;何静 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽碳化硅MPS二极管结构，包括：碳化硅欧姆接触金属，碳化硅欧姆接触金属位于P+沟槽区上，碳化硅欧姆接触金属与沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属，碳化硅肖特基接触金属位于碳化硅外延层及碳化硅欧姆接触金属上方并沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属与碳化硅外延层界面肖特基接触区的沟槽配合结构能够有效增大肖特基接触区的面积，从而有效进一步降低器件的正向导通压降，增大器件的电流密度；而P+沟槽区与碳化硅欧姆接触金属界面欧姆接触区的沟槽沟槽配合结构增加了欧姆接触区域的面积
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构

[实用新型]屋面避雷带转角欧姆弯煨弯器-CN202220990273.5有效
发明人：张艳平;刘川正;董建元;左昌明;刘瑞峰;郝楠;王海霞 -专利权人：山西五建集团有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B21D7/022 文献下载
摘要：本实用新型为一种屋面避雷带转角欧姆弯煨弯器，包括操作台、直角弯煨制系统和欧姆弯煨制系统，直角弯煨制系统主要由四根定位柱、角钢段和第一把手组成，欧姆弯煨制系统主要由大凹槽圆盘、小凹槽圆盘、转动架和定位支撑板组成使用时，直角弯煨制系统将煨制圆钢加工成形状为U型圆钢，欧姆弯煨制系统在U型圆钢上加工形成直角欧姆弯。本实用新型煨弯器造价较低，煨制造型与尺寸多样化，且煨制过程中存在煨制尺寸误差小、煨制造型美观，操作使用方便等优点；在煨制不同直径的欧姆弯时，可以通过更换装置上不同直径的大、小凹槽圆盘配合使用来调节欧姆弯的尺寸
屋面避雷转角欧姆弯煨弯器

[实用新型]基于AlN衬底的垂直器件-CN202222819235.6有效
发明人：王龙 -专利权人：远山新材料科技有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开基于AlN衬底的垂直器件，属于半导体器件技术领域，包括外延片和生长在外延片两端的第一钝化层、N欧姆接触层、阴极电极层和第二钝化层、肖特基层、P欧姆接触层和阳极电极层，外延片包括衬底层、缓冲层和外延层，其中外延层包括AlGaN层、U‑GaN层和P‑GaN层，第一钝化层和N欧姆接触层在一侧贯穿至外延层，阴极电极层覆盖在衬底层、第一钝化层和N欧姆接触层的表面；P欧姆接触层位于P‑GaN层的表面，肖特基层贯穿至缓冲层，并部分覆盖P欧姆接触层的表面，第二钝化层覆盖部分缓冲层、肖特基层、P欧姆接触层、P‑GaN层和U‑GaN层，阳极电极层贯穿至肖特基层，并覆盖第二钝化层的表面。
基于 aln 衬底垂直器件