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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010354976.4在审
发明人：林大钧;廖忠志;潘国华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体结构包括第一主动区、栅极结构、栅极切断特征与通道隔离特征。第一主动区位于基底上并沿着第一方向延伸。栅极结构位于第一主动区上并沿着第二方向延伸。第二方向垂直于第一方向。栅极切断特征邻接于栅极结构的一端。通道隔离特征沿着第二方向延伸并位于第一与第二主动区之间。栅极结构包括直接接触于栅极切断特征的金属电极。通道隔离特征包括在沿第二方向延伸的侧壁上的衬垫以及在侧壁之间的介电填充层。栅极切断特征邻接通道隔离特征的一端，以及介电填充层是直接接触于栅极切断特征。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]带有掩埋浮动P‑型屏蔽的双栅极沟槽IGBT-CN201410065951.7有效
发明人：胡军;马督儿·博德;哈姆扎·依玛兹 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件的方法包括1）制备半导体衬底，带有第一导电类型外延层位于第二导电类型的半导体衬底上；2）利用一个栅极沟槽掩膜，打开第一沟槽和第二沟槽，然后制备一个栅极绝缘层，衬垫沟槽，并用多晶硅层填充沟槽，形成第一沟槽栅极和第二沟槽栅极；3）注入第一导电类型的掺杂物，在外延层中形成顶部重掺杂层；以及4）在第一沟槽栅极上方制备平面栅极，利用注入掩膜，注入本体掺杂物和源极掺杂物
带有掩埋浮动屏蔽新型栅极沟槽 igbt

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910126403.3在审
发明人：林志昌;吴伟豪;余佳霓;苏焕杰;徐廷鋐;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括在半导体元件上方形成遮罩层，其中半导体元件包含：栅极结构；第一层，设置于栅极结构上方；以及层间介电质，设置于第一层的侧壁上，且其中遮罩层定义开口暴露出第一层的一部分和层间介电质的一部分；进行第一蚀刻工艺，以通过开口蚀刻第一层的一部分和层间介电质的一部分；在进行第一蚀刻工艺之后，在开口中形成一衬垫层；在形成衬垫层之后，进行第二蚀刻工艺，其中第二蚀刻工艺使开口向下延伸而穿过第一层和穿过栅极结构
蚀刻工艺第一层层间介电栅极结构半导体元件开口衬垫层遮罩层穿过蚀刻半导体装置开口向下填充开口侧壁暴露延伸制造

[发明专利]一种纳米线结构、围栅纳米线器件及其制造方法-CN201510641683.3有效
发明人：孟令款;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供一种围栅纳米线器件的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成纳米线，纳米线的两端由衬垫支撑；形成包围纳米线的栅极，在栅极两侧形成侧墙；在栅极两侧的纳米线上外延生长源漏外延层，并进行掺杂，以形成源漏区
一种纳米结构器件及其制造方法

[发明专利]一种具有深孔的LDMOS器件及其制造方法-CN201310675662.4在审
发明人：陈瑜;陈华伦;邢超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在漂移区中具有衬垫氧化层和填充结构；硅材料之上具有栅氧化层，栅氧化层之上具有多晶硅栅极。所述填充结构为多晶硅材料，呈竖直状，在竖直方向上分为两部分；第一部分的顶部穿越栅氧化层而与多晶硅栅极的底部相连接，第一部分的侧壁被栅氧化层所包围；第二部分的侧壁和底部均被衬垫氧化层所包围。所述多晶硅栅极在水平方向上分为两部分；第一部分相隔栅氧化层在部分体区的正上方，第二部分相隔栅氧化层在部分漂移区的正上方；多晶硅栅极的第二部分还在所有填充结构的正上方，并与所有填充结构的顶端相连接。
一种具有 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]具有改进的静电放电保护电路的放大器-CN200980143457.5有效
发明人：尤金·R·沃利 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：所述晶体管(410)具有耦合到衬垫(450)的栅极且为所述放大器提供信号放大。所述电感器(412)耦合到所述晶体管(410)的源极且为所述晶体管(410)提供源极退化。所述箝位电路(422)耦合于所述晶体管(410)的所述栅极与所述源极之间且为所述晶体管(410)提供ESD保护。所述箝位电路(422)可包括耦合于所述晶体管(410)的所述栅极与所述源极之间的至少一个二极管。当将大电压脉冲施加到所述衬垫(450)时，所述箝位电路(422)经由所述电感器(412)传导电流以产生跨越所述电感器(412)的电压降。所述晶体管(410)的栅极到源极电压(Vgs)以所述跨越所述电感器(412)的电压降减小，这可改进所述晶体管(410)的可靠性。
具有改进静电放电保护电路放大器

[发明专利]显示面板和显示装置-CN202280000127.6在审
发明人：唐攀登;王倩;张祎杨;魏悦;杨玉清;李锡平;周洋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：该显示面板包括：基板；触控结构位于所述有机发光器件远离所述基板的一侧，触控结构包括触控电极以及绝缘层，所述绑定区中靠近所述折弯区的一侧具有控制芯片连接端子，所述控制芯片连接端子与栅极驱动电路电连接，控制芯片连接端子远离折弯区的一侧具有接触衬垫，触衬垫被配置为可与柔性线路板进行绑定，所述接触衬垫的至少部分与所述触控电极的至少部分同层同材料设置。由此，该显示面板具有以下优点的至少之一：接触衬垫的设置可有效释放绑定压力，缓解平坦化层吸水导致的膜层脱落和测试失败，提升产品良率。
显示面板显示装置

