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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件和集成电路以及形成半导体器件的方法-CN202110086383.9在审
发明人：黄宏书;刘铭棋;周东和 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的各种实施例提供一种用于形成具有高的厚度均匀性的凹进的栅极电极的方法。栅极介电层沉积为作为凹进的衬垫，多层薄膜沉积为作为凹进的衬垫位于栅极介电层上方。多层薄膜包括栅极电极层、位于栅极电极层上方的第一牺牲层、以及位于第一牺牲介电层上方的第二牺牲层。平坦化实施至第二牺牲层中，并且停止在第一牺牲层上。使用第一牺牲层作为掩模，第二蚀刻实施至栅极电极层中，以形成凹进的栅极电极。在第二蚀刻之后实施第三蚀刻，以去除第一牺牲层。根据本申请的实施例，还提供了半导体器件和集成电路。
半导体器件集成电路以及形成方法

[发明专利]半导体器件-CN202111116770.9在审
发明人：金正泽;金锡勋;朴判贵;梁炆承;郑㥠珍;崔珉姬;河龙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：多沟道有源图案；多个栅极结构，位于所述多沟道有源图案上并在第一方向上彼此间隔开，所述多个栅极结构包括在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的栅电极；源极/漏极凹陷，位于相邻的所述栅极结构之间；以及源极/漏极图案，在所述源极/漏极凹陷中位于所述多沟道有源图案上，其中，所述源极/漏极图案包括：半导体衬垫层，包括硅锗并沿着所述源极/漏极凹陷延伸；半导体填充层，包括硅锗并位于所述半导体衬垫层上；以及至少一个半导体插入层，位于所述半导体衬垫层和所述半导体填充层之间，其中，所述至少一个半导体插入层具有鞍结构。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202310400077.7在审
发明人：闵宣基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：有源图案，其在衬底上在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸；栅极结构，其在有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；源极/漏极区域，其设置在有源图案上的与栅极结构相邻的区域中；层间绝缘层，其覆盖栅极结构和源极/漏极区域；以及接触结构，其穿透层间绝缘层并接触源极/漏极区域。接触结构可包括接触插塞、围绕接触插塞的侧壁的绝缘衬垫、以及设置在绝缘衬垫和接触插塞之间并且设置在接触插塞的底表面上的导电屏障层。导电屏障层可具有从绝缘衬垫的下端向下延伸的屏障延伸部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210298172.6在审
发明人：张博钦;蔡明桓;林立德;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法可包含形成鳍状结构于基板上；形成源极/漏极区于鳍状结构上；形成栅极结构于鳍状结构上以与源极/漏极区相邻；以及形成盖结构于栅极结构上。形成盖结构的步骤包括：形成导电盖于栅极结构上，形成盖衬垫于导电盖上，以及形成碳为主的盖于盖衬垫上。
半导体装置形成方法

[发明专利]用于飞行器点火系统的开关组件-CN200810210864.0无效
发明人：史蒂夫·J·肯平斯基 -专利权人：冠军航天有限公司
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：该开关组件包括陶瓷衬底和开关冲模，该开关冲模包括：结合于该陶瓷衬底上的电衬垫的阳极；半导体器件，其具有多个交错的栅极和阴极；以及陶瓷帽，其具有至少一个连接至所述栅极的极垫和至少一个连接至所述阴极的阴极垫该开关组件还包括引线，该引线连接至栅极垫、阴极垫和衬底上的电衬垫。开关冲模和一部分引线被灌装以形成完成的组件。
用于飞行器点火系统开关组件

[发明专利]宽带隙半导体装置-CN201780096413.6在审
发明人：中村俊一 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的宽带隙半导体装置，包括：第一导电型的漂移层12；由形成在漂移层上的第二导电型构成的阱区20；设置在阱区20上的源极区域31；设置在漂移层12以及阱区20上的栅极绝缘膜60；设置在栅极绝缘膜60与阱区20之间的场绝缘膜62；设置在栅极绝缘膜60上的栅电极125；以及与栅电极125电气连接的栅极衬垫120，其中，场绝缘膜62具有在面方向上延伸的凹部，阱区20具有与设置在凹部处的源极衬垫110电气连接的阱接触区域
宽带半导体装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011298209.2在审
发明人：陈耿尧;张长昀;温明璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本文描述的实施例针对用于减轻由图案化的栅极结构产生的边缘电容的方法。该方法包括在设置在基板上的鳍结构上形成栅极结构；在栅极结构中形成开口以将栅极结构划分为第一部分和第二部分，其中第一部分和第二部分通过开口间隔开。该方法还包括在开口中形成填充结构，其中形成填充结构包括在开口中沉积氮化硅衬垫以覆盖开口的侧壁表面，以及在氮化硅衬垫上沉积氧化硅。本申请的实施例还包括一种半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件-CN202211649779.0在审
发明人：成石铉;刘庭均;丁美厘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括：有源图案，包括在第一方向上延伸的下图案以及在垂直于第一方向的第二方向上与下图案间隔开的多个片图案，其中下图案包括半导体材料；多个栅极结构，在下图案上并在第一方向上彼此间隔开，其中所述多个栅极结构中的每个包括栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹陷，在栅极结构中的相邻的栅极结构之间，其中源极/漏极凹陷的底部在下图案中；底绝缘衬垫，在源极/漏极凹陷的底部中；以及源极/漏极图案，在源极/漏极凹陷中并且在底绝缘衬垫之上。
半导体器件

