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[发明专利]一种仿生肖特基结纳米药物及其制备方法与应用-CN202210021216.0有效
发明人：高大威;郝紫泞;杨晓玉;刘世琦 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： A61K9/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种仿生肖特基结纳米药物及其制备方法与应用。本发明仿生肖特基结纳米药物，包括如下之一的组成：(1)肖特基结型光催化剂；(2)肖特基结型光催化剂和免疫细胞膜，所述肖特基结型光催化剂包覆于所述免疫细胞膜中；(3)肖特基结型光催化剂和蛋白酶；(4)肖特基结型光催化剂、蛋白酶和免疫细胞膜，所述肖特基结型光催化剂和蛋白酶包覆于所述免疫细胞膜中。本发明建立了一种基于光催化和酶解性能的仿生肖特基结纳米药物，可以同时降低肿瘤间质液体压力(TIFP)和肿瘤间质固体压力(TISP)，实现药物的高效瘤内递送，同时实现光热治疗和化疗的协同效果。
一种生肖特基结纳米药物及其制备方法应用

[发明专利]肖特基型结型器件、使用其的光电转换器件和太阳能电池-CN201080014132.X有效
发明人：松木伸行;色川芳宏;伊高健治;鲤沼秀臣;角谷正友 -专利权人：独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：无机半导体(3)和有机导体(4)结合而具有肖特基结的肖特基型结型器件(1)。太阳能电池使用该肖特基型结型器件(1)，光电转换部含有肖特基结。光电转换器件使用该肖特基型结型器件(1)，进行光和电相互转换的转换部含有肖特基结。
肖特基型结型器件使用光电转换太阳能电池

[发明专利]多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202210421871.5在审
发明人：张益鸣;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请适用于微电子技术领域，提供了一种多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法，多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管中的N型外延层设在衬底层上，N型外延层上设有多个PN结沟槽，多个PN结沟槽沿横向间隔设置，相邻的两PN结沟槽之间设有多个肖特基沟槽，多个肖特基沟槽沿横向间隔设置，每个PN结沟槽的下方设有一个P型区，肖特基金属层设在N型外延层上，肖特基金属层上设有多个与PN结沟槽适配的第一凸起和多个与肖特基沟槽适配的第二凸起，每个第一凸起位于对应PN结沟槽中，每个第二凸起位于对应肖特基沟槽中。本申请的多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管，可解决目前碳化硅结势垒肖特基二极管无法有效提升电流密度的问题。
沟槽碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种集成沟槽肖特基的MOSFET-CN201610490386.8在审
发明人：李泽宏;李爽;陈文梅;陈哲;曹晓峰;李家驹;罗蕾;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，特别涉及一种集成沟槽肖特基的MOSFET。本发明的集成沟槽肖特基的MOSFET为在MOSFET中集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，肖特基结具有位于表面的平面肖特基结及体内的槽型肖特基结，在占用相同的芯片面积的条件下，增加了肖特基结的面积在槽型肖特基结的下方还设有多个P型重掺杂环，体二极管导通时，较低电压时，肖特基二极管开启，形成导电通路；电压增大时，超过0.5V，则槽型肖特基结下的P型重掺杂环向N型漂移区内注入少子，减小肖特基结正向导通压降本发明的方法，可降低MOSFET的体二极管导通损耗，同时，P型减小肖特基二极管的反向漏电。
一种集成沟槽肖特基 mosfet

[发明专利]一种双场调控的肖特基结-CN201811490966.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：金华伏安光电科技有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及一种双场调控的肖特基结，包括N型半导体，以及与N型半导体相连的金属体，所述N型半导体的表面设置有等间隔排列的不同高度的金属条；该双场调控的肖特基结，解决现有的肖特基结在调控肖特基势垒的方式方面，比较单一，这极大的限制了肖特基结的功能应用的问题，通过改变N型半导体的局部温度，从而使得N型半导体形成一个温度梯度，使得N型半导体内部的载流子发生定向移动，从而形成一个微电流，达到调控肖特基结的肖特基势垒的目的
肖特基结调控肖特基势垒载流子等间隔排列表面设置定向移动功能应用温度梯度金属体金属条微电流

