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[发明专利]一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法-CN202110845340.4有效
发明人：赵军;游顺青;陈锋 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明属于半导体激光器端面镀膜技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法，包括如下步骤：1）对待镀膜的芯片进行Bar条解理，夹条，并快速放进蒸发镀膜设备内，抽真空；2）对芯片的出光腔面进行离子源预清洗处理；3）在芯片的出光腔面上镀高增透膜系，高增透膜系至少包括第一Al层和第一AlOX层；具体是先镀Al层，然后利用离子源通入O2进行氧化处理；4）对芯片的背光腔面进行离子源预清洗处理；5）在芯片的背光腔面上镀高反膜系，反膜系至少包括第二Al层和第二AlOX层；先镀Al层，然后利用离子源通入O2进行氧化处理。本发明在芯片前后腔面镀Al层并进行部分氧化，达到保护激光半导体腔面的效果，进而避免腔面因氧化造成的可靠性问题。
一种半导体激光器芯片镀膜方法

[发明专利]一种基于选区外延技术的双波长VCSEL结构及其制备方法-CN202110826665.8有效
发明人：程成 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于选区外延技术的双波长VCSEL结构及其制备方法，该双波长VCSEL结构通过在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、N型布拉格反射镜层作为初始外延片；在所述初始外延片上采用选区外延技术依次外延量子阱、过渡P型布拉格反射镜层、P型GaAs光栅制备层，选区外延技术改变量子阱材料带隙波长，实现VCSEL双波长激射，针对不同带隙波长区域制备台面，台面制备完成后进行氧化工艺；并利用电子束曝光技术，分别针对两种不同带隙波长量子阱在P型GaAs光栅制备层上制备高对比度光栅(HCG)，形成高反射率反射镜代替传统的P型DBR结构，不但避免了选区外延多层DBR结构，降低了外延难度，而且可以针对不同激射波长灵活设计反射率，提高了工艺灵活性及可行性。
一种基于选区外延技术波长 vcsel 结构及其制备方法

[发明专利]一种非氧化工艺薄膜VCSEL光源结构的制备方法-CN202110452240.5有效
发明人：程成 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及纳米级VCSEL器件制备技术领域，提供了一种非氧化工艺薄膜VCSEL光源结构的制备方法，包括如下步骤：S1，生长不含氧化层的外延片；S2，于所述外延片上制备掩膜，然后进行刻蚀得到待继续加工的薄膜VCSEL；S3，对所述S2步骤中得到的薄膜VCSEL的侧壁刻蚀损伤进行修复，并将修复后的薄膜VCSEL剥离下来；S4，将剥离下来的薄膜VCSEL转移至绝缘衬底层，接着制备薄膜VCSEL的P型电极接触窗口和N型电极接触窗口；S5，于所述P型电极接触窗口和所述N型电极接触窗口上分别制备P型电极和N型电极，以完成非氧化工艺薄膜VCSEL光源结构的制备。本发明采用非对称电流注入孔径设计，薄膜长边的散射损耗恒小于短轴散射损耗，出射的偏振光通过散射损耗的选择作用以长边为主。
一种氧化工艺薄膜 vcsel 光源结构制备方法

[发明专利]一种提高异机光刻混合作业对位精度的方法-CN202110101373.8有效
发明人：赵亮;吴继清;许海明 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高异机光刻混合作业对位精度的方法，包括如下步骤：根据步进光刻机的曝光场个数以及每个曝光场中的对位标记图形，设计制作包含有步进光刻机对位标记和接触式/接近式光刻机对位标记的光刻版，用此光刻版在产品上面制作标记图形，即可实现步进光刻机和接触式/接近式光刻机之间的任意混合作业，再对步进光刻机的比例量、正交量、旋转量、偏移量进行测量计算并对应补偿，保证各层光刻图形与对位标记对准，便能很大程度上提高异机光刻对位精度。
一种提高光刻混合作业对位精度方法

[发明专利]一种纳米柱VCSEL光源结构及其制备方法-CN202110119745.X有效
发明人：程成;肖黎明 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米柱VCSEL光源结构及其制备方法，纳米柱VCSEL光源结构包括绝缘衬底以及纳米柱VCSEL，纳米柱VCSEL的一端设有N型布拉格反射镜层，纳米柱VCSEL的另一端设有P型布拉格反射镜层，N型布拉格反射镜层与P型布拉格反射镜层之间设有量子阱，纳米柱VCSEL设置在绝缘衬底上，绝缘衬底、纳米柱VCSEL上覆盖有钝化保护层，将纳米柱VCSEL固定在绝缘衬底上，纳米柱VCSEL的N型布拉格反射镜层上制作有N型电极，纳米柱VCSEL的P型布拉格反射镜层上制作有P型电极。本发明具有结构简单、极低阈值电流密度、高光电转换效率，低能耗等优点，为未来纳米光学器件的设计与单芯片光集成，微纳激光光源制备提供了新的思路。
一种纳米 vcsel 光源结构及其制备方法

