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[发明专利]空穴型半导体异质结霍尔棒、其制备和使用方法及用途-CN201710498740.6有效
发明人：李海欧;袁龙;王柯;曹刚;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N52/01 文献下载
摘要：其包含非掺杂GaAs/AlGaAs异质结基片，其由下到上依次包括非掺杂GaAs衬底、非掺杂AlGaAs层和表面非掺杂GaAs盖帽层；第一至第五欧姆接触电极，均依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层和非掺杂AlGaAs层，进入所述非掺杂GaAs衬底至少5nm，第三、第五欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线垂直；第二、第三欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线平行；绝缘层，其覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层、第一至第五欧姆接触电极；顶栅极，其设置在所述绝缘层上，并且其水平投影与第一至第五欧姆接触电极均有交叠。
空穴半导体异质结霍尔制备使用方法用途

[发明专利]一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片及方法-CN201010285857.4无效
发明人：冯士维;乔彦彬;郭春生;张光沉;邓海涛 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片及方法属于半导体技术，特别是半导体器件失效评估领域。本发明提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片，其特征在于：在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO2绝缘介质层，在CTLM欧姆接触测试芯片的另一面有利用金属镀膜工艺制备的背电极本发明测量芯片和方法不但可以测量半导体芯片欧姆接触电阻率随施加电流的变化关系以及随施加电流时间的关系，同时测量芯片可以满足大电流冲击要求。因此，使用本发明芯片和方法能更为准确有效的评估欧姆接触。
一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片方法

[发明专利]具有纳米结构插入层的GaN基LED-CN201010183393.6无效
发明人：朱继红;张书明;朱建军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中包括：一衬底；一纳米结构模板，该纳米结构模板外延生长在衬底上，该纳米结构模板的表面为凹凸形状；一插入层，该插入层外延生长在纳米结构模板的表面上；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层外延生长在插入层上，该欧姆接触层上面的一侧形成有一台面；一有源层，该有源层外延生长在N型欧姆接触层的台面的另一侧上；一P型层，P型层外延生长在有源层上；一透明电极层，该透明电极层制作在P型层上；一P压焊电极，该压焊电极通过光刻制作在透明电极上；一N欧姆接触电极，该欧姆接触电极22制作在N型欧姆接触层的台面上。
具有纳米结构插入 gan led

[发明专利]10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法-CN201010171382.6无效
发明人：刘小宇;马文全;张艳华;种明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，包括如下步骤：(A)将一衬底烘干、脱氧，以其作为量子阱红外探测器的承载体；(B)利用外延设备在衬底上依次生长N型掺杂的下欧姆接触层、量子阱层，以及N型掺杂的上欧姆接触层；(C)采用光刻及湿法刻蚀技术，将量子阱层及上欧姆接触层的一侧刻蚀，使下欧姆接触层的一侧形成一台面；(D)采用机械抛光的方法，将衬底及下欧姆接触层远离台面的一侧抛成45°抛角，形成入射光窗口；(E)烘干；(F)在上欧姆接触层的表面压焊第一n型电极；(G)在下欧姆接触层一侧形成的台面上压焊第二n型电极。
10 14 微米同时响应量子红外探测器及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201110050229.2无效
发明人：井腰文智;山际优人;桥诘真吾;柳原学;上本康裕 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：半导体装置(100)包括电流驱动型的半导体元件(3)、控制半导体元件的栅极驱动电路(11)及连接端子部，半导体元件具有：栅极电极焊盘(1)，形成在氮化物半导体层的层叠体上；欧姆电极焊盘(2)及(5)，连接端子部具有：与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(6)；与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(10)；与欧姆电极焊盘连接的栅极驱动用端子(7)；与栅极电极焊盘连接的栅极端子(8)，栅极驱动电路的输入端子与栅极驱动用端子连接，栅极驱动电路的输出端子与栅极端子连接，将栅极驱动电路的基准电位作为欧姆电极焊盘的电位。
半导体装置

[实用新型]平板太阳能集热器欧姆管板导热结构-CN201420461914.3有效
发明人：刘立勇 -专利权人：刘立勇
申请日： 2014-08-16 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： F24J2/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种平板太阳能集热器欧姆管板导热结构，该结构主要由太阳能集热板、介质流道以及固定介质流道的欧姆导热环组成，欧姆导热环为“Ω”型，主要由弧形环和两侧翼组成，弧形环的内径等于介质流道的外径；介质流道卡箍在欧姆导热环内，欧姆导热环两侧翼与太阳能集热板焊接在一起。欧姆导热环可以采用铝质材料，导热效率高，而且具有一定的弹性，制作安装非常方便；由于欧姆导热环为单根焊接，可适用多种结构的平板太阳能集热器。
平板太阳能集热器欧姆导热结构

[实用新型]一种横向沟槽结构的同位素电池-CN201520912516.3有效
发明人：谷文萍;高攀;张赞;张林 -专利权人：长安大学
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：方便实现，本实用新型采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区，P型SiC欧姆接触掺杂区的上部设置有P型欧姆接触电极。
一种横向沟槽结构同位素电池