[发明专利]碳化硅肖特基二极管的制造方法-CN202210383922.X有效
发明人：张益鸣;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种碳化硅肖特基二极管的制造方法，属于半导体技术领域，通过包括外延层和肖特基金属层；外延层上设有依次排列的多个P型区；每两个P型区之间设置有第一凹槽；在外延层上表面和第一凹槽中沉积有肖特基金属层；由于第一凹槽中沉积的所述肖特基金属层与所述外延层形成肖特基结，而第一凹槽使得肖特基结的表面积增大，在较小的PN结间距上，实现更大的肖特基结的占比，故减小了正向压降；同时，所述P型区与外延层形成PN结，两个PN结形成夹断电场，使得肖特基结处的电场减弱，故减小了漏电流
碳化硅肖特基二极管制造方法

[实用新型]一种沟槽肖特基管结构及半导体器件-CN201520461970.1有效
发明人：余强;张小辛;郑晨焱 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种沟槽肖特基管结构及半导体器件，所述沟槽肖特基管结构至少包括：分区域制备于外延片表层的第一沟槽型肖特基结构和第二沟槽型肖特基结构；其中，所述第一沟槽型肖特基结构包括岛状肖特基结阵列及围绕于各岛状肖特基结周围的连续网状沟槽单元；所述第二沟槽型肖特基结构包括分离沟槽单元阵列及围绕于各分离沟槽单元周围的连续网状肖特基结。本实用新型的沟槽肖特基管结构降低了沟槽总面积，使得沟槽型功率肖特基器件的有效面积增加，同时具有高反向击穿电压，低正向压降和高电流通过能力。
一种沟槽肖特基管结构半导体器件

[发明专利]一种结型势垒肖特基二极管-CN201910459154.X在审
发明人：宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;范鑫;何晓宁 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种结型势垒肖特基二极管，包括N‑外延层；P型离子注入区，位述N‑外延层中，P型离子注入区的深度从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心逐渐减小；第一金属层，位于N‑外延层的上表面，且每个P型离子注入区与第一金属层的交界面形成一个第一肖特基接触区，相邻若干P型离子注入区之间的N‑外延层与第一金属层的交界面形成第二肖特基接触区，第二肖特基接触区的肖特基接触面积从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心逐渐减小。本发明的结型势垒肖特基二极管可以减小漏电流，减小结型势垒肖特基二极管的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生，提高了结型势垒肖特基二极管的可靠性。
肖特基二极管势垒结型肖特基接触外延层第一金属层逐渐减小交界面减小有效抑制电迁移漏电流上表面温度差

[实用新型]集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件-CN202220117251.8有效
发明人：于霄恬 -专利权人：海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，用以解决现有的结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞，在共同占用器件的有源区部分时存在冲突的技术问题。器件包括：外延层与在外延层的第一侧表面分布的复合元胞；复合元胞包括：阱区、源极区域、第一高掺杂P型区域及结势垒肖特基区域；结势垒肖特基区域包含肖特基区域以及第二高掺杂P型区域；阱区环绕区域形成结型场效应管JFET区域；阱区与外延层间形成第一PN结，与源极区域间形成第二PN结，第二高掺杂P型区域与外延层间形成第三PN结；JFET区域与肖特基区域的宽度的取值范围均在相同的预设区间。本申请通过上述器件解决了结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞，在共同占用器件的有源区部分时存在冲突的问题。
集成结势垒肖特基二极管平面功率 mosfet 器件

[发明专利]SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN201110380662.2有效
发明人：白云;申华军;汤益丹;李博;周静涛;杨成樾;刘焕明;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供SiC结势垒肖特基二极管，包括肖特基金属下的P型区，所述肖特基金属下的P型区分别由P+-SiC和P--SiC两个区域构成；所述SiC结势垒肖特基二极管的结终端延伸区域由P--SiC区构成。本发明还提供SiC结势垒肖特基二极管的制作方法。本发明提供的SiC结势垒肖特基二极管的制作方法降低了工艺的复杂度，减小了两次或多次Al离子注入工艺引入不利影响因素的可能性。
sic 结势垒肖特基二极管及其制作方法

