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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]MOS晶体管的制作方法-CN201010144271.6无效
发明人：李敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种MOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底及栅极结构上形成衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成间隙壁介电层；对所述间隙壁介电层进行等离子体处理；重复所述间隙壁介电层形成工艺与等离子体处理工艺至少
mos 晶体管制作方法

[发明专利]宽带隙半导体装置-CN201780097069.2在审
发明人：中村俊一 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：使用第一导电型的宽带隙半导体材料的漂移层12；由设置在所述漂移层12上的第二导电型构成的阱区20；设置在所述阱区20上的多晶硅层150；设置在所述多晶硅层150上的层间绝缘膜65；设置在所述层间绝缘膜65上的栅极衬垫120；以及与所述多晶硅层150电气连接的源极衬垫110。
宽带半导体装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210138577.3在审
发明人：江昱维;赖昇志;杨丰诚;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：该堆叠结构包括多个交替堆叠的绝缘层与栅极构件。芯结构设置在堆叠结构中。该芯结构包括存储器层、沟道构件、接触构件和衬垫构件。该沟道构件设置在存储器层上。该接触构件设置在沟道构件上。该衬垫构件包围芯结构的一部分。本发明还提供了用于制造半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610663504.0有效
发明人：冯家馨;江国诚;梁英强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置包含多个第一通道层设置于基底之上，第一源极/漏极区设置于基底之上，栅极介电层设置于每一个第一通道层之上，且包裹每一个第一通道层，栅极电极层设置于栅极介电层之上且包裹每一个第一通道层，以及衬垫半导体层设置于第一通道层与第一源极
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110824313.9在审
发明人：鄞金木;李威养;尤志豪;陈彦廷;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构位于基板上；多个通道组件，延伸于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间；多个内侧间隔物结构，与通道组件交错；栅极结构，包覆每一通道组件；半导体衬垫层，夹设于栅极结构与每一内侧间隔物结构之间。
半导体装置

[发明专利]用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板-CN02829088.7有效
发明人：全珍;李源规 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-09-17 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：在衬底上形成包括多条栅极线、连结栅极线一端的多个栅极衬垫125及连结栅极线的多个栅电极123的栅极布线和接收公共电压的存储布线。在覆盖栅极布线和存储布线的栅绝缘层上形成半导体层和欧姆接触层。在其上形成数据布线，包括多个与栅极线一起限定多个象素区的数据线、多个延伸到半导体层上的源电极、和多个与源电极分开并关于栅极线与源电极相对的漏电极。存储电容导体包括多个从其延伸并重叠栅极线的修护部分。在数据布线和未被数据布线覆盖的半导体层部分上形成钝化层，并且在钝化层上形成多个经设置在钝化层中的多个接触孔连结漏电极和存储电容导体的象素电极。
用于液晶显示器薄膜晶体管阵列

[发明专利]显示设备的驱动装置和包括该驱动装置的显示设备-CN200710138322.2无效
发明人：朴俊河;金一坤;朴泰炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：提供了一种用于显示设备的驱动装置和包括该驱动装置的显示设备，所述显示设备包括多个像素、以及连接到像素的栅极线和数据线，每个像素包括切换元件。所述驱动装置包括：栅极驱动器，用于生成栅极信号并且将该栅极信号施加到栅极线；数据驱动器，用于生成数据信号并且将该数据信号施加到数据线；与每条数据线连接的传输门；信号控制器，用于控制栅极驱动器和数据驱动器；和控制信号生成器，用于基于扫描起始信号和多个时钟信号而生成多个控制信号，并且将控制信号施加到栅极驱动器和传输门。由于控制信号生成器生成多个控制信号，当执行VI测试时能够减少测试衬垫的数量，而且通过减少驱动芯片的管脚的数量可以降低制造成本。
显示设备驱动装置包括

[发明专利]用于超薄绝缘体上半导体器件的电隔离结构及其制作方法-CN201310009648.0有效
发明人： B·S·哈兰;D·V·霍拉克;C·W·科伯格尔三世;S·波诺斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：在形成凸起源极和漏极区域之后，在通过去除绝缘体上半导体(SOI)衬底中的浅沟槽隔离结构和掩埋绝缘体层的下层部分而形成的凹陷区域内沉积保形电介质材料衬垫。随后沉积和平坦化与保形电介质材料衬垫的材料不同的电介质材料以形成平坦化的电介质材料层。相对于保形电介质材料衬垫选择性凹陷平坦化的电介质材料层以形成填充凹陷区域的电介质填充部分。通过各向异性蚀刻来去除保形电介质材料衬垫的水平部分，而保形电介质材料衬垫的剩余部分形成外栅极间隔物。沉积至少一个接触级电介质层。可以在接触通孔内形成与操纵衬底电隔离的接触过孔结构。
用于超薄绝缘体半导体器件隔离结构及其制作方法

