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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于在低K电介质蚀刻中减少反应离子蚀刻滞后的方法-CN201880038711.4有效
发明人：安热利克·D·雷利;克里斯托弗·科莱;安德鲁·W·梅斯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本文描述了用于以使蚀刻滞后效应最小化的方式蚀刻层，例如介电层，并且更具体地是低k介电层的基底处理技术。利用了多种蚀刻工艺。第一蚀刻工艺可以表现出蚀刻滞后。第二蚀刻工艺是可以包括沉积子步骤、吹扫子步骤和蚀刻子步骤的多步过程。第二蚀刻工艺可以表现出反向蚀刻滞后。第二蚀刻工艺可以是执行复数次沉积、吹扫和蚀刻子步骤的循环过程。第二蚀刻工艺可以是基于原子层蚀刻的工艺，并且更具体地是准原子层蚀刻。在蚀刻介电层时，第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺的组合可以提供期望的整体蚀刻滞后的净效应。
用于电介质蚀刻减少反应离子滞后方法

[发明专利]铝布线制作方法-CN200810202827.5有效
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种铝布线制作方法，包括：对铝布线执行第一蚀刻工艺，所述第一蚀刻工艺为反应离子蚀刻工艺，且不施加偏置电压；在所述第一蚀刻工艺后，对所述铝布线执行第二蚀刻工艺，形成铝布线图形，所述第二蚀刻工艺为施加偏置电压的反应离子蚀刻工艺所述铝布线制作方法弥补了由于蚀刻形成铝布线图形时的蚀刻速率差异而造成铝布线未蚀穿的蚀刻缺陷，从而避免了由于所述蚀刻缺陷而影响最终形成的半导体器件的质量。
布线制作方法

[发明专利]光伏装置的蚀刻工艺控制方法-CN200910210815.1无效
发明人：叶育修;刘华龙;刘正治;罗智文 -专利权人：均豪精密工业股份有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏装置的蚀刻工艺控制方法，其包括以下步骤：步骤1：将一晶片送入一蚀刻机台；步骤2：在所述蚀刻机台内测量、计算、记录所述晶片在蚀刻工艺前与蚀刻工艺后的某一特定物理量的差异，并由此计算、记录其蚀刻率；步骤3：由所述蚀刻机台自动判断所述蚀刻率与所述蚀刻机台内设的预定值是否有差异，若为否，则重新回到步骤1，若为是，则往下进行步骤4；步骤4：由所述蚀刻机台计算蚀刻工艺参数修正值；步骤5：由所述蚀刻机台自动修正其蚀刻工艺参数本发明是在光伏装置的蚀刻程序中，运用自动工艺回馈控制法来调整晶片的蚀刻率，以达到稳定的蚀刻工艺参数。
装置蚀刻工艺控制方法

[发明专利]使用各向同性和各向异性蚀刻工艺制造集成电路的方法-CN201880078588.9在审
发明人： S·A·德什庞德;J·斯劳特;聪海;杨韵武;N·蒂亚加拉贾;叶舒恺 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种制造磁阻设备的方法，包括：使用第一蚀刻工艺蚀刻磁阻堆叠以形成一个或多个侧壁；以及在形成所述一个或多个侧壁之后，使用第二蚀刻工艺来蚀刻叠层。其中，第二蚀刻工艺可以比第一蚀刻工艺相对更各向同性。
使用各向同性各向异性蚀刻工艺制造集成电路方法

[实用新型]半导体结构-CN202122809021.6有效
发明人：周辉星 -专利权人： PEP创新私人有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：具体地，通过多步蚀刻工艺(例如两步蚀刻工艺)形成通孔开口而不损坏接触垫。两步蚀刻工艺包括第一激光蚀刻工艺，使用普通脉冲(P)和普通能量(E)在所述覆盖层中形成通孔半开口；以及第二蚀刻工艺，使用低P和低E的激光蚀刻工艺或等离子蚀刻工艺。第二蚀刻工艺避免损坏所述接触垫。
半导体结构

