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[发明专利]透射型液晶显示器件及其制造方法-CN200610100355.3无效
发明人：島田尚幸;梶谷優;岡本昌也;片山幹雄;咲花由和;山本明弘;中田幸伸;錦博彥;近藤直文;嵨田吉祐 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 1996-08-12 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种透射型液晶显示器件，包括栅极引线；源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极
透射液晶显示器件及其制造方法

[发明专利]透射型液晶显示器件及其制造方法-CN200810002479.7无效
发明人：島田尚幸;梶谷優;岡本昌也;片山幹雄;咲花由和;山本明弘;中田幸伸;錦博彦;近藤直文;嶋田吉祐 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 1996-08-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种透射型液晶显示器件，包括栅极引线；源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极
透射液晶显示器件及其制造方法

[发明专利]透射型液晶显示器件及其制造方法-CN200610003711.X无效
发明人：島田尚幸;梶谷優;岡本昌也;片山幹雄;咲花由和;山本明弘;中田幸伸;錦博彥;近藤直文;嵨田吉祐 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 1996-08-12 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种透射型液晶显示器件，包括栅极引线；源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极
透射液晶显示器件及其制造方法

[发明专利]多栅极隧道场效应晶体管（TFET）-CN201611103068.8在审
发明人： M·A·普尔加德里;A·阿莲 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种隧道场效应晶体管(TFET)，其包括半导体材料的源极‑沟道‑漏极结构。该源极‑沟道‑漏极结构包括n型或p型掺杂的源极区，与该源极区相反掺杂的漏极区和位于该源极区和该漏极区之间的固有或低掺杂的沟道区。该TFET进一步包括覆盖该沟道区的参考栅极结构，以及在该参考栅极结构旁的源极侧栅极结构，其中该源极侧栅极结构的功函和/或静电电位，以及该参考栅极结构的参考功函和/或静电电位被选择用于允许操作中的TFET器件的隧穿机制在该沟道区中在该源极侧栅极结构和该参考栅极结构之间的界面或界面区处发生。
栅极隧道场效应晶体管 tfet

[实用新型]电流镜像电路-CN201820003659.6有效
发明人： M·帕索蒂;L·卡佩奇;R·祖尔拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种电流镜像电路包括：输入分支，包括具有源极节点、栅极节点和漏极节点的第一晶体管，其中源极节点耦合到电源电压节点，并且栅极节点耦合到漏极节点；输出分支，包括具有源极节点、栅极节点和漏极节点的第二晶体管，其中源极节点耦合到电源电压节点；第一开关，将第二晶体管的栅极节点耦合到第一晶体管的栅极节点；复制分支，包括具有源极节点、栅极节点和漏极节点的第三晶体管，其中源极节点耦合到电源电压节点，并且栅极节点直接连接到第一晶体管的栅极节点；以及源极跟随器晶体管，具有源极节点、栅极节点和漏极节点，其中源极节点直接连接到第一晶体管和第三晶体管的连接的栅极节点，并且栅极节点耦合到第三晶体管的漏极节点。
栅极节点晶体管源极节点漏极节点耦合到电源电压节点电流镜像电路源极跟随器晶体管第一开关输出分支输入分支复制

[实用新型]高压栅极驱动电路、浮地驱动电路和高压栅极源极驱动电路-CN201820880209.5有效
发明人：吴玉强;黄朝刚;李剑 -专利权人：泉芯电子技术（深圳）有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型涉及栅极驱动电路、浮地驱动电路和栅极源极驱动电路，该栅极驱动电路的稳压电路经芯片引脚接输入电压，驱动电路接稳压电路；驱动电路接脉冲信号、接地和经芯片引脚接输入电压，经驱动脉冲接开关管栅极，源极接地，漏极经负载和外围接输入电压。该栅极浮地驱动电路与前述电路区别：接地均为浮地，开关管漏极接输入电压，源极接芯片接浮地，源极接负载和外围接外部电容一端，另一端接输入电压。该高压栅极源极驱动电路与前述电路区别：经VCC引脚接MOS管栅极，稳压电路经VDD引脚接驱动电路接脉冲信号、输入电压和接地，经驱动脉冲接开关管栅极，源极接地，漏极接MOS管源极，漏极经负载和外围接输入电压并经外部电容接地
驱动电路输入电压浮地接地漏极高压栅极源极源极驱动电路栅极驱动电路开关管栅极脉冲信号驱动脉冲外部电容芯片引脚源极接地外围稳压电电路本实用新型接驱动电路稳压电路栅极源极开关管芯片

