“因芬尼昂技术股份公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1222个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]功率半导体模块-CN201820308355.0有效
发明人： A.贝尔塔兰;J.克鲁曼 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体模块，其具有半导体基体、半导体本体和壳体。壳体具有第一壳体部分、第二壳体部分和至少一个压紧凸模。功率半导体模块还具有至少一个补偿元件。第一壳体部分在装配好的状态中形成围绕半导体基体的框架。第二壳体部分形成跨接第一壳体部分的顶罩并且具有至少一个固定元件。至少一个压紧凸模被构造用于：当壳体固定在冷却体上时，将力施加到半导体基体上。当没有力施加到至少一个补偿元件上时，补偿元件具有第一高度，其中，当被施加到补偿元件上的压力大于预设阈值时，第一高度下降到第二高度。当壳体固定在冷却体上时，补偿元件布置在压紧凸模和半导体基体之间和/或至少一个补偿元件布置在固定元件的区域中。
补偿元件半导体基体功率半导体模块第一壳体压紧凸模第二壳体固定元件壳体固定冷却体力施加壳体半导体本体本实用新型阈值时顶罩跨接预设装配施加

[发明专利]以时钟与数据恢复为基础的时钟合成-CN201310309056.0有效
发明人： W.埃文斯;H.帕托维 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司;拉姆巴斯公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H04L7/00 文献下载
摘要：本发明涉及以时钟与数据回复为基础的时钟合成。本发明通过对具有已知转换密度的一潜在噪音时钟来源信号执行一时钟与数据回复(CDR)操作而合成一时钟信号；该CDR操作响应该时钟来源信号而产生一所希望的时钟信号。为了减少在一串行数据无线收发器中的准同步接收与发射时钟间的串音，使用一单一共同的PLL以回复来自接收数据的接收时钟并自一潜在噪音发射时钟来源信号合成发射时钟。
时钟数据恢复基础合成

[发明专利]光刻装置及光刻装置的制造方法-CN201210089896.6有效
发明人： M.尼伊霍夫 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻装置，包括一光罩，具有多种结构，该等结构系大体上沿一可预设而朝该光罩的延伸方向延伸；一装置，用于产生电磁辐射以及导引该电磁辐射至该光罩，其中该电磁辐射至少部分在该延伸方向被TM极化，使该被TM极化的电磁辐射具有一极化方向，该极化方向与该延伸方向呈90度角；以及一容纳装置，用于容纳一曝光的基材。
光刻装置制造方法

[发明专利]具诊断电路荧光灯驱动电路及荧光灯诊断方法-CN201210032646.9有效
发明人： M·费德科勒;M·赫弗思;A·费里 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H05B41/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于至少一荧光灯(10)的驱动电路以及诊断荧光灯的方法。该驱动电路具有以下特征：一半桥电路(Q1，Q2)，用于产生供应电压(V2)，一共振谐调电路(L1，C1)，耦合至该半桥电路(Q1，Q2)且该至少一荧光灯(10)乃连接至该共振谐调电路(L1，C1)，一诊断电路(30)，具有耦合至该共振谐调电路(L1，C1)的一电阻组件(R1)，连接至该电阻组件(R1)并从流经该电阻组件之电流(I1)制造至少一测量电压(V31；V311，V312)的至少一电流/电压转换器(31)，及连接至该电流/电压转换器(31)且被供应该至少一测量电压(V31；V311，V312)的一评估电路(32)。
诊断电路荧光灯驱动方法

[发明专利]包含一和差调制器的锁相回路-CN201110217988.3有效
发明人： G.里普马;E.瓦格纳 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H03L7/197 文献下载
摘要：本发明包含一和差调制器的锁相回路。在该PLL之反馈路径中的一多模数除法器（9）系借助该ΣΔ调制器（11）而致动，而该ΣΔ调制器则是具有可以借助在拉普拉斯平面中（Laplaceplane）之一复数转移函数H（s）而描述的设计，其中，该转移函数系具有一复数共轭极点对。所建议的原则系允许在临界频率范围中之噪声的显著减少，也因此允许基于无线电规格而对传输屏蔽的遵守，甚至是在该PLL带宽与该调制带宽一样大的时候，也一样。
包含调制器回路

