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[实用新型]一种新型Toll封装测试板结构-CN202221410838.4有效
发明人：李小建;侯辉;陈天鹰;杨芹 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型Toll封装测试板结构，包括底板，底端设有三个针脚，内部设有三条传输通道；漏极模块，设有两个漏极引脚点和一个漏极接点；栅极模块设有一个栅极引脚点；源极模块设有一个源极引脚点；三个针脚分别与栅极模块、漏极模块和源极模块通过三条传输通道连接；三条传输通道分别通过漏极接点、栅极引脚点和源极引脚点连接；源极模块和漏极模块之间设有沟槽。本实用新型以开尔文四线制的方式，配合在源极和栅极之间设置的沟槽，可以有效消除线路自身阻抗对测试数值准确度带来的干扰，也增大了引脚间的间距，降低了引脚的短接故障，有效限制了源极和栅极之间的漏电增加。
一种新型 toll 封装测试板结

[发明专利]包括多芯片膜封装件的显示设备-CN202210382086.3在审
发明人：崔喆皓;宋容周 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种显示设备包括显示面板和多芯片膜封装件，所述显示面板包括被配置为接收图像信号的数据线、被配置为接收扫描信号的栅极线以及被配置为向所述栅极线传输所述扫描信号的栅极连接线；所述多芯片膜封装件包括位于膜上的第一栅极集成电路(IC)、第二栅极IC和源极IC，所述第一栅极IC被配置为通过第一栅极输出线向所述栅极连接线传输第一扫描信号，所述第二栅极IC被配置为通过第二栅极输出线向所述栅极连接线传输第二扫描信号，所述源极IC被配置为通过源极输出线向所述数据线传输所述图像信号每条所述第一栅极输出线位于所述源极输出线中的两条相邻的源极输出线之间，每条所述第二栅极输出线位于所述源极输出线中的另外两条相邻的源极输出线之间。
包括芯片封装显示设备

[发明专利]多栅极场板结构HEMT器件及其制备方法-CN202011512867.7在审
发明人：孙慧卿;夏晓宇;夏凡;马建铖;李渊;谭秀洋;张淼;郭志友;黄志辉;丁霄;王鹏霖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-20 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及多栅极场板结构HEMT器件及其制备方法，包括位于AlGaN层上的源极、第一钝化层、p型GaN区和漏极，源极和漏极位于第一钝化层的两端，p型GaN区位于第一钝化层中靠近源极；第二钝化层，形成于第一钝化层的表面；栅极形成于第二钝化层中，与p型GaN区的上表面接触；浮空栅极场板形成于栅极与漏极之间的第二钝化层中，位于第一钝化层的上表面，浮空栅极场板靠近栅极，与源极连接的源极场板，自源栅区域延伸至部分栅漏区域；与漏极连接的漏极场板其通过设置多栅极场板结构和源/漏场板之间的分布方式有效扩大了耗尽区域，扩宽了栅极与其之间的电场分布，提高了击穿电压。
栅极板结 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]增强型氮化镓器件以及器件的制作方法-CN202211255572.5在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;樊蓉;杨妍楠;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型氮化镓器件，包括：衬底；沿远离衬底方向依次形成于衬底上的沟道层以及势垒层；形成于势垒层上的漏极、栅极和源极；钝化层，钝化层位于势垒层上，且覆盖所述栅极、源极与漏极，并填充栅极与源极以及栅极与漏极之间的间隙；金属互连层，贯穿钝化层，且分别与漏极、栅极和源极连接；栅极场板，栅极场板覆盖于栅极顶端的钝化层的表面上，且与源极金属互连层接触；其中，栅极包括：沿远离势垒层的方向依次形成的p‑GaN层、三族氮化物薄层以及栅金属层因而本发明提供的技术方案可有效抑制器件的栅极漏电，及长期栅极电应力下产生的栅极击穿问题，实现了提高器件栅控能力和可靠性的目的。
增强氮化器件以及制作方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN201610943990.1有效
发明人：傅淑芳;黄崎峰;陈家忠;梁其翔;蔡辅桓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置，包括由衬底延伸的鳍片、第一源极/漏极特征、第二源极/漏极特征以及在鳍片上的栅极结构。栅极结构以及第一源极/漏极特征之间的距离不同于栅极结构以及第二源极/漏极特征之间的距离。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210204910.6在审
发明人：松本拓也 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供可小型化的半导体装置，具备：基板；第一源极指，设置于基板上；第一栅极指，在宽度方向上相邻地沿着第一源极指而设置于基板上；第一漏极指，与第一源极指隔着第一栅极指；第二源极指，相对于第一源极指设置于延伸方向的基板上，在延伸方向上延伸；第二栅极指，在宽度方向上相邻地沿着第二源极指而设置于从第一栅极指起位于延伸方向的基板的区域上；第二漏极指，与第二源极指隔着第二栅极指；第一栅极布线，与第一栅极指的第一端连接不与第二栅极指连接，在宽度方向上延伸，第一部位处的第一栅极布线在延伸方向的宽度比第二部位处的宽度小，第一部位的第二栅极指侧端位于比第二部位的第二栅极指侧端靠第一栅极指侧处。
半导体装置