[发明专利]一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线方法-CN202010557344.8在审
发明人：朱袁正;周锦程;朱久桃;丛微微 -专利权人：无锡电基集成科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线方法，可有效抑制功率芯片源极边缘位置的温度上升，避免雪崩击穿时局部过热问题产生，包括功率芯片、源极金属引脚、栅极金属引脚、栅极金属线、源极金属线、漏极金属引脚、漏极金属垫片，功率芯片表面设置有源极、栅极、漏极，功率芯片的源极通过源极金属线与源极金属引脚连接，功率芯片的栅极通过栅极金属线与栅极金属引脚连接，功率芯片底端的漏极与漏极金属垫片焊接，漏极金属引脚从漏极金属垫片上引出，功率芯片的源极上设置有金属电流桥，金属电流桥为点状或线状。
一种提高功率芯片表面电流均匀方法

[实用新型]一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线结构-CN202021142127.4有效
发明人：朱袁正;周锦程;朱久桃;丛微微 -专利权人：无锡电基集成科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线结构，可有效抑制功率芯片源极边缘位置的温度上升，避免雪崩击穿时局部过热问题产生，包括功率芯片、源极金属引脚、栅极金属引脚、栅极金属线、源极金属线、漏极金属引脚、漏极金属垫片，功率芯片表面设置有源极、栅极、漏极，功率芯片的源极通过源极金属线与源极金属引脚连接，功率芯片的栅极通过栅极金属线与栅极金属引脚连接，功率芯片底端的漏极与漏极金属垫片焊接，漏极金属引脚从漏极金属垫片上引出，功率芯片的源极上设置有金属电流桥，金属电流桥为点状或线状。
一种提高功率芯片表面电流均匀结构

[发明专利]后端有源组件、半导体组件以及半导体芯片-CN202210426592.8在审
发明人：高韵峯;姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：有源组件包括：通道层；顶源极/漏极电极，设置于通道层的顶侧；第一与第二底源极/漏极电极，设置于通道层的底侧；第一与第二栅极结构，位于顶源极/漏极电极与第一底源极/漏极电极之间，其中第一栅极结构包括非铁电介电层，且第二栅极结构包括铁电层；以及第三与第四栅极结构，位于顶源极/漏极电极与第二底源极/漏极之间，其中第三栅极结构包括非铁电介电层，且第四栅极结构包括铁电层。
后端有源组件半导体以及芯片

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201911141072.7在审
发明人：游家权;张家豪;林天禄;林佑明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一个实施例中，一个根据本公开的半导体装置包含延伸自基板的鳍片、位于鳍片的通道区上的栅极结构、位于鳍片的源极/漏极区上的源极/漏极接触件、与栅极结构相邻的栅极切割部件、与源极/漏极接触件相邻的源极/漏极接触隔离部件、沿着栅极切割部件延伸的侧壁及栅极结构的侧壁延伸的间隔物、沿着源极/漏极接触隔离部件的侧壁及源极/漏极接触件的侧壁延伸的衬层、及被间隔物及衬层夹住的气隙。栅极切割部件及源极/漏极接触隔离部件被间隔物、气隙、及衬层分离。
半导体装置及其形成方法