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN201110039615.1有效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：在所述半导体衬底上形成第一虚设栅极和第二虚设栅极后，形成源区、漏区以及第一应力衬垫层和第二应力衬垫层；沉积氧化层，氧化层的厚度大于两个所述虚设栅极的高度；进行第一次化学机械研磨；再进行刻蚀工艺，刻蚀结束后，所述氧化层高于等于所述第一虚设栅极、第二虚设栅极的高度；从而避免后续形成栅极时，金属或金属硅化物填充进凹槽区域，影响工艺制程，另采用简单的工艺流程优化
一种半导体器件制作方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201110459684.8有效
发明人：何有丰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的栅极结构、以及位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的开口；以体积比至少为3∶2的SiH2Cl2和SiH4作为硅源，在所述开口内形成第一应力衬垫层，所述第一应力衬垫层的深度至少为开口深度的一半；以体积比至少为3∶2的SiH4和SiH2Cl2作为硅源，形成覆盖所述第一应力衬垫层、且与所述开口齐平的第二应力衬垫层。
晶体管形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法-CN201010292511.7有效
发明人：杨芸;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供表面形成有衬垫氧化层的衬底；对所述衬垫氧化层进行掺杂离子注入，形成掺杂衬垫氧化层；在所述掺杂衬垫氧化层表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层、掺杂衬垫氧化层和衬底内形成沟槽；形成填充所述沟槽的填充介质层；去除所述硬掩膜层，暴露出掺杂衬垫氧化层；去除所述掺杂衬垫氧化层暴露出衬底。本发明能够避免形成在浅沟槽隔离结构两侧相邻的多晶硅栅极结构出现穿通或者短路现象。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制作方法-CN200610143398.X有效
发明人：李坤宪;黄正同;洪文瀚;丁世汎;郑礼贤;郑子铭;陈能国;许绍达;蔡腾群;黄建中 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：首先，提供一半导体基底，包括有一栅极结构，栅极结构具有一衬垫层位于相对的二侧壁上。之后，形成一应力覆盖层，覆盖于半导体基底、栅极结构与不具间隙壁的衬垫层上。
金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法-CN201010292403.X有效
发明人：杨芸;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供表面依次形成有衬垫氧化层和硬掩膜层的衬底；在所述硬掩膜层、衬垫氧化层和衬底内形成沟槽；形成填充所述沟槽的填充介质层；去除所述硬掩膜层，暴露出衬垫氧化层；对所述暴露出的衬垫氧化层进行掺杂离子注入，形成掺杂衬垫氧化层；去除所述掺杂衬垫氧化层暴露出衬底。本发明能够避免形成在浅沟槽隔离结构两侧相邻的多晶硅栅极结构出现穿通或者短路现象。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN201911355292.X在审
发明人：游家权;张家豪;林天禄;林佑明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：在一实施例中，半导体装置包括：自基板延伸的鳍状物，位于鳍状物的通道区上的栅极结构，位于鳍状物的源极/漏极区上的源极/漏极接点；沿着栅极结构的侧壁延伸的间隔物，沿着源极/漏极接点的侧壁延伸的衬垫层，位于栅极结构上并电性耦接至栅极结构的栅极接点通孔栅极接点通孔延伸穿过第一介电层，使第一介电层的一部分夹设于栅极接点通孔与间隔物之间。源极/漏极接点通孔延伸穿过第二介电层，使第二介电层的一部分夹设于源极/漏极接点通孔与衬垫层之间。
半导体装置与其形成方法

[发明专利]包括背面电源过孔的半导体器件及其形成方法-CN202310077425.1在审
发明人：郑柏贤;吴振诚;李资良;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在一个实施例中，半导体器件包括：导电特征，所述导电特征与栅极结构相邻；电介质层，所述电介质层在所述导电特征和所述栅极结构上；金属过孔，所述金属过孔嵌入在所述电介质层中；以及衬垫层，所述衬垫层在所述金属过孔和所述电介质层之间并且与所述金属过孔和所述电介质层接触，其中，所述衬垫层是氮化硼。
包括背面电源半导体器件及其形成方法

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