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[发明专利]半导体装置、组合件和构造以及形成半导体装置、组合件和构造的方法-CN200780031554.6有效
发明人：特德·泰勒;杨夏弯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：沿着所述开口的侧壁形成衬垫，且随后从所述开口的底部各向同性蚀刻半导体材料，以合并所述开口且借此完全底切所述半导体材料区段。本文揭示的实施例可用于形成SOI构造，以及形成具有完全包围沟道区的晶体管栅极的场效应晶体管。本文揭示的实施例还包含具有包围沟道区的晶体管栅极的半导体构造，以及其中绝缘性材料将上部半导体材料与下部半导体材料完全分离的构造。
半导体装置组合构造以及形成方法

[发明专利]闪存的制作方法-CN201310683410.6有效
发明人：李天慧;潘晶;王琪;宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该制作方法包括：提供半导体基底，半导体基底划分为逻辑电路区、高压电路区和快闪存储区；在半导体基底上依次沉积衬垫氧化层、氮化硅层和缓冲氧化层；形成浅沟槽隔离并去除氮化硅层和缓冲氧化层，在半导体基底上形成浅沟槽隔离结构；在快闪存储区和高压电路区形成N阱区；在高压电路区形成P阱区；对快闪存储区欲设置控制栅极的第一位置以及欲设置选择栅极的第二位置进行离子注入；在快闪存储区形成浮栅、在第一位置上形成选择栅极、在第二位置上形成控制栅极
半导体基底高压电路区缓冲氧化层晶体管结构逻辑电路区氮化硅层第二位置第一位置控制栅极制作闪存浅沟槽隔离结构衬垫氧化层浅沟槽隔离闪存器件设置选择选择栅极浮栅沉积去除离子申请

[发明专利]嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法-CN202010894114.0有效
发明人：王宁 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法：在半导体衬底上淀积衬垫氧化层和氮化硅层；光刻及刻蚀使氮化硅层图案化；对暴露出的衬垫氧化层进行刻蚀；再整体生长一层ONO层；淀积第一多晶硅层；对第一多晶硅层进行刻蚀，以及对ONO层进行刻蚀；生长选择管氧化硅层；淀积第二多晶硅层并进行CMP工艺以及刻蚀；去除氮化硅层以及氮化硅层底部的衬垫氧化层；生长逻辑氧化层；淀积第三多晶硅层并进行刻蚀。本发明通过调整光刻定义的范围，将光刻定义的范围扩展至一次打开一个选择管加两个存储管的整体宽度，单个存储管的宽度由多晶硅栅极的生长厚度来自对准定义，可以在光刻能力有限的情况下，实现更小尺寸的嵌入式镜像位SONOS
嵌入式镜像位 sonos 存储器工艺方法

[发明专利]将ONO集成到逻辑CMOS流程中的方法-CN201810961862.9在审
发明人：克里希纳斯瓦米·库马尔;波·金;斐德列克·杰能 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一般而言，方法包括：在衬底的第一区之上形成MOS设备的衬垫介电层；由覆盖衬底的第二区之上的表面的半导体材料的薄膜形成存储设备的沟道，沟道连接存储设备的源极和漏极；在第二区之上形成覆盖沟道的图案化的介质堆栈，图案化的介质堆栈包括隧道层、电荷俘获层、和牺牲顶层；同时从衬底的第二区中移除牺牲顶层并从衬底的第一区中移除衬垫介电层；并且同时在衬底的第一区之上形成栅极介电层和在电荷俘获层之上形成阻挡介电层。
衬底第一区衬垫介电层电荷俘获层存储设备介质堆栈图案化顶层沟道移除非易失性存储设备半导体材料栅极介电层阻挡介电层薄膜形成沟道连接隧道层覆盖漏极源极申请