[实用新型]电子器件-CN201821353095.5有效
发明人： B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼;E·M·莱恩翰;K·K·黄;Z·豪森 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述电子器件可包括具有栅极电极、第一部分和第二部分的晶体管，其中沿着所述栅极电极，所述晶体管的所述第一部分具有第一栅极‑漏极电容和第一栅极‑源极电容，所述晶体管的所述第二部分具有第二栅极‑漏极电容和第二栅极‑源极电容，并且所述第一栅极‑漏极电容与所述第一栅极‑源极电容之比小于所述第二栅极‑漏极电容与所述第二栅极‑源极电容之比。
源极电容电容漏极电子器件晶体管栅极电极

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN202110766251.0在审
发明人：马涛;艾飞 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基底、公共电极层、栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极金属层，公共电极层设于基底上，栅极层设于公共电极层远离基底的一侧，栅极绝缘层覆盖栅极层和公共电极层，有源层设于栅极绝缘层远离基底的一侧，源漏极金属层设于有源层远离基底的一侧，源漏极金属层包括源极和漏极，源极和漏极之间形成沟道。本发明通过将设于层间介质层上的公共电极层移至基底上，由于公共电极层和源漏极金属层之间设有栅极绝缘层和栅极层，而栅极绝缘层的厚度较大，则能够减小公共电极层与源漏极金属层之间的电容，避免重载画面异常显示，有利于提升显示效果
阵列及其制备方法

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN201911355292.X在审
发明人：游家权;张家豪;林天禄;林佑明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：在一实施例中，半导体装置包括：自基板延伸的鳍状物，位于鳍状物的通道区上的栅极结构，位于鳍状物的源极/漏极区上的源极/漏极接点；沿着栅极结构的侧壁延伸的间隔物，沿着源极/漏极接点的侧壁延伸的衬垫层，位于栅极结构上并电性耦接至栅极结构的栅极接点通孔，以及位于源极/漏极接点上并电性耦接至源极/漏极接点的源极/漏极接点通孔。栅极接点通孔延伸穿过第一介电层，使第一介电层的一部分夹设于栅极接点通孔与间隔物之间。源极/漏极接点通孔延伸穿过第二介电层，使第二介电层的一部分夹设于源极/漏极接点通孔与衬垫层之间。
半导体装置与其形成方法

[发明专利]FINFET接触及其形成方法-CN202010848997.1在审
发明人：张简鹏崇;廖高锋;萧钧文;何信颖;庄胜超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种器件，包括：半导体鳍，从衬底突出；位于半导体鳍上方的第一栅极堆叠和位于半导体鳍上方的第二栅极堆叠；位于邻近第一栅极堆叠的半导体鳍中的第一源极/漏极区域和位于邻近第二栅极堆叠的半导体鳍中的第二源极/漏极区域；位于第一栅极堆叠上的第一层第一电介质材料和位于第二栅极堆叠上的第二层第一电介质材料；第一源极/漏极接触，位于第一源极/漏极区域上并邻近第一栅极堆叠；第一层第二电介质材料，位于第一源极/漏极接触的顶表面上；以及第二源极/漏极接触，位于第二源极/漏极区域上并邻近第二栅极堆叠，其中，第二源极/漏极接触的顶表面不含第二电介质材料。
finfet 接触及其形成方法

[发明专利]有机薄膜晶体管-CN201710324191.0有效
发明人：林冠峄;唐文忠;陈柏炜;许毓麟 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管，包含基板、源极/漏极层、第一缓冲层、半导体层、栅极绝缘层与栅极。源极/漏极层位于基板上。源极/漏极层具有源极区与漏极区。第一缓冲层位于源极区与漏极区之间，且第一缓冲层覆盖至少部分的源极区与至少部分的漏极区。半导体层位于源极/漏极层与第一缓冲层上。第一缓冲层位于半导体层、源极区、漏极区与基板之间。栅极绝缘层覆盖源极/漏极层与半导体层。栅极位于栅极绝缘层上，且栅极绝缘层的一部分位于栅极与半导体层之间。第一缓冲层可用来填补源极区与漏极区之间的空间，避免半导体层形成在源极区与漏极区的楔形底切结构上，使半导体层具有均匀的厚度，能提升有机薄膜晶体管的电性稳定性。
有机薄膜晶体管