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[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法-CN201410062345.X在审
发明人：毛雪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述方法包括：在衬底基板上形成有源层和欧姆接触层的过程；其中，形成所述有源层和欧姆接触层，具体为：在衬底基板上形成非晶硅层；采用离子注入法对所述非晶硅层至少在待形成欧姆接触层的区域进行杂质离子的注入，待形成的欧姆接触层的区域形成初始欧姆接触层；对杂质离子注入工艺后的非晶硅层进行准分子激光退火工艺；准分子激光退火工艺后的非晶硅层晶化为多晶硅层，初始欧姆接触层形成最终的欧姆接触层；对准分子激光退火工艺后的多晶硅层进行构图工艺，形成所述有源层。
一种低温多晶薄膜晶体管阵列及其制作方法

[发明专利]一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法-CN201510912092.5在审
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;姜伟;卓祥景;方天足;陈亮 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明工艺特点是：在制作第一型欧姆接触层时，采用不同三五族化合物外延生长形成至少两层第一型欧姆接触结构层；对各第一型欧姆接触结构层依次刻蚀，裸露出具有台阶状的第一型欧姆接触结构层；在步骤5）中第一电极分别与各第一型欧姆接触结构层连接。本发明通过在外延生长结构，设置不同材料的第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。
一种倒装蓝绿发光二极管芯片制备方法

[发明专利]一种提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性的结构及其方法-CN201911337706.6在审
发明人：刘扬;丘秋凌;李柳暗 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明为一种提高N极性面GaN欧姆接触性能的结构，所述结构包括GaN材料，覆盖于所述GaN材料的N极性面GaN的外延层(1)的TiN薄层(2)，以及覆盖于所述TiN薄层(2)的金属叠层(3)。本发明的有益效果在于，TiN薄层具有高熔点、低功函数等优点，在高温情况下能与N极性面GaN形成稳定的接触界面，有效抑制欧姆接触金属与N极性面GaN材料反应，可以使得欧姆金属层在保护性气体的氛围中进行退火后，不仅不会导致欧姆接触劣化，还能能够形成更好的欧姆接触特性。本发明提高了N极性面GaN的欧姆接触的热稳定性，降低了N极性面GaN欧姆接触的比接触电阻率，从而提高器件的整体性能。本发明工艺简单、重复性和可靠性较高。
一种提高极性 gan 欧姆接触热稳定性可靠性结构及其方法

[发明专利]一种低增益三维插入式SiC探测器芯片及其制备方法-CN202111248022.6在审
发明人：史欣;谭雨航;王聪聪;杨涛;张希媛;刘凯 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/0312 文献下载
摘要：本发明公开了一种低增益三维插入式SiC探测器芯片及其制备方法，包括：SiC衬底层；SiC衬底层中按预设布局垂直插设有N型欧姆接触层和P型欧姆接触层，SiC衬底层、P型欧姆接触层和N型欧姆接触层的上表面平齐；P型欧姆接触层的侧面与SiC衬底层之间设有增益层，SiC衬底层的顶部设有钝化层，P型欧姆接触层的顶部设有第一电极，N型欧姆接触层的顶部设有第二电极，第二电极与第一电极的极性相反。
一种增益三维插入 sic 探测器芯片及其制备方法

[发明专利]一种基于自组装掩膜技术的欧姆接触结构制备方法及器件-CN202111449064.6在审
发明人：刘志宏;李蔚然;周瑾;郭润霖;毛维;赵胜雷;邢伟川;杨伟涛;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于自组装掩膜技术的欧姆接触结构制备方法及器件，该方法包括：选取具有氮化镓异质结结构的晶圆；在晶圆表面淀积掩膜层，掩膜层包括自下而上依次层叠设置的介质掩膜层和金属掩膜层；进行快速热退火处理，以使金属掩膜层自发收缩团聚，形成若干纳米尺度孔洞；在晶圆上需要制备欧姆接触的区域，利用刻蚀工艺依次刻蚀掉纳米尺度孔洞下方的介质掩膜层、复合势垒层和部分沟道层，形成欧姆接触区；在欧姆接触区沉积欧姆接触金属，并对其进行快速热退火处理，使欧姆接触金属与二维电子气沟道形成欧姆接触结构。
一种基于组装膜技术欧姆接触结构制备方法器件