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201911306956.3在审
发明人：冯玠宁;洪志昌;陈炳宏;林益安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法包括：形成栅极电介质层；在栅极电介质层的底部部分上方形成金属栅极条带；以及对金属栅极条带执行第一蚀刻工艺以移除金属栅极条带的一部分。第一蚀刻工艺是各向异性地执行的。在第一蚀刻工艺之后，对金属栅极条带执行第二蚀刻工艺以移除金属栅极条带的残留部分。第二蚀刻工艺包括各向同性蚀刻工艺。将电介质材料填充到由金属栅极条带的经蚀刻的部分和经蚀刻的残留部分留下的凹槽中。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111358508.5在审
发明人：周辉星 -专利权人： PEP创新私人有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：具体地，通过多步蚀刻工艺(例如两步蚀刻工艺)形成通孔开口而不损坏接触垫。两步蚀刻工艺包括第一激光蚀刻工艺，使用普通脉冲(P)和普通能量(E)在所述覆盖层中形成通孔半开口；以及第二蚀刻工艺，使用低P和低E的激光蚀刻工艺或等离子蚀刻工艺。第二蚀刻工艺避免损坏所述接触垫。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]用于微机电系统生产的蚀刻工艺-CN200880106707.3无效
发明人：颜小明;足·霍;戴维·希尔德;叶夫根尼·古塞夫;本杰明·W·赫茨勒;菲利普·弗洛耶;佐川照夫;安娜·隆代甘;约恩·比塔;托德·齐翁 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种制造机电装置的方法，所述方法包括以包括例如二氟化氙(XeF2)等稀有气体氟化物的蚀刻剂来蚀刻牺牲层的步骤。可以各种方式来增加蚀刻工艺的效率，且可降低蚀刻工艺的成本。在所述蚀刻工艺期间可隔离及再循环未使用的蚀刻剂。在所述蚀刻工艺期间，可收集蚀刻副产物并从蚀刻系统中移除所述蚀刻副产物。可隔离所述蚀刻剂的组分并将其用于一般额外蚀刻剂。还可针对特定蚀刻工艺将所述蚀刻剂或所蚀刻的层中的任一者或两者优化。
用于微机系统生产蚀刻工艺

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010311490.2在审
发明人：李健玮;宋学昌;李彦儒;林俊池;徐梓翔;杨丰诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一实施例中，方法包括形成栅极堆叠于鳍状物上；形成栅极间隔物于栅极堆叠的侧壁上；由非等向的第一蚀刻工艺蚀刻鳍状物，以形成与栅极间隔物相邻的第一凹陷；由第二蚀刻工艺蚀刻鳍状物，以自第一凹陷移除蚀刻残留物，且第二蚀刻工艺与第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；由非等向的第三蚀刻工艺蚀刻第一凹陷的表面以形成第二凹陷，第二凹陷延伸至栅极间隔物之下且具有V形下表面，且第三蚀刻工艺与第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；以及外延形成源极
半导体装置形成方法