[发明专利]一种光通信芯片欧姆接触电极的制作方法-CN202110121320.2有效
发明人：赵亮;葛婷;尹建峰 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种光通信芯片欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：在光通信芯片P面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述P面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行P面合金化退火，P面合金化退火温度为T1；在光通信芯片N面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述N面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行N面合金化退火，N面合金化退火温度为T2；上述P面合金化退火温度T1高于上述N面合金化退火温度T2。采用本发明的欧姆接触电极制作工艺可以得到工艺稳定、接触电阻低的欧姆接触电极，且匹配了解理切割工艺，最终获得了性能稳定、芯片外观优良、成品率高的光通信芯片。
一种光通信芯片欧姆接触电极制作方法

[实用新型]一种用于半导体激光巴条显微观察的固定装置和检测系统-CN202123225880.7有效
发明人：邱城 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于半导体激光巴条显微观察的固定装置和检测系统，包括：基座，基座具有第一安装平面，垂直于第一安装平面的第二安装平面和第三安装平面，以及与第一安装平面平行的第一限位平面；限位凸台，自第一限位平面向远离第一安装平面的方向延伸，限位凸台具有一平行于第二安装平面且垂直于第一限位平面的第二限位平面；吸附孔，开设在第一限位平面上，且距离第二限位平面较距离限位凸台与第二限位平面相对的一侧面近，半导体激光巴条设置在限位凸台的一侧，且位于第一限位平面开设有吸附孔的区域上，限位凸台距离第一限位平面的高度小于半导体激光巴条与第一限位平面相平行的两个面之间的间距；以及，真空通道，与吸附孔连通。
一种用于半导体激光显微观察固定装置检测系统

[实用新型]一种可监控针压克重的探针组件-CN202122975861.X有效
发明人：任泽霞;陈锋 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件生产制造技术领域，具体涉及一种可监控针压克重的探针组件，包括探针座、连接器、称重传感器以及固定架；所述探针座的一端设有用于固定探针的沟槽，另一端通过所述连接器与所述称重传感器的一端连接；所述沟槽靠近所述连接器的一侧设有用于固定针柄的第一螺丝；所述称重传感器的另一端与固定架的底部连接，所述固定架的顶部固定于探针台上。本实用新型将探针固定在探针座上，并将探针座通过连接器与称重传感器的一端连接，可实时监控针压克重；并通过探针座顶面的斜角及探针长度匹配下压角度，可直接安插直针，具有更换探针方便、调节角度方便的优点，解决了普通探针座换针困难的确点。
一种监控针压克重探针组件

[实用新型]半导体激光器及其增透膜以及半导体激光器的镀膜装置-CN202120045690.8有效
发明人：赵军;陈锋;游顺青;许海明 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体激光器及其增透膜以及半导体激光器的镀膜装置，半导体激光器的增透膜包括镀在半导体激光器端面的单层SIO膜层。本实用新型的增透膜，利用SIO膜层比较好的膜层形貌，良好的致密性，镀膜过程中的离子源辅助镀膜，保障膜层与芯片之间的良好附着力，以及通过镀膜前预处理，使激光器Bar条端面得到一个比较好的清洗作用，进而对产品最终可靠性得到提高；同时，使用单层SIO膜层，使膜层折射率，厚度更加可控，增加不同炉次之间稳定性，减少多层膜之间存在的膜层间隙，进一步对产品的稳定性和可靠性能力得到了提高。
半导体激光器及其增透膜以及镀膜装置

[发明专利]通信激光器半导体芯片及其制作方法-CN202110559363.9有效
发明人：游顺青;许海明 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明涉及通信芯片半导体技术领域，提供了一种通信激光器半导体芯片的制作方法，包括如下步骤：S1，将待端面镀膜的晶圆进行解条夹条得到Bar条，并进行处理；S2，处理完后在待镀Bar条的出光腔面依次镀三层高透过膜系，三层所述高透过膜系分别为第一Si膜、第一SiO膜以及第一SiO2：H膜；S3，在完成出光腔面的镀膜后，接着对待镀Bar条的背光腔面依次镀四层高反射膜系，三层高反射膜系分别为第二SiO膜、第二Si膜、第二SiO2：H膜以及第三Si膜。还提供一种通信激光器半导体芯片，由上述的通信激光器半导体芯片的制作方法制得。本发明端面膜系采用纯Si系多层膜能有效提升膜层间的晶格匹配度，减少因晶格失配比高造成的激子、缺陷和晶格振动进而影响光吸收系数。
通信激光器半导体芯片及其制作方法