[发明专利]光电探测器结构的制备方法-CN202210910685.8在审
发明人：陈阳华;张永;单智发 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：光电探测器结构的制备方法包括：给定一衬底，在衬底上形成第一欧姆接触层；于第一欧姆接触层的表面形成绝缘层，并于绝缘层内形成开孔，开孔暴露出部分第一欧姆接触层的表面；采用外延生长工艺于开孔内形成依次叠置的过渡层、吸收层和本征欧姆接触层，过渡层的厚度小于开孔的深度，且过渡层的侧壁及吸收层的侧壁均与开孔的侧壁相接触；对本征欧姆接触层进行掺杂扩散，以形成掺杂的第二欧姆接触层。外延生长出的过渡层和吸收层的侧壁平整度可达到原子级，显著减低器件暗电流，提高器件灵敏度，降低侧壁漏电；过渡层、吸收层和本征欧姆接触层可以帮助消除漏电的发生。
光电探测器结构制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其的阴极结构-CN202110519068.0在审
发明人：洪志苍;饶睿恩 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其的阴极结构，该阴极结构包括形成在衬底下表面的欧姆接触层，阻隔金属层和表面金属层；所述欧姆接触层包括n个第一半导体接触金属层和n个第二半导体接触金属层，所述第一半导体接触金属层与所述第二半导体接触金属层交替设置，其中，1n≤10，n为正整数；所述欧姆接触层用于与所述衬底形成欧姆接触，所述阻隔金属层用于阻隔所述表面金属层中的金属粒子扩散至所述欧姆接触层中，所述表面金属层用于连接外部电极，该种阴极结构使得阴极结构与衬底形成欧姆接触时可提升界面金属融合，以减小欧姆接触效应形成的过程中对器件自身的性能与可靠性的影响。
一种半导体器件及其阴极结构

[发明专利]一种GaN异质结二极管器件及其制备方法-CN201410608662.7有效
发明人：裴轶;陈洪维 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层；位于所述沟道层上势垒层，所述势垒层与沟道层形成异质结构，并在异质结界面处形成二维电子气沟道；位于所述势垒层上的冒层；位于所述势垒层上方、所述冒层两侧的第一欧姆阳极和欧姆阴极，所述第一欧姆阳极与所述冒层接触；位于所述第一欧姆阳极和所述冒层上的第二欧姆阳极，所述第二欧姆阳极与所述冒层欧姆金属接触。
一种 gan 异质结二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种倒装结构的发光二极管芯片及其制备方法-CN201610044333.3有效
发明人：邢振远;李彤;王世俊;董耀尽 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：所述发光二极管芯片包括基板、以及依次层叠在基板上的P型电流扩展层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层、P型欧姆接触层和透明导电层，P型欧姆接触层和N型欧姆接触层为GaAs层，透明导电层为ITO层，P型欧姆接触层和N型欧姆接触层内设有若干延伸到N型电流扩展层的通孔。本发明利用ITO透明导电层实现电流扩展并将扩展后的电流通过欧姆接触层注入N型电流扩展层，使电流得以较好的扩展，电流密度分布均匀，发光效率和发光强度提高。
一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种带光电隔离粗化层的发光二极管的制备方法-CN201810665062.2有效
发明人：汤福国;闫宝华;彭璐;李晓明;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种带光电隔离粗化层的发光二极管及其制备方法,在衬底上自下而上依次设置缓冲层、第一型半导体层、有源区、第二型半导体层、窗口层、欧姆接触层、晶格匹配层以及粗化层，所述晶格匹配层与粗化层内设置有凹槽，欧姆接触金属层设置于凹槽内且与欧姆接触层相连通，欧姆接触金属层上端设置有第二电极，所述衬底上设置有与第二电极导通的第一电极。在粗化层下方的欧姆接触层制备欧姆接触。电流可以通过欧姆接触层的金属进入有源区，光从粗化层出射。粗化层兼职为作为光电隔离层，可以有效的提高光提取效率。
一种光电隔离粗化层发光二极管制备方法

