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[外观设计]沙发(新欧姆)-CN01350080.5无效
发明人：朴维斯;彼得·汉瑞森 -专利权人：北京依诺维绅家具有限公司
申请日： 2001-10-22 - 公布日： 2002-05-01 - 主分类号： 06-01 文献下载
摘要：省略其它视图。
沙发欧姆

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置-CN201710131890.3有效
发明人：张慧;林允植;严允晟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以使得有源层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层通过欧姆接触层连接，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，提高薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：源极金属层，在源极金属层之上的第一绝缘层，在第一绝缘层之上的漏极金属层；有源层和欧姆接触层，有源层通过欧姆接触层与源极金属层和漏极金属层相连；欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层包括位于第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域。
一种薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]一种组合接触结构及新型GaN HEMT器件-CN202111156517.6在审
发明人：李亦衡;武乐可;黄克强;秦佳明;王强;宋亮;朱友华;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及了一种组合接触结构及新型GaN HEMT器件，新型GaNHEMT器件包括增强型GaN HEMT器件和组合接触结构，所述组合接触结构包括欧姆接触部和肖特基接触部；所述组合接触结构设置在增强型GaNHEMT器件的p‑GaN帽层的上部；所述欧姆接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层形成欧姆接触；所述肖特基接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层形成欧姆接触肖特基接触。本发明通过欧姆接触部提供足够的空穴，以消除“浮动p‑GaN”效应，通过肖特基接触部的设置减少欧姆接触的栅极漏电。
一种组合接触结构新型 gan hemt 器件

[发明专利]用于异质结器件的栅极堆叠体-CN201711242043.0有效
发明人：贾马尔·拉姆达尼 -专利权人：电力集成公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：第一欧姆接触和第二欧姆接触与第二有源层电连接。第一欧姆接触和第二欧姆接触在横向上间隔开，其中栅极设置在第一欧姆接触和第二欧姆接触之间。
用于异质结器件栅极堆叠

[实用新型]具有高崩溃电压的化合物半导体装置-CN201821958118.5有效
发明人：吴俊鹏;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于，衬底层；缓冲层，形成于所述衬底层上；主动层，形成于缓冲层上，所述主动层包括，源极欧姆接触区，形成于主动层的一侧边上；漏极欧姆接触区，形成于相对源极欧姆接触区的另一侧边，其中，漏极欧姆接触区是形成在主动层上的纵向突起部；栅极区，形成于所述源极欧姆接触区及所述漏极欧姆接触区之间的主动层上。
欧姆接触区主动层漏极源极化合物半导体装置高崩溃电压衬底层缓冲层崩溃电压纵向突起电场漏极端栅极区

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202180011241.4在审
发明人：大岛孝仁 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含：半导体膜，包含肖特基结区域和欧姆结区域；肖特基电极，配置在所述半导体膜的所述肖特基结区域上；以及欧姆电极，配置在所述欧姆结区域上，所述半导体装置的特征在于，所述半导体膜的肖特基结区域的位错密度比所述半导体膜的欧姆结区域的位错密度小
半导体装置制造方法

[发明专利]一种P型碳化硅欧姆接触结构-CN202111075841.5在审
发明人：徐洋喜 -专利权人：江苏芯唐微电子有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型碳化硅欧姆接触结构，涉及半导体技术领域，该P型碳化硅欧姆接触结构使用Ni/W/Al的金属结构，对于P型SiC器件而言，Ni/Al接触能够在800℃退火后形成欧姆接触，而W金属能够有效抑制欧姆接触形成期间，反应生成的碳团簇留在接触表面造成的接触电阻的问题，从而可以形成低电阻率的欧姆接触，有效提高SiC器件的热稳定性和可靠性。
一种碳化硅欧姆接触结构

[发明专利]一种P型碳化硅Cu/Ti/Al/Ni欧姆接触结构及制造方法-CN202210131876.4在审
发明人：曹菲;徐洋喜;包梦恬;王颖 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造领域，特别涉及一种P型碳化硅Cu/Ti/Al/Ni欧姆接触结构及制造方法。所述P型SiC/Cu/Ti/Al/Ni欧姆接触结构包括碳化硅衬底以及依次设置于所述碳化硅衬底表面的Cu金属层、Ti金属层、Al金属层、Ni金属层。相较于Ti/Al基体系，本发明P型SiC/Cu/Ti/Al/Ni欧姆接触结构用于防止金属Al发生氧化，又降低形成欧姆接触所需的P型SiC掺杂浓度，并形成较好的欧姆接触特性。
一种碳化硅 cu ti al ni 欧姆接触结构制造方法