[发明专利]媒体存取控制单元、移动无线装置及映像数据的方法-CN200910211560.0有效
发明人：崔衡楠;M·埃克特 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H04B7/26 文献下载
摘要：本发明涉及媒体存取控制单元移动无线装置及以移动无线装置映像待传送数据的方法。对由一移动无线基站宣告成为暂时可允许的已存储传输格式执行检查，以决定这些传输格式是否满足所述移动无线装置所特有的一选择准则，并且，用于数据传送的所述传输格式会专门从满足所述移动无线装置所特有的所述选择准则的传输格式的中被选择出来。
媒体存取控制单元移动无线装置映像数据方法

[发明专利]极紫外线磁性对比光刻掩模及其制法-CN200910165919.5无效
发明人： S·施瓦兹;S·沃尔姆 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2005-08-05 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种EUV光刻掩模、其制造方法与其使用方法。本发明的一较佳实施例包含了一衬底、配置在所述衬底上的一布拉格反射器、配置在所述布拉格反射器上的一缓冲层、以及配置在所述缓冲层上的一吸收层；所述掩模中的材料具有选择磁性质；在一较佳实施例中，所述缓冲层是一硬磁材料，而所述吸收层是一软磁材料。另一较佳实施例则包含了一种掩模制造方法，其更包含一掩模步骤。在一较佳实施例中，则利用电子镜显微镜而显影出掩模在施加磁场中的磁性质相关型态以检测所述掩模。极紫外线磁性对比光刻掩模及其制法。
紫外线磁性对比光刻及其制法

[发明专利]通信系统、通信终端设备及会议控制单元-CN200810095204.2无效
发明人： H·施米特;M·汉斯;M·贝克曼恩 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2005-06-02 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及通信系统、通信终端设备、会议控制单元、通信系统控制方法、通信终端设备控制方法及会议控制单元控制方法。一种具有一个会议服务器及一个会议控制单元的通信终端设备，一个呼叫控制协议信息会被传送到该会议控制单元，让会议控制单元能够判定是否应将一个通信终端设备加到一个会议中，及/或是否应创造一个会议，及/或是否应结束一个会议，及/或是否应将关于至少一个由会议服务器管理的会议资料传送到一个通信终端设备。
通信系统终端设备会议控制单元

[发明专利]快闪存储单元及造成分离侧壁氧化的方法-CN200910005484.8有效
发明人： D·沈 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-09-03 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明是一种快闪存储单元及造成分离侧壁氧化的方法。本发明揭露了一种可使集成电路具有紧密的逻辑电路及/或线性电路区域与紧密的存储区域的制程与产品。在一共同的基板上，一双重硬罩幕处理单独形成了逻辑电路及/或线性电路晶体管以及EEPROM存储晶体管的堆栈。藉由使用该处理，该等逻辑电路及/或线性电路晶体管与存储晶体管具有不同的侧壁绝缘层厚度。该等逻辑电路及/或线性电路晶体管具有相对薄的侧壁绝缘层，而其足以提供与邻近装置与导体之间的隔离。该存储晶体管具有较厚的侧壁绝缘层以避免储存于该存储装置中的电荷会对该存储晶体管的操作产生不利的影响。
闪存单元造成分离侧壁氧化方法