[实用新型]空穴型半导体异质结霍尔棒-CN201720754071.X有效
发明人：李海欧;袁龙;王柯;曹刚;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：其包含非掺杂GaAs/AlGaAs异质结基片，其由下到上依次包括非掺杂GaAs衬底、非掺杂AlGaAs层和表面非掺杂GaAs盖帽层；第一至第五欧姆接触电极，均依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层和非掺杂AlGaAs层，进入非掺杂GaAs衬底至少5nm，第三、第五欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线垂直；第二、第三欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线平行；绝缘层，其覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层、第一至第五欧姆接触电极；顶栅极，其设置在绝缘层上，并且其水平投影与第一至第五欧姆接触电极均有交叠。
空穴半导体异质结霍尔

[实用新型]一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片-CN201020535684.2无效
发明人：冯士维;乔彦彬;郭春生;张光沉;邓海涛 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片属于半导体技术，特别是半导体器件失效评估领域。本实用新型提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片，其特征在于：在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO2绝缘介质层，在CTLM欧姆接触测试芯片的另一面有利用金属镀膜工艺制备的背电极本实用新型测量芯片不但可以测量半导体芯片欧姆接触电阻率随施加电流的变化关系以及随施加电流时间的关系，同时测量芯片可以满足大电流冲击要求。因此，使用本实用新型芯片能更为准确有效的评估欧姆接触。
一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片

[发明专利]采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法-CN201510784821.3在审
发明人：张林;谷文萍;胡笑钏;张赞 -专利权人：长安大学
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：外延层、P型SiC外延层和第二N型SiC外延层，第二N型SiC外延层上开设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，沟槽底部延伸至P型SiC外延层，若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极与P型SiC外延层接触。
采用放射源碳化硅 pin 结构同位素电池及其制造方法

[发明专利]P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法-CN201610496818.6在审
发明人：张林;张赞;朱玮;高恬溪 -专利权人：长安大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型电流增强层，P型电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层的上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部均接触，所述N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极包括依次沉积的Ni层、Cr
沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法

[发明专利]N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法-CN201610497794.6在审
发明人：张林;张赞;高恬溪;朱玮 -专利权人：长安大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，所述N型SiC电流增强层上刻蚀形成若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触层相同，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部相接触，所述P型欧姆接触电极包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述N型欧姆接触电极包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极包括依次沉积的
沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、液晶显示面板及薄膜晶体管的制备方法-CN201610141481.7在审
发明人：胡小波 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括：基板及设置在基板同侧的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极、沟道层、第一、第二欧姆接触层、钝化层及像素电极，栅极设置在基板的表面，栅极绝缘层覆盖栅极，源极、漏极、沟道层、第一及第二欧姆接触层设置在栅极绝缘层上，源极与漏极间隔设置，沟道层设置在源极与漏极之间且沟道层对应栅极设置，第一欧姆接触层设置在源极与沟道层之间且第一欧姆接触层相对的两端分别与源极及沟道层接触，第二欧姆接触层设置在漏极与沟道层之间且第二欧姆接触层相对的两端分别与漏极及沟道层接触，第一欧姆接触层、第二欧姆接触层及沟道层位于同一层，其中，沟道层为金属氧化物层。
薄膜晶体管液晶显示面板制备方法

[发明专利]一种高效VCSEL芯片及其制造方法-CN201910523158.X在审
发明人：窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种高效VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片包括散热层、外延片，散热层包括多层Cu层，散热层的底层成型有若干散热孔，外延片包括N‑DBR、量子阱、氧化层、P‑DBR和第一欧姆接触层，外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N‑contact，第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层，第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔，欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层，第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上，第二欧姆接触层与散热层连接。
欧姆接触层散热层外延片欧姆接触孔散热孔蚀刻制造饱和电流电流集中功率效率激光芯片散热能力斜率效率倒T字形生长量子阱氧化层多层横模填充成型背离芯片覆盖

[发明专利]一种拼接类磁钢的多层绝缘电阻快速检测装置-CN202111542984.2在审
发明人：李钊;周梦 -专利权人：宁波韵升股份有限公司;宁波韵升磁体元件技术有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：包括机械定位系统和电路测试系统，机械定位系统包括电控箱、气缸、探针定位块、气缸定位块以及n个探针，电控箱上设置有测量位置，当拼接类磁钢放置在测量位置时，n个探针与n片磁钢一一对应接触，电路测试系统包括PLC、第一欧姆表、第二欧姆表和六个开关，六个开关对应连接在第一欧姆表和第二欧姆表的正极和负极，n个探针与六个开关之间分别再通过开关连接，通过PLC控制与两片磁钢接触的两个探针与第一欧姆表和第二欧姆表之间的开关闭合，即可通过第一欧姆表和第二欧姆表的读数得到绝缘电阻
一种拼接磁钢多层绝缘电阻快速检测装置