[发明专利]一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法-CN200710178771.X有效
发明人：吴茹菲;张海英;尹军舰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法，该方法采用Pt/Ti/Au的金属材料组合作为p型砷化镓的欧姆接触金属，在375℃下将金属材料组合Pt/Ti/Au合金1分钟，形成p型砷化镓的欧姆接触。利用本发明，能够有效降低p型砷化镓欧姆接触的比接触电阻，将p型砷化镓欧姆接触的比接触电阻降低至5.9×10^-6Ω·cm²。
一种制备型砷化镓欧姆接触方法

[实用新型]一种用于晶振测试的欧姆校正装置-CN201720979542.7有效
发明人：单小荣;喻天雄;夏江华;徐先德;周光辉 -专利权人：随州泰华电子科技有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：一种用于晶振测试的欧姆校正装置，包括工作台和测试装置，所述测试装置位于工作台的上方，测试装置包括探针，所述工作台上放置有两个欧姆校正台，两个欧姆校正台上分别放置有零欧姆PCB板和五十欧姆PCB板，测试装置通过十字型导轨与工作台相连
一种用于测试欧姆校正装置

[发明专利]一种碳化硅欧姆接触及其制备方法-CN202110388444.7在审
发明人：薛梦谦;许恒宇;万彩萍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中碳化硅欧姆接触的金属或者合金层存在可重复性差、抗氧化能力弱、表面质量差等问题。本发明的方法在碳化硅衬底上形成碳化硅掺杂层；在碳化硅掺杂层表面通过磁控溅射或蒸发的方式依次沉积镍层、铝层和钛层，得到待处理碳化硅欧姆接触；对待处理碳化硅欧姆接触依次进行阶梯式的两次退火处理，得到碳化硅欧姆接触本发明的碳化硅欧姆接触及其制备方法可用于碳化硅器件。
一种碳化硅欧姆接触及其制备方法

[发明专利]欧姆接触的制备方法以及半导体器件-CN202211593451.1在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：上海隐光科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种欧姆接触的制备方法以及半导体器件，通过在晶圆的一面准备材质为碳化硅外延层的第一表面，采用激光照射第一表面，使得位于第一表面的碳化硅还原生成碳原子，在第一表面聚集形成石墨层，得到第一中间器件，去除第一中间器件的石墨层，以形成欧姆接触界面，得到第二中间器件，在第二中间器件的欧姆接触界面形成欧姆接触金属，以得到半导体器件。根据本申请实施例的欧姆接触的制备方法，提升了欧姆接触的性能。
欧姆接触制备方法以及半导体器件

[发明专利]一种薄膜晶体管及阵列基板-CN201510925800.9有效
发明人：孙涛 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管及阵列基板，该薄膜晶体管包括：栅极；栅极绝缘层，其形成在栅极上并覆盖栅极；有源层，其形成在栅极绝缘层上；第一材料层，其形成在有源层上；源/漏极，其形成在第一材料层上；其中，第一材料层包括：第一欧姆接触层、第二欧姆接触层以及高阻抗夹杂层，高阻抗夹杂层形成在第一欧姆接触层与第二欧姆接触层之间，其阻抗大于第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的阻抗。
一种薄膜晶体管阵列

[实用新型]海绵电阻测试仪以及海绵电阻测试治具-CN201520988514.2有效
发明人：邓联文;徐丽梅;吴娜娜 -专利权人：昆山汉品电子有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种海绵电阻测试仪以及海绵电阻测治具，包括机架，机架上设置有测试工作台，测试工作台包括下载体、上载体以及用于驱动上载体升降的升降杆，升降杆与上载体之间设置有压力传感器；还包括欧姆表，欧姆表的一个欧姆表探头与上载体相连，欧姆表的另一个欧姆表探头与下载体相连；将待检测的海绵放置在下载体上，升降杆驱动上载体下降将待检测的海绵夹持进行电阻的测量欧姆表对待检测的海绵进行检测。
海绵电阻测试仪以及测试

[实用新型]GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件-CN201820287073.7有效
发明人：崔玉兴;谭永亮;樊帆;毕胜赢;胡泽先;张力江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件欧姆接触电极，所述GaN晶圆的势垒层的上表面与源电极区和漏电极区对应的部分分别设有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层从下至上依次包括Ti金属层、Al金属层、Ta金属层、Mo金属层和Au金属层；所述欧姆接触金属层与所述势垒层形成欧姆接触；所述GaN晶圆从下至上依次包括衬底、GaN外延层和势垒层。本实用新型能够使欧姆接触金属层在高温退火工艺后金属表面平整、边缘光滑整齐，从而提高器件的稳定性和可靠性。
欧姆接触金属层金属层势垒层欧姆接触电极本实用新型晶圆半导体技术领域边缘光滑高温退火金属表面欧姆接触漏电极上表面源电极衬底平整整齐