[发明专利]一种新型氮化镓基功率器件及其制备方法-CN202210972629.7在审
发明人：黄汇钦;吴龙江;曾健忠 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种新型氮化镓基功率器件及其制备方法，新型氮化镓基功率器件包括：衬底层、缓冲层、氮化镓层、势垒层、源极层、栅极层、漏极层、源极电极、栅极电极以及漏极电极，通过由设有肖特基接触的第一栅极区和设有欧姆接触的第二栅极区形成栅极层，从而使得新型氮化镓基功率器件具有两种栅极，当器件的漏极与源极之间的电压升高至栅极触发电压时，由于第二栅极区具有电导调变效应，使得大量的空穴从栅极流入二维电子气构成的通道内，降低了漏极与源极之间的内阻，此时源漏极电压形成一个负反馈机制，可以达到抑制器件的源漏极电压的效果，提升了开关器件应用于高负载电感场景时的可靠性。
一种新型氮化功率器件及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板-CN201610439706.7在审
发明人：徐攀;李永谦 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管，包括栅极、栅绝缘层、源漏极和有源区；还包括辅助连接层；所述源漏极在所述栅极所在平面上的正投影与所述栅极分离；所述有源区与所述栅极相对设置，且所述栅极在所述源漏极连接线上的尺寸不小于所述有源区在该连接线上的尺寸；所述辅助连接层连接所述有源区和所述源漏极。该薄膜晶体管，可消除栅极和源漏极之间的电容。
薄膜晶体管及其制备方法阵列显示面板

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202110504459.5有效
发明人：沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在实施例中，器件包括：栅极结构，位于衬底上方；栅极间隔件，与栅极结构相邻；源极/漏极区域，与栅极间隔件相邻；第一层间电介质(ILD)，位于源极/漏极区域上，第一ILD具有第一杂质浓度；以及第二ILD，位于第一ILD上，第二ILD具有第二杂质浓度，第二浓度小于第一浓度，第二ILD、栅极间隔件和栅极结构的顶面共面；以及源极/漏极接触件，延伸穿过第二ILD和第一ILD，源极/漏极接触件耦接至源极/漏极区域。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202110076712.1在审
发明人：叶泓佑;林宗毅;潘韻如;刘致为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体装置包含第一半导体鳍、第二半导体鳍、多个第一源极/漏极特征部、多个第二源极/漏极特征部、第一栅极结构、第二栅极结构、第一垂直环绕式栅极晶体管及第二垂直环绕式栅极晶体管。第一源极/漏极特征部位于第一半导体鳍的相对侧上。第二源极/漏极特征部位于第二半导体鳍的相对侧上。第一栅极结构位于第一半导体鳍上。第二栅极结构位于第二半导体鳍上。第一垂直环绕式栅极晶体管位于第一源极/漏极特征部中的一者上。第二垂直环绕式栅极晶体管位于第二源极/漏极特征部中的一者上。
半导体装置