[发明专利]一种高速DFB激光器的制作方法-CN202011147542.3有效
发明人：张恩;刘建军;许海明;李紫谦;黄鹤 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种高速DFB激光器的制作方法，包括如下步骤：1）在N型InP衬底上依次生长第一N型InP层、N型光栅层、第一本征InP层、本征InGaAsP层、第二本征InP层；2）光刻形成光波导区和非光波导区，将非光波导区的第一本征InP层、本征InGaAsP层、第二本征InP层腐蚀掉；3）在非光波导区制作光栅；4）对外延片先进行低温热处理，再进行高温热处理；接着依次生长第二N型InP层、AlGaInAs多量子阱、第一P型InP层、P型InGaAsP停止层、第二P型InP层、P型InGaAs接触层；5）光刻形成脊形波导；6）进行脊条注电区套刻光刻；7）在脊条两侧形成BCB区域；8）光刻形成P面电极；9）N面电极制作。本发明中芯片尺寸与2.5G DFB产品相当，还能消除含Al材料的氧化，显著提高高速DFB的可靠性。
一种高速 dfb 激光器制作方法

[发明专利]一种高速DFB激光器芯片及其制作方法-CN202011347123.4有效
发明人：李紫谦;张恩;黄鹤;许海明 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速DFB激光器芯片及其制作方法，其包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、下限制层、量子阱、上限制层、第一过渡层、腐蚀停止层、第二过渡层、光栅层、P‑InP包层，经过光栅制作后，再二次外延生长P‑InP波导层、欧姆接触层，随后完成脊波导制作、脊条上注电窗口接触条制作，在接触条上制作条形电极，脊波导两侧制作BCB图形，凹槽内的BCB厚度经过刻蚀后与脊波导高度一致，在BCB图形上制作圆形电极，连接条形电极。本发明不仅有效降低激光器各种寄生电容，满足高速调制应用，能降低现有BCB刻蚀工艺过程中对脊波导的离子轰击损伤，以及芯片后期封装过程中对脊波导的压损风险，提高封装成品率，同时避免腔面光子热量聚集造成腔面损伤。
一种高速 dfb 激光器芯片及其制作方法

[实用新型]一种用于晶圆研磨生产的厚度检测装置-CN202122987475.2有效
发明人：黎浩;吴继清;陈锋 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于晶圆研磨生产的厚度检测装置，包括测量环和测量表，测量环的底部设有多个基准支脚，各基准支脚的底端支点环形分布形成与测量环同轴的基准环，基准环的直径小于晶圆研磨盘的直径并且大于晶圆研磨盘上的各晶圆工位所对应的外切圆直径；测量环上设有供测量表滑动的直线滑轨；测量环配置有用于限定其绕晶圆研磨盘的轴线旋转的限位单元，或者直线滑轨能在测量环上绕测量环轴线旋转。通过设置测量环带动测量表作直线运动和转动运动，达到调节表针在水平面内的位置的目的，使测量表能检测到晶圆研磨盘上所有晶圆的所有测量点厚度，消除厚度检测盲区，提高检测准确性和可靠性，提高了工艺过程良率和经济效益。
一种用于研磨生产厚度检测装置

[实用新型]一种装载后置过滤器滤罐的载具-CN202120013662.8有效
发明人：沈鑫;黎浩;吴瑞华 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种装载后置过滤器滤罐的载具，包括主体和上盖，后置过滤器滤罐放置于主体内，所述上盖和主体围合成密封的环境，所述上盖的顶部设有开启时可供空气流入主体内的阀门，所述上盖与所述主体连接处设有用于密封的密封垫圈，所述上盖和主体可拆卸连接。本实用新型通过弹簧卡扣和O型圈将滤罐密封在载具中，与空气隔离，安全无毒。使用本实用新型提供的滤罐载具时，在水中先将阀门打开，让水流入滤罐中的活性炭，然后再将弹簧卡扣打开，将滤罐取出，整个过程均在水中进行，避免明火及毒烟的产生。从将滤罐从MOCVD中取出装入载具到将滤罐从水中拿出，整个过程不需要另外步骤，提高了生产效率。
一种装载后置过滤器

[实用新型]一种晶圆取放及转运装置-CN202122621829.1有效
发明人：葛婷;黎浩 -专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B65G47/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体芯片加工技术领域，尤其涉及一种晶圆取放及转运装置；该装置包括转运载盘及取放托盘，其中转运载盘包括限位槽、矩形槽、防滑机构及透气孔，转运载盘上设有用于对晶圆限位的限位槽，且限位槽内设有矩形槽，用于取放托盘取放晶圆，转运载盘上还设有防滑机构及透气孔；取放托盘包括取放衬板、晶圆围框及手柄，取放衬板、晶圆围框及手柄三者均固定连接，取放衬板上设有契型凸台且带斜切面，晶圆围框与手柄螺纹连接固定。本实用新型提供的晶圆取放及转运装置安全性能好、定位牢固、更换便捷、可以长期反复使用且能防止晶圆转运及传递时发生漂移；解决了晶圆在半自动工艺测量设备转运过程中对于芯片表面的损伤问题。
一种晶圆取放转运装置

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