[实用新型]一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件-CN202220117141.1有效
发明人：于霄恬 -专利权人：海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，属于半导体制造领域，用于解决在MOSFET器件的外部并联肖特基二极管的方式导致集成了MOSFET器件的芯片尺寸增大、制作成本增多的技术问题。器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的复合元胞；复合元胞包括阱区、源极区域第一高掺杂P型区域以及结势垒肖特基区域；结势垒肖特基区域包括多层环状高掺杂P型区域，以及每层环状高掺杂P型区域之间形成的肖特基区域；结势垒肖特基区域环绕阱区，源极区域位于阱区内部，源极区域环绕第一高掺杂P型区域；每四个结势垒肖特基区域之间具有一个第二高掺杂P型区域，尺寸为[0μm～20μm]；所述第二高掺杂P型区域的离子掺杂浓度与所述第一高掺杂P型区域的离子掺杂浓度相同。
一种集成结势垒肖特基 mosfet 器件

[发明专利]一种具有改进型P柱的超结肖特基二极管及制备方法-CN202311008130.5在审
发明人：吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有改进型P柱的超结肖特基二极管及制备方法，该超结肖特基二极管包括：P型掺杂层；所述P型掺杂层位于P柱和N‑漂移层之间；所述P型掺杂层与所述N‑漂移层的接触面与超结肖特基二极管的中轴线的夹角大小为本发明通过在传统的超结肖特基二极管中的P柱的不平滑的边缘掺杂一层P型材料，使P柱的边缘变得平滑，P型掺杂层的存在能够使电荷平衡得到优化的同时还具有很高的耐压能力和较低的导通电阻，使超结肖特基二极管的性能大大增强
一种具有改进型超结肖特基二极管制备方法

[发明专利]肖特基半导体装置-CN201710268697.4在审
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2017-04-23 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明肖特基半导体装置，在漂移区中设置MIS结构或反型区，形成外接第二电极，通过独立外接电极引入电势，以此调节肖特基势垒结反向偏压下电场，降低肖特基势垒结反向漏电流；对于第二电极，肖特基势垒结正向偏压下，对外接电势不作要求，可以为浮空，可以外接电势，可以保持外接电势为固定值即是保持肖特基势垒结反偏状态下电势大小。本发明肖特基半导体装置通过上述自身多个串连或者与PN结肖特基结整流器件串连，可以实现串连结构的低势垒高反向阻断特性的整流器件。
电势肖特基势垒结半导体装置肖特基外接第二电极整流器件串连反向漏电流电场串连结构反向偏压反向阻断外接电极肖特基结正向偏压低势垒反型区漂移区反偏浮空引入

[发明专利]超级结肖特基二极管与其制作方法-CN201810032255.4有效
发明人：董升旭;白云;田晓丽;汤益丹;杨成樾;陈宏;王臻星;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种超级结肖特基二极管与其制作方法。该超级结肖特基二极管包括：N+型衬底；N型外延层，设置在N+型衬底的表面上，N型外延层中具有依次叠置设置的P区和P+区，P+区的远离P区的表面为N型外延层的部分表面；正面金属层，设置在N型外延层的远离N+型衬底的至少部分表面上，以使正面金属层与N型外延层形成肖特基结。该超级结肖特基二极管的反向击穿电压较大，能够应用于高压领域中。
超级结肖特基二极管与其制作方法

[实用新型]一种碳化硅肖特基二极管器件-CN202321111554.X有效
发明人：童彤;刘韵吉;乔纳森·莫尔特;杨敏红 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种碳化硅肖特基二极管器件，包括基底和N‑外延层，在N‑外延层上分布PN结；功率SiC型肖特基二极管(SBD)是多单胞结构并联结构，每个单胞均为PN结，PN结分别为肖特基金属区和欧姆接触金属区，欧姆接触金属区、肖特基金属区分别有其面积；肖特基金属区：PN结欧姆接触金属区面积比即SBD:PiN＝3.0:3.25。
一种碳化硅肖特基二极管器件

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