[发明专利]互补式金属氧化物半导体晶体管元件及其制作方法-CN200510091053.X有效
发明人：林建廷;陈亮玮;许哲华;李孟麟;张惠贞;萧维沧 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种CMOS晶体管元件，包括：第一晶体管，其包括第一栅极，介于第一栅极与半导体衬底间的栅极氧化层，于第一栅极侧壁上的偏侧壁子，注入偏侧壁子一侧的第一轻掺杂漏极/源极区域，注入第一轻掺杂漏极/源极区域旁的第一重掺杂漏极/源极区域，及具有第一应力状态的第一蚀刻停止层；第二晶体管，包括第二栅极，介于第二栅极与半导体衬底间的栅极氧化层，位于第二栅极侧壁上的氮化硅侧壁子，注入氮化硅侧壁子之下的第二轻掺杂漏极/源极区域，注入第二轻掺杂漏极/源极区域旁的第二重掺杂漏极/源极区域，及具有第二应力状态的第二蚀刻停止层。
互补金属氧化物半导体晶体管元件及其制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板-CN202310540545.0在审
发明人：王利忠;宁策;胡合合;周天民;宋吉鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板，该薄膜晶体管包括：源极，包括源极走线和多个源极分支；漏极，包括漏极走线和多个漏极分支；栅极；半导体层；多个源极分支、多个漏极分支与半导体层接触，分为多个单元；源极走线和漏极走线平行且间隔设置；多个单元设置在源极走线与相邻的漏极走线之间的区域，单元的源极分支与同一根源极走线电连接，单元的漏极分支与同一根漏极走线电连接；栅极在衬底基板上的正投影与时钟脉冲信号走线在衬底基板上的正投影不重叠，栅极上连接有栅极走线。本公开提供的薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板，解决薄膜晶体管源、漏极分支高聚集布置导致热量聚集的问题。
一种薄膜晶体管栅极驱动电路阵列

[发明专利]液晶显示器及其驱动方法、电子装置-CN201610685890.3有效
发明人：赵丽;陈帅 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶显示器的驱动方法，包括如下步骤：时序控制器向源极驱动器输出源极使能信号；向栅极驱动器输出栅极使能信号；所述源极驱动器接收所述源极使能信号，并基于所述源极使能信号降低输出至源极线的源极驱动信号的占空比；所述栅极驱动器接收所述栅极使能信号，并基于所述栅极使能信号降低输出至栅极线的栅极驱动信号的占空比。
液晶显示器及其驱动方法电子装置

[发明专利]静电防护电路、阵列基板及显示装置-CN202211354416.4在审
发明人：刘欢;郑浩旋 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：该静电防护电路包括：第一晶体管，具有第一栅极、第一源/漏极和第二源/漏极，第一栅极与第一源/漏极电连接且作为第一输入端；第二晶体管，具有第二栅极、第三源/漏极和第四源/漏极，第二栅极与第三源/漏极电连接且作为第二输入端；第三晶体管，具有第三栅极、第五源/漏极和第六源/漏极，第五源/漏极和第六源/漏极分别电连接于第一输入端和第二输入端；第一电容器，包括第一电极和第二电极，第二源/漏极和第三栅极电连接于第二电极，第四源/漏极电连接于第一电极，以在静电释放时用于保持第三晶体管导通。
静电防护电路阵列显示装置

[发明专利]高电压装置-CN201110421137.0有效
发明人： G·张;P·R·维尔马;B·朱 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该装置区域包含定义于该衬底上的源极区域、栅极区域、及漏极区域。该衬底制备有在该衬底上的栅极层。图案化该栅极层以形成在该栅极区域中的栅极及形成围绕该漏极区域的场结构。形成分别在该源极区域及漏极区域中的源极及漏极。该漏极在该栅极的第二侧上与该栅极分开且该源极相邻于该栅极的第一侧。形成互连至该场结构。该互连耦合至电位，该电位在该栅极的第二侧及该漏极间将该电场分布横越该衬底。
电压装置