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[发明专利]一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法-CN202211611093.2在审
发明人：苏凯;米天和;张金风;王唯;任泽阳;王东;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法，金刚石核探测器包括：金刚石、第一绝缘介质层、第一欧姆接触电极、第二绝缘介质层和第二欧姆接触电极，第一欧姆接触电极位于金刚石的第一表面上，第一绝缘介质层包围第一欧姆接触电极，且第一欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第一绝缘介质层以形成场板结构；第二欧姆接触电极位于金刚石的第二表面上，第二绝缘介质层包围第二欧姆接触电极，且第二欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第二绝缘介质层以形成场板结构
一种压低漏电金刚石探测器及其制备方法

[发明专利]一种N-极性GaN基平面耿氏二极管及其制备方法-CN202311027314.6在审
发明人：戴扬;任雨萌;袁若松;高磊玉;李宇坤;张陈成 -专利权人：西北大学
申请日： 2023-08-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N80/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种N‑极性GaN基平面耿氏二极管及其制备方法，包括衬底层，衬底层上生长有n‑AlGaN背势垒层，n‑AlGaN背势垒层上生长有GaN沟道层、左欧姆接触层和右欧姆接触层，左欧姆接触层和右欧姆接触层分别位于GaN沟道层的两侧，左欧姆接触层和右欧姆接触层上面分别对应地生长有左欧姆接触电极和右欧姆接触电极；GaN沟道层上面生长有左肖特基接触电极、右肖特基接触电极和钝化层，左肖特基接触电极、右肖特基接触电极分别位于钝化层的两侧
一种极性 gan 平面耿氏二极管及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板-CN202110554362.5有效
发明人：卓恩宗;夏玉明;雍万飞;康报虹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请公开一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板，其中薄膜晶体管包括衬底、栅极层、栅介质层、有源层、欧姆接触层和极性层；栅极层设置在衬底上；栅介质层覆盖在衬底和栅极层上；有源层设置在栅介质层上；欧姆接触层的数量为两个，两个欧姆接触层间隔设置于有源层上；极性层的数量为两个，两个极性层一一对应的设置于欧姆接触层背离有源层的一侧面，极性层至少包括与欧姆接触层接触的缓冲层。本申请中，缓冲层起到均化应力的作用，在后续加工时，作用应力先经缓冲层然后传递至欧姆接触层和有源层，并且使作用在欧姆接触层和有源层的挤压力更均衡，避免应力集中，从而降低对欧姆接触层和有源层上造成的损伤，有效改善显示残影问题
薄膜晶体管制备方法显示面板

[发明专利]LED倒装芯片-CN201310149879.1无效
发明人：王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人：东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。第二N欧姆接触层与P焊接电极相互绝缘以避免短路，且局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外以供焊接。不仅在N焊接电极覆盖区域分布有N欧姆接触层，而且在P焊接电极覆盖区域也能够分布N欧姆接触层，故在芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。
led 倒装芯片

[发明专利]发光二极管元件及其制造方法-CN201210180882.5无效
发明人：吴奇隆;朱长信;余国辉;邱信嘉 -专利权人：奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管元件的制造方法，其包括：提供外延基板；形成外延层于外延基板上，外延层具有相对的第一侧表面与第二侧表面，第一侧表面与外延基板的表面接合；形成第一欧姆接触层于外延层的第二侧表面上；形成接合层于第一欧姆接触层上，通过接合层将键合基板接合于第一欧姆接触层上；移除外延基板；形成第二欧姆接触层于外延层的第一侧表面上；形成暴露第一欧姆接触层的穿孔；形成导电层于穿孔中，并与第一欧姆接触层电连接；及形成第一电极及第二电极于外延层上，第一电极经由导电层电连接第一欧姆接触层，第二电极与第二欧姆接触层电连接。
发光二极管元件及其制造方法

[实用新型]LED倒装芯片-CN201320219428.6有效
发明人：王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人：东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。第二N欧姆接触层与P焊接电极相互绝缘以避免短路，且局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外以供焊接。不仅在N焊接电极覆盖区域分布有N欧姆接触层，而且在P焊接电极覆盖区域也能够分布N欧姆接触层，故在芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。
led 倒装芯片

[实用新型]一种高效VCSEL芯片-CN201920908730.X有效
发明人：窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本实用新型涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种高效VCSEL芯片，该VCSEL芯片包括散热层、外延片，散热层包括多层Cu层，散热层的底层成型有若干散热孔，外延片包括N‑DBR、量子阱、氧化层、P‑DBR和第一欧姆接触层，外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N‑contact，第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层，第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔，欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层，第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上，第二欧姆接触层与散热层连接。
欧姆接触层散热层外延片本实用新型欧姆接触孔散热孔蚀刻饱和电流电流集中功率效率激光芯片散热能力斜率效率倒T字形生长量子阱氧化层多层横模填充成型背离芯片覆盖制造