[发明专利]包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件-CN202210111043.1在审
发明人： D.彼得斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件。一种半导体器件包含由宽带隙半导体材料制成的半导体本体。多个第一接合区域连接到半导体器件的第一负载端子。第一栅极指状物布置在第一接合区域之间。第一栅极指状物在第一横向方向上延伸并且从第一栅极线部分和第二栅极线部分中的至少一个分叉。第二栅极指状物在第一横向方向上延伸。第一栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第一长度大于第二栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第二长度。第一长度和第二长度的和等于或大于沿着第一横向方向在第一栅极线部分与第二栅极线部分之间的横向距离。
包含接合衬垫之间栅极指状物宽带半导体器件

[发明专利]包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件-CN201810461419.5有效
发明人： D.彼得斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件。一种半导体器件包含由宽带隙半导体材料制成的半导体本体。多个第一接合区域连接到半导体器件的第一负载端子。第一栅极指状物布置在第一接合区域之间。第一栅极指状物在第一横向方向上延伸并且从第一栅极线部分和第二栅极线部分中的至少一个分叉。第二栅极指状物在第一横向方向上延伸。第一栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第一长度大于第二栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第二长度。第一长度和第二长度的和等于或大于沿着第一横向方向在第一栅极线部分与第二栅极线部分之间的横向距离。
包含接合衬垫之间栅极指状物宽带半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810135866.8无效
发明人：山田隆顺 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-07-17 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，其中，第一MIS晶体管具备：在第一活性区域中的第一侧壁衬垫的外侧方下形成的第一源极漏极区域(108a)；在第一源极漏极区域上形成的第一硅化物膜(112a)；和形成于半导体基板上、在第一活性区域中的栅极长度方向产生应力的应力绝缘膜(114)，第二MIS晶体管具备：在第二活性区域中的第二侧壁衬垫的外侧方下形成的第二源极漏极区域(108b)；形成于第二栅极电极、第二侧壁衬垫及第二源极漏极区域的一部分上，由第一保护绝缘膜(109b)和第二保护绝缘膜
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件中降低栅致漏极漏电流-CN98809637.4有效
发明人： K·巴拉苏布拉曼亚姆;M·加尔;J·P·加姆比诺;J·A·曼德尔曼 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司
申请日： 1998-09-30 - 公布日： 2000-11-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一实例中,退火是在氩气和/或氨气环境下,在栅极侧壁氧化形成衬垫之后进行。
半导体器件降低栅致漏极漏电

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201410431678.5在审
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：其中，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掩膜堆叠结构；在所述掩膜堆叠结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁形成绝缘阻挡层；在所述第一凹槽内填充满应力衬垫层；在所述应力衬垫层上形成介质层，所述介质层上表面与所述掩膜堆叠结构上表面齐平；去除所述掩膜堆叠结构，直至形成暴露所述半导体衬底的第二凹槽；在所述第二凹槽底部形成半导体层；在所述半导体层上形成栅极结构，所述栅极结构填充满所述第二凹槽
晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体器件-CN202110766070.8在审
发明人：朴晟植;金相辰;吴泰焕;李炫姃;张成珍;郑圭珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在第一有源图案上并邻近第二有源图案；第二外延图案，在第二有源图案上并邻近第一有源图案；元件分隔结构，在第一和第二外延图案之间分隔第一和第二有源图案，并包括芯分隔图案和在芯分隔图案的侧壁上的分隔侧壁图案；以及栅极结构栅极结构的上表面在与芯分隔图案的上表面相同的平面上。分隔侧壁图案包括高介电常数衬垫，该高介电常数衬垫包括包含金属的高介电常数电介质膜。
半导体器件

[发明专利]闪存浮动栅极的制造方法-CN03107674.2有效
发明人：谢文贵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2003-03-18 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种闪存浮动栅极的制造方法，先在提供的基底之上依序形成衬垫氧化层及氮化硅层。移除衬垫氧化层及氮化硅层，在主动区之上形成穿遂氧化层及第一多晶硅层，并且第一多晶硅层与浅槽隔离结构等高。在第一多晶硅层与浅槽隔离结构之上形成第二多晶硅层，移除部分位于浅槽隔离结构上的第二多晶硅层而定义出浮动栅极。
闪存浮动栅极制造方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法、存储器及电子设备-CN202211665514.X有效
发明人：张鑫;田超;平延磊 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：其中方法包括：提供目标衬底，目标衬底内形成有沿第一方向由初始第一隔离结构间隔排布的多个有源柱，有源柱沿第二方向的相对两侧形成有初始第二隔离结构；初始第二隔离结构包括绝缘柱及包覆绝缘柱的外侧面及底面的初始衬垫层；于有源柱的裸露侧壁形成保护层；去除初始衬垫层及初始第一隔离结构的顶部，以得到暴露出绝缘柱的顶部的目标间隙；于目标间隙内形成栅极结构，以至少有效避免VGAA晶体管的栅极结构与源极结构之间漏电的问题。
半导体器件及其制备方法存储器电子设备