[发明专利]用于制造生物传感器的微阱的方法-CN201510495959.1有效
发明人：张哲铭;詹志仁;周仲彥;曾李全;林诗玮;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：晶体管包括沟道区和位于沟道区下面的栅极。第一介电层位于晶体管上面。第一开口延伸穿过第一介电层以暴露沟道区。生物感测层作为第一开口的衬垫并且覆盖沟道区的上表面。第二介电层作为第一开口的衬垫并且位于感测层上方。位于第一开口内的第二开口穿过第二介电层的位于沟道区上面的区域而延伸至生物感测层。本发明实施例也提供了一种用于制造生物感测半导体结构的方法。
用于制造生物传感器方法

[发明专利]将ONO集成到逻辑CMOS流程中的方法-CN201380016755.4有效
发明人：克里希纳斯瓦米·库马尔;波·金;斐德列克·杰能 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一般而言，方法包括：在衬底的第一区之上形成MOS设备的衬垫介电层；由覆盖衬底的第二区之上的表面的半导体材料的薄膜形成存储设备的沟道，沟道连接存储设备的源极和漏极；在第二区之上形成覆盖沟道的图案化的介质堆栈，图案化的介质堆栈包括隧道层、电荷俘获层、和牺牲顶层；同时从衬底的第二区中移除牺牲顶层并从衬底的第一区中移除衬垫介电层；并且同时在衬底的第一区之上形成栅极介电层和在电荷俘获层之上形成阻挡介电层。
ono 集成逻辑 cmos 流程中的方法

[发明专利]半导体装置-CN200610087107.X有效
发明人：进藤昭则;田垣昌利;栗田秀昭 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种可以在衬垫的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)；晶体管(100)、(120)，其设置于半导体层(10)上，并具有栅极绝缘层(104)、(124)以及栅电极(106)、(126)；层间绝缘层(40)，其设置于晶体管(以及，电极垫(42)，其设置于层间绝缘层(40)的上方，俯视观察时，与栅电极(106)、(126)的至少一部分相重叠，其中，晶体管(100)、(120)为在栅电极(106)、(126)端部的下方设置有比栅极绝缘层
半导体装置

[发明专利]鳍状场效晶体管装置及其形成方法-CN201711283937.4有效
发明人：马志宇;沙哈吉·B·摩尔;李承翰;潘正扬;张世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种鳍状场效晶体管装置及其形成方法，鳍状场效晶体管装置的形成方法包括提供基板，其具有栅极结构于基板的第一侧上；形成凹陷，且凹陷与栅极结构相邻；以及形成具有掺杂的第一半导体层于凹陷中，第一半导体层为非顺应性，且第一半导体层衬垫凹陷并自凹陷底部延伸至凹陷顶部。
鳍状场效晶体管装置及其形成方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管的制备方法、阵列基板的制备方法-CN201711482820.9在审
发明人：李金明 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上依次制备形成栅电极、栅极绝缘层、金属氧化物有源层以及源电极和漏电极，所述栅电极包括衬垫层和铜金属层；其中，在形成所述栅电极之后，首先在退火温度不超过270℃的条件下对所述栅电极进行退火处理，然后在所述栅电极上沉积形成所述栅极绝缘层；或者是，在形成所述栅电极之后，在沉积温度不超过270℃的条件下，直接在所述栅电极上沉积形成所述栅极绝缘层。
制备栅电极金属氧化物薄膜晶体管栅极绝缘层沉积衬底基板阵列基板金属氧化物有源层退火铜金属层退火处理像素电极阵列排布衬垫层漏电极平坦层源电极

[发明专利]用于光疗的正弦驱动光疗系统-CN201580019372.1有效
发明人：理察K.威廉士;林耿弘;丹尼尔·史其尔;乔瑟夫·P·里西 -专利权人：生旭生物科技有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：本发明揭示用于光疗的正弦驱动光疗系统，光疗系统包括光疗LED衬垫中的LED经控制使得光照射根据正弦函数改变，借此消除在根据方波函数以数字方式对该等LED施加脉冲时产生的谐波。此是借由使用正弦波来控制与该等LED串联连接的金属氧化物半导体场效晶体管的栅极或借由使用数位转逻辑转换器用阶梯函数表示正弦函数在预定时间间隔下的值来控制该金属氧化物半导体场效晶体管的该栅极而以模拟方式完成替代性地，脉冲宽度调变是用于以使得通过该等LED的平均电流仿真正弦函数的方式控制该金属氧化物半导体场效晶体管的该栅极。
用于光疗正弦驱动系统方法