[发明专利]一种降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法-CN201510457150.X有效
发明人：周建军;孔岑;郁鑫鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明是一种降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，包括1）GaN异质结材料上生长Si3N4和SiO2复合介质层；2）欧姆区域薄层Ni蒸发剥离；3）Ni金属纳米团制作及SiO2介质层刻蚀；4）光刻胶掩模层制作；5）氧等离子刻蚀光刻胶掩模层；6）Si3N4和SiO2复合介质层的刻蚀；7）GaN异质结微孔制作；8）蒸发/剥离/退火形成欧姆接触。本发明解决了GaN欧姆接触接触电阻率高，金属形貌差的问题，具有（1）可降低欧姆合金温度，改善欧姆金属表面及边缘形貌；（2）微通道的尺寸通过纳米点来控制，尺寸可以达到纳米级，无须采用电子束工艺制备，工艺耗时少；（3）可获得低欧姆接触电阻的优点。
一种降低 gan hemt 器件欧姆接触电阻方法

[发明专利]碳化硅温度传感器及其制造方法-CN201210580213.7有效
发明人：张林;李演明;邱彦章;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅温度传感器及其制造方法，其传感器包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部设有圆形肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设有圆环形N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间以及欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设有二氧化硅层；其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极，七、热退火。
碳化硅温度传感器及其制造方法

[发明专利]半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法-CN200810018341.6有效
发明人：郭辉;程萍;张玉明;张义门;廖宇龙 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡层；在GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡层上确定欧姆接触区域，并对欧姆接触区域之间的GaN重掺杂或SiC∶Ge过渡层区进行KOH刻蚀，使该沟道区的SiC衬底为Si面；在欧姆接触区域上和所述沟道区的Si面上，淀积一层高介电常数的SiN材料；刻蚀掉欧姆接触区域上的SiN材料，并在该区域淀积金属，引出电极。本发明具有比接触电阻和方块电阻低，使用寿命长的优点，可用于对半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作。
绝缘 sic 半导体器件欧姆接触制作方法

[发明专利]一种5G用高隔离30dB耦合片-CN201911166882.8有效
发明人：陈建良 -专利权人：苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：用高隔离30dB耦合片，包括基板，在所述基板背面印刷背面银浆，在所述基板正面印刷银浆主带线和银浆耦合线，所述基板上还设有输入端口、输出端口、耦合端口和端接地，所述银浆耦合线靠近所述耦合端口一侧设有320欧姆电阻，所述银浆耦合线远离所述耦合端口一侧并联设有260欧姆电阻和26欧姆电阻，所述端接地连接所述背面银浆以及所述320欧姆电阻、所述260欧姆电阻和所述26欧姆电阻，且所述26欧姆电阻与所述端接地之间通过长接地线连接
一种隔离 30 db 耦合

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN202110351783.8有效
发明人：周志;杨美佳;李森林;章旋;黄庆;毕京锋 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：第一半导体层；有源层，位于第一半导体层上；第二半导体层，位于有源层上；绝缘介质层，位于第二半导体层上；以及多个欧姆接触结构，覆盖绝缘介质层的部分表面，各欧姆接触结构经绝缘介质层的表面延伸至第二半导体层中，各欧姆接触结构与第二半导体层形成欧姆接触。该发光二极管通过将欧姆接触结构与第二半导体层的欧姆接触面纵向延伸至第二半导体层的内部，从而提高欧姆接触面的面积，降低了发光二极管的导通电阻，进而达到了降低电压、降低能耗的目的。
发光二极管及其制造方法