[发明专利]电子器件及其形成方法-CN201410030960.2有效
发明人： S·邦萨伦提普;A·马宗达;J·W·斯雷特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：在SOI晶片的SOI层中蚀刻至少一个第一组纳米线和衬垫以及至少一个第二组纳米线和衬垫。形成第一栅极叠层，其包围用作电容器器件的沟道区的所述第一组纳米线中每一条纳米线的至少一部分。形成第二栅极叠层，其包围用作FET器件的沟道区的所述第二组纳米线中每一条纳米线的至少一部分。选择性地掺杂所述FET器件的源极区和漏极区。在所述电容器器件的所述源极区和漏极区上形成第一硅化物，该第一硅化物至少延伸到所述第一栅极叠层的边缘。在所述FET器件的所述源极区和漏极区上形成第二硅化物。
电子器件及其形成方法

[发明专利]球栅极阵列封装-CN98115625.8有效
发明人：南泽焕 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1998-06-30 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种改进的球栅极阵列封装BGA，可防止焊锡球之间的冲击且提高集成度，包括：衬底，具有第一表面和比第一表面高的第二表面；至少一个半导体芯片，被叠放着配置在第一表面上，在其上部表面设有多个衬垫；多根引线，设在衬底上，其一端与半导体芯片的一部分衬垫连接，另一端露出在该第二表面上；多个导电性焊锡球，形成于半导体芯片的表面和衬底的第二表面上，与半导体芯片的衬垫、以及露出在衬底的第二表面上的引线电气连接。
栅极阵列封装

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011631050.1在审
发明人：游力蓁;黄麟淯;张家豪;庄正吉;林佑明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括：夹在第一间隔部件与第二间隔部件之间并与第一间隔部件和第二间隔部件接触的栅极结构，该第一间隔部件的顶表面和该第二间隔部件的顶表面在栅极结构的顶表面上方延伸；位于该第一间隔部件和该第二间隔部件上方的栅极自对准接触(SAC)介电部件；位于栅极SAC介电部件上方的接触蚀刻停止层(CESL)；位于CESL上方的介电层；栅极接触部件，延伸穿过介电层、CESL、栅极SAC介电部件并且处于第一间隔部件和第二间隔部件之间以与栅极结构接触；以及设置在第一间隔部件与栅极接触部件之间的衬垫。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201210064092.0有效
发明人：李凤莲;倪景华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构；在紧邻所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成离子注入区，所述离子注入区的部分延伸至栅极结构下方的半导体衬底内；采用干法刻蚀工艺去除半导体衬底内的所述离子注入区，形成开口；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述开口，使所述开口向栅极结构下方延伸；在湿法刻蚀后，在所述开口内形成应力衬垫层。
晶体管形成方法

[发明专利]电击穿测试结构-CN201410274268.4有效
发明人：王小宝;周柯 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种电击穿测试结构，包括：栅极层；金属层，位于所述栅极层的上方；层间介电质层，位于所述栅极层和所述金属层之间；其中，所述金属层包括相互独立的第一金属区域和第二金属区域，所述第一金属区域通过若干位于所述层间介电质层中的接触孔与位于其下方的所述栅极层连接，且所述第一金属区域与所述第二金属区域分别与两个金属衬垫连接。
击穿测试结构

[发明专利]防止接触孔金属伸入栅极的集成电路结构及其方法-CN201010288146.2有效
发明人：张立伟;朱鸣;李季儒;锺昇镇;游凯翔;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供一种防止接触孔金属(例如钨)水平伸入相邻元件的栅极叠层结构以影响相邻元件的功函数的集成电路结构及其方法。该方法利用具有良好侧壁覆盖能力的功函数层定义位于接触孔插塞下方的金属栅极，且做为上述金属栅极的衬垫层，其中上述接触孔插塞是相邻元件且共用(或连接至)金属栅极，上述功函数层具有良好的阶梯覆盖能力以防止接触孔金属伸入相邻元件的栅极叠层结构中
防止接触金属栅极集成电路结构及其方法

[发明专利]宽带隙半导体装置-CN201780096406.6在审
发明人：中村俊一 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：由形成在所述漂移层12上的第二导电型构成的多个阱区20；所述阱区20以及所述漂移层12中设置在所述阱区20之间的多晶硅层150；设置在所述多晶硅层150上的层间绝缘膜65；设置在所述层间绝缘膜65上的栅极衬垫120；以及与所述多晶硅层150电气连接的源极衬垫110。
宽带半导体装置

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