[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法-CN201210122575.1有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：100)，所述鳍部侧壁的晶面为(110)，且对于n沟道鳍式场效应管，所述鳍部顶部与侧壁的面积之比小于等于3∶1，对于p沟道鳍式场效应管，所述鳍部顶部与侧壁的面积之比大于3∶1；横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部表面的应力衬垫层。
场效应及其形成方法

[发明专利]有机电致发光显示器的阵列基板及其制造方法-CN201110346027.2有效
发明人：崔熙东;全镇埰;田承峻;金会龙 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种有机电致发光显示器的阵列基板及其制造方法，所述制造方法包括：在基板上形成半导体层、半导体虚拟图案、第一存储电极和第一栅绝缘层；在半导体层和第一存储电极上形成第二栅绝缘层；在第二栅绝缘层上形成栅极和第二存储电极；在半导体层的两侧中掺入杂质，从而形成欧姆接触层；在栅极和第二存储电极上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成源极、漏极和第三存储电极；在源极、漏极和第三存储电极上形成钝化层；在钝化层上形成第一电极和第四存储电极；以及在第一电极上形成衬垫料和堤。
有机电致发光显示器阵列及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管上滤色片型液晶显示器件及其制造方法-CN200410086685.2有效
发明人：李东熏 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示器件，该器件包括：彼此相对并分隔开的第一基板和第二基板；在所述第一基板上的栅线和数据线，彼此交叉的栅线和数据线限定出像素区；与栅线和数据线相连接的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；覆盖源极和漏极之间的间隙的第一遮蔽层；在第一遮蔽层上的滤色片层；在滤色片层上的像素电极；在第二基板上的黑矩阵，该黑矩阵与栅线和数据线相对应；在黑矩阵上的公共电极；在公共电极上的构图衬垫料，该构图衬垫料与黑矩阵相对应；以及在像素电极和公共电极之间的液晶层。
薄膜晶体管上滤色片型液晶显示器件及其制造方法

[发明专利]一种咖啡机包装衬垫-CN201810851996.5在审
发明人：郭玉花;王晓洁;农丹丹 -专利权人：天津商业大学
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： B65D5/50 文献下载
摘要：本发明公开了咖啡机包装衬垫。本发明包装衬垫包括主体衬垫和手柄衬垫，所述主体衬垫由咖啡机衬垫和咖啡杯衬垫组成，所述咖啡杯衬垫与咖啡机衬垫进行插合，所述手柄衬垫位于主体衬垫前侧。本发明的包装衬垫通过主体衬垫和手柄衬垫对咖啡机进行三维立体防护，防震缓冲性能好；结构稳定，比较节省纸材。
咖啡机包装衬垫手柄咖啡杯防震缓冲结构稳定三维立体插合纸材防护

[发明专利]集成的排气歧管衬垫与汽缸盖衬垫-CN200810082201.5有效
发明人：达雷尔·德劳伊拉德;史蒂文·乔皮斯 -专利权人：福特环球技术公司
申请日： 2008-02-20 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： F02F11/00 文献下载
摘要：本发明涉及集成的排气歧管衬垫与汽缸盖衬垫，提供一种内燃发动机的衬垫总成，该衬垫总成具有汽缸盖衬垫和排气歧管衬垫。汽缸盖衬垫与排气歧管衬垫具有衬垫材料公共层。该衬垫总成通过在衬垫材料公共层的一个区域冲压发动机的汽缸盖衬垫部分，同时在邻近的衬垫材料公共层的区域冲压发动机的排气歧管衬垫部分形成。
集成排气歧管衬垫汽缸