[实用新型]带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件-CN202122730021.7有效
发明人：董志华;刘辉;刘国华;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：漏极金属上方的碳化硅N+衬底、N+衬底上的N‑漂移区、N‑漂移层中的P+屏蔽层、N‑漂移层上方的栅结构、N‑漂移层上方的栅结构左侧的第一P型基区、N‑漂移层上方的栅结构右侧的第二P型基区、第一P型基区上方左侧为第一P+欧姆接触区、上方右侧为第一N+欧姆接触区，第一P型基区下方的N型电流扩展层，第二P型基区上方左侧的第二N+欧姆接触区、上方右侧的第二P+欧姆接触区；第一P+欧姆接触区和第一N+欧姆接触区上方设有第一源极金属；第二P+欧姆接触区和第二N+欧姆接触区上方设有第二源极金属。
形基区斜面碳化硅 mosfet 器件

[发明专利]适用于碳化硅半导体器件的欧姆接触工艺及结构-CN202110546329.8在审
发明人：黎力;袁述;苗青 -专利权人：江苏中科汉韵半导体有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种欧姆接触工艺及结构，尤其是一种适用于碳化硅半导体器件的欧姆接触工艺及结构。按照本发明提供的技术方案，所述适用于碳化硅半导体器件的欧姆接触工艺，包括N型碳化硅晶片，在所述N型碳化硅晶片所需的表面设置低功函数导电膜，所述低功函数导电膜的功函数低于所述N型碳化硅晶片的电子亲和能，以使得所述低功函数导电膜与N型碳化硅晶片接触后能直接形成所需的欧姆接触。本发明能有效实现欧姆接触，降低欧姆接触的工艺难度，提高半导体器件的性能以及适应范围。
适用于碳化硅半导体器件欧姆接触工艺结构

[发明专利]一种欧姆电极及其制备方法和应用-CN202111229854.3在审
发明人：刘超平;吕小虎;李展华 -专利权人：汕头大学
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种欧姆电极及其制备方法和应用。该欧姆电极包括p型宽禁带半导体和设于p型宽禁带半导体表面的Cu2‑xS膜层，x的取值为0‑0.25。本发明欧姆电极包括p型宽禁带半导体和设于p型宽禁带半导体表面的Cu2‑xS膜层，能够实现良好的欧姆接触，欧姆接触性能达到与贵金属材料金结合p型宽禁带半导体的欧姆接触性能相近
一种欧姆电极及其制备方法应用

[发明专利]一种光电器件的制备方法-CN202211007922.6在审
发明人：吴真龙;张雷 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电器件的制备方法，采用该制备方法制备光电器件外延片的过程中，给欧姆接触层背离衬底一侧设置与欧姆接触层晶格匹配的P化物保护层以及As化物盖层，可以有效阻挡外延片生长结束后，外延片腔体中的石英件和石墨件上的反应物沉积颗粒掉落到欧姆接触层上，在外延片生长结束后再去除P化物保护层以及As化物盖层，就可以得到膜层质量较好的欧姆接触层，从而使欧姆接触层能够形成更好的欧姆接触，进一步提高该光电器件的性能和芯片的良率。
一种光电器件制备方法

[发明专利]具有多个栅极电介质层的异质结构晶体管-CN201310412459.8有效
发明人： J·拉姆德尼;M·墨菲;L·刘 -专利权人：电力集成公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：第一欧姆接触和第二欧姆接触电连接到第二有源层。第一欧姆接触和第二欧姆接触横向间隔开，栅极被布置在第一欧姆接触和第二欧姆接触之间。
具有栅极电介质结构晶体管

[发明专利]晶体管阵列和有源矩阵基板-CN03107395.6有效
发明人：锦博彦;小林和树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-03-25 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：每个晶体管包括第一欧姆接触区，第一欧姆接触区被定义为导体线之一和功能线之一交叉的区域，它和半导体层欧姆接触。每个晶体管还包括与半导体层欧姆接触的第二欧姆接触区，以及定义第一和第二欧姆接触区之间的半导体层上的沟道区。
晶体管阵列有源矩阵

[发明专利]晶体管阵列和有源矩阵基板-CN200610006650.2有效
发明人：锦博彦;小林和树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-03-25 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：每个晶体管包括第一欧姆接触区，第一欧姆接触区被定义为导体线之一和功能线之一交叉的区域，它和半导体层欧姆接触。每个晶体管还包括与半导体层欧姆接触的第二欧姆接触区，以及定义第一和第二欧姆接触区之间的半导体层上的沟道区。
晶体管阵列有源矩阵

[发明专利]一种用于聚焦离子束机台提取样品的方法-CN201710567411.2有效
发明人：韩俊伟;顾晓芳;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提出一种用于聚焦离子束机台提取样品的方法，包括下列步骤：提供欧姆尼探针；使用沉积钨将样品薄片粘连到欧姆尼探针上；通过欧姆尼探针将样品转移到样品载体上；通过聚焦离子束切断的方法将样品和欧姆尼探针分离本发明提出的用于聚焦离子束机台提取样品的方法，利用样品和样品之间的连接和切断来提取新的样品，从而避免欧姆尼探针的损耗并延长欧姆尼探针的使用寿命。
一种用于聚焦离子束机台提取样品方法