[发明专利]双极晶体管及其制造方法-CN200810145685.3有效
发明人： J·贝克;T·梅斯特;R·施滕格尔;H·谢菲尔 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频双极晶体管(1)，包括至少一个与发射极连接区(3)邻接的发射极接触(2)、与基极连接区(5)邻接的基极接触(4)、与集电极连接区(7)邻接的集电极接触(6)。埋层(7)作为集电极连接区域提供，用于连接集电极接触(6)和集电极区(14)。本发明也涉及制造一个这种(15)高频双极晶体管(1)的方法。本发明的特征在于在埋层(7)上提供硅化物区域(8)，所述硅化物区域以低电阻的方式将集电极接触(6)连接到集电极区(14)。
双极晶体管及其制造方法

[发明专利]包含电容器的集成电路装置及制造方法-CN200810100510.0有效
发明人： R·布雷德洛;J·哈特维奇;C·帕查;W·雷斯纳;T·舒尔滋 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-10-10 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一集成电路装置(120)的详细说明以及其它细节，所述的集成电路装置包含一晶体管(122)，最好为一所谓的FinFET，以及一电容器(124)。所述的电容器(124)的底部电极于一SOI基板上与所述的晶体管(122)的一沟道区域设置在一起。所述的电路装置(120)可以简单的制造而且具有显著的电子特性。
包含电容器集成电路装置制造方法

[发明专利]非易失内存单元及制造方法-CN200610006894.0无效
发明人： F·霍夫曼恩;J·威勒;C·鲁德威格;A·科尔哈塞 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司;因芬尼昂技术弗拉斯有限责任两合公司
申请日： 2003-07-22 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：具背面沟道隔离的内存单元晶体管被制造而不需使用SOI基材。藉由以该字符线路堆栈做为屏蔽，该半导体材料在该字符线路两侧被蚀刻，先以不等向性蚀刻及接着为等向性蚀刻以加宽蚀刻孔洞及在栅电极下方及距离形成该栅介电体的该ONO储存层一段距离形成一种底切。该底切被填充，由此一种至少20纳米最大厚度的埋藏氧化物层在沟道区域下方形成，此沟道区域为于至少10¹⁷厘米^－3的密度下被p－掺杂。
非易失内存单元制造方法

[发明专利]包括双极晶体管存取装置的电阻式存储器-CN200710187511.9有效
发明人：克劳斯·奥芬格;托马斯·哈普;托马斯·尼尔希 -专利权人：奇梦达北美公司;因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种存储器，包括第一双极晶体管、第一位线、和连接在第一双极晶体管的集电极和第一位线之间的第一电阻式存储元件。存储器包括第二位线、连接在第一双极晶体管的发射极和第二位线之间的第二电阻式存储元件、以及连接至第一双极晶体管的基极的字线。
包括双极晶体管存取装置电阻存储器

[发明专利]制造层片形式的包装材料的方法-CN200710135764.1有效
发明人： G·施米德;H·克劳克;M·哈里克 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造层片形式的包装材料的方法，包括以下步骤：将一掩膜置于一包装膜上；通过汽相沉积法在包装膜上沉积铝；将具有过量铝的掩膜移除，因此在包装膜上只剩下一个想要的天线结构；将一微芯片粘接至包装膜；以及述微芯片连接至天线结构的端部。
制造形式包装材料方法

[发明专利]带有焊球元件的载体和用球状接触装备衬底的方法-CN200580000933.X有效
发明人： M·鲍尔;T·贝默尔;E·费尔古特;S·耶雷比克;H·维尔斯迈尔 -专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2005-05-17 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明涉及用于用球状接触装备衬底(2)的、带有焊球元件(1)的载体(4)。此外，本发明还涉及用于用球状接触装备衬底(2)的设备和用于用球状接触装备衬底(2)的方法。为此，载体(4)具有在一侧涂敷的胶粘剂层(5)，其中，胶粘剂层(5)在照射时最大程度地丧失其粘附性。此外，载体(4)具有在胶粘剂层(5)上以针对半导体芯片或者半导体元件所预定的步距(w)成行(6)和成列(7)地紧密封装地布置的焊球元件(1)。
带有元件载体球状接触装备衬底方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 1222 条