[发明专利]金属硅化物阻挡结构形成方法-CN201019063033.X有效
发明人：石小兵;奚裴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明揭露了一种金属硅化物阻挡结构形成方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成阻挡层以及图形化光阻层；执行第一干法蚀刻工艺；执行第二干法蚀刻工艺，所述第二干法蚀刻工艺的功率小于所述第一干法蚀刻工艺的功率；执行湿法蚀刻工艺，以形成金属硅化物阻挡结构。本发明增加了第二干法蚀刻的步骤，该第二干法蚀刻步骤的蚀刻速率相对较低，可使蚀刻结果均匀一致，提高了半导体器件的性能。
金属硅阻挡结构形成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201010003888.6无效
发明人：陈能国;曾国华;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有鳍状体的半导体装置的制造方法，首先于基板上形成一图案化屏蔽，然后于基板内形成凹槽，并于凹槽中填入介电材料，之后将图案化屏蔽移除，并以一种或多种蚀刻工艺来内凹介电材料，其中前述蚀刻工艺的至少其中之一是用以移除沿着凹槽边墙所形成的围栏或防止前述围栏的形成前述蚀刻工艺可为例如采用NH3与NF3的等离子蚀刻工艺、采用富高分子气体的蚀刻工艺或氢气蚀刻工艺。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410186381.7有效
发明人：陈能国;曾国华;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有鳍状体的半导体装置的制造方法，首先于基板上形成一图案化屏蔽，然后于基板内形成凹槽，并于凹槽中填入介电材料，之后将图案化屏蔽移除，并以一种或多种蚀刻工艺来内凹介电材料，其中前述蚀刻工艺的至少其中之一是用以移除沿着凹槽边墙所形成的围栏或防止前述围栏的形成前述蚀刻工艺可为例如采用NH3与NF3的等离子蚀刻工艺、采用富高分子气体的蚀刻工艺或氢气蚀刻工艺。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于太阳能电池的基板、太阳能电池及太阳能电池制造方法-CN202080027292.1在审
发明人：金正培;姜俊荣;文香周;闵先基;徐正昊;辛源锡;申贤敎;尹永太;林庆辰 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明关于制造太阳能电池的方法，太阳能电池中形成有分割部，分割部用以将用于制造太阳能电池的基板分割成多个区块，此方法包含：准备基板的工艺、第一基板蚀刻工艺、第二基板蚀刻工艺以及第三基板蚀刻工艺。第一基板蚀刻工艺是在基板的一表面形成第一凹槽。第二基板蚀刻工艺是在第一凹槽中形成第二凹槽。第三基板蚀刻工艺是蚀刻包含第二凹槽的基板。分割部可包含第一凹槽及第二凹槽。
用于太阳能电池制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202011457562.0在审
发明人：沈香谷;黄健铭;陈翰仪;吕忠侑;蔡翔宇;吕志弘;陈文栋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一实施例的方法包括接收基板，其含有下侧接点结构；沉积第一介电层于基板上；形成金属‑绝缘层‑金属结构于第一介电层上；沉积第二介电层于金属‑绝缘层‑金属结构上；进行第一蚀刻工艺，形成开口延伸穿过第二介电层以露出金属‑绝缘层‑金属结构；进行第二蚀刻工艺，延伸开口穿过金属‑绝缘层‑金属结构，以露出第一介电层；以及进行第三蚀刻工艺，进一步延伸开口穿过第一介电层，以露出下侧接点结构。第一蚀刻工艺与第三蚀刻工艺的蚀刻剂包括氟，而第二蚀刻工艺的蚀刻剂不含氟。
半导体装置形成方法

[发明专利]通过溢料添加进行部分蚀刻记忆-CN201680032260.4有效
发明人：埃利奥特·弗兰克;维纳亚克·罗斯托吉;阿基特若·高;伊藤清人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：执行第一等离子体蚀刻工艺，该第一等离子体蚀刻工艺产生刻面化侧壁和期望拐点；使用氧等离子体、氮等离子体或组合的氧等离子体和氮等离子体的来执行第二等离子体蚀刻工艺，从而产生钝化层；以及执行第三等离子体蚀刻工艺，该第三等离子体蚀刻工艺利用刻面化侧壁和钝化层上的蚀刻化学物质的操作变量引起差异蚀刻速率，以在结构的近水平表面上实现突破，其中，所使用的第三等离子体蚀刻被配置成在衬底上产生下至底部停止层的目标侧壁轮廓。在执行第一等离子体蚀刻工艺、第二等离子体蚀刻工艺和/或第三等离子体蚀刻工艺的过程中，控制所选择的两个或更多个等离子体蚀刻变量，以便实现目标侧壁轮廓目的。
通过添加进行部分蚀刻记忆

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