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- [发明专利]用于照亮粒子的设备以及用于粒子成像的系统和方法-CN201880083259.3有效
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刘诚迅;D·韦克吕斯;N·范瑞伦;A·尤特
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IMEC非营利协会
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2018-12-19
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2023-09-26
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G01N15/14
- 一种用于照亮粒子的设备(110)，包括：被布置在衬底(114)上的光波导(112；412a、412b；512a、512b)；被配置成输出形成片状形状的光束(150；450a、450b；550a、550b)的输出耦合器(118)，该片状形状具有在第一方向上的延伸大于粒子尺寸的横截面；以及被布置在所述衬底(114)上的流体通道(116；416；516)，所述流体通道用于沿着所述流体通道(116；416；516)的纵向方向引导粒子流；其中该光束(150；450a、450b；550a、550b)的片状形状被布置在流体通道(116；416；516)内，并且该光束(150；450a、450b；550a、550b)的横截面的第一方向与流体通道(116；416；516)的纵向方向成一角度。一种用于对该粒子进行成像的系统(100)，包括该设备、光检测元件(132；432a、432b；532)的阵列(130；430a、430b；530)、以及透镜(120)，该透镜将光会聚到该阵列(130；430a、430b；530)以使得每一个光检测元件(132；432a、432b；532)检测源自流体通道(116；416；516)中的对应位置的光。
- 用于照亮粒子设备以及成像系统方法
- [发明专利]对目标层设定图案的方法-CN201810652653.6有效
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F·拉扎里诺
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IMEC非营利协会
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2018-06-22
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2023-07-25
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H01L21/027
- 根据本发明构思的一方面，提供了一种用于图案化目标层的方法，该方法包括：在目标层上方形成线掩模和心轴掩模，其中形成线掩模包括形成在纵长方向上延伸的平行材料线，其中形成心轴掩模包括形成具有侧壁的心轴掩模，该侧壁至少包括横向于多个材料线延伸的第一侧壁；该方法还包括：在心轴掩模的侧壁上形成侧壁间隔件，该侧壁间隔件包括沿着第一侧壁延伸的第一侧壁间隔件部分；部分地移除侧壁间隔件，使得侧壁间隔件的剩余部分包括第一侧壁间隔件部分的至少一部分；和在移除心轴掩模之后，将由线掩模和侧壁间隔件的剩余部分限定的图案转移到目标层中。
- 目标设定图案方法
- [发明专利]一种图案化方法-CN201910540801.X有效
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F·拉扎里诺;V·M·布兰克
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IMEC非营利协会
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2019-06-21
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2023-04-28
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G03F7/16
- 根据一个方面，提供了一种图案化方法，包括：使用第一掩模层作为蚀刻掩模来在上记忆层中图案化一组上沟槽；在下记忆层中图案化第一组下沟槽，所述图案化包括将经图案化的上记忆层、间隔件层和第一块图案用作为蚀刻掩模，其中所述第一下沟槽的至少一个子集被沟槽间断所中断；在经图案化的下记忆层和第二块图案上方形成第二掩模层，其中一组沟槽使用光刻和蚀刻来被形成在第二掩模层中；使用第二掩模层、间隔件层和第二块图案作为蚀刻掩模来在经图案化的下记忆层中图案化第二组下沟槽，其中所述第二下沟槽的至少一个子集被沟槽间断所中断；以及在目标层中在第一组下沟槽下方图案化第一组目标沟槽和在第二组下沟槽下方图案化第二组目标沟槽。
- 一种图案方法
- [发明专利]柔性超声阵列-CN202080015890.7有效
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D·钱斯;郑容彬;X·罗滕伯格
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IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学
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2020-03-12
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2022-10-18
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B06B1/06
- 本发明提供了一种用于超声监测系统的用于检查弯曲物体的柔性超声换能器(1)。超声换能器(1)包括集成电路结构(7)和多层结构(2)，所述多层结构(2)包括超声换能元件(3a)的阵列(3)以及控制电路(5a)的阵列(5)，阵列(3)被布置在第一层结构(4)中并被配置成产生沿主换能器轴Z传播的超声能量的，阵列(5)被布置在第二层结构(6)中，并且其中该控制电路的阵列(5)以及该集成电路结构(7)被配置成操作所述第一层结构(4)中的超声换能元件的阵列(3)，该多层结构(2)进一步包括至少一个柔性层(8、9)，该至少一个柔性层(8、9)被布置成使得该多层结构(2)的弯曲柔性准许该超声换能器(1)在操作期间形成与所述弯曲物体的连续接触。
- 柔性超声阵列
- [发明专利]FET器件和用于形成FET器件的方法-CN202111525961.0在审
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朱利安·瑞克特;直人堀口;曾文德
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IMEC非营利协会
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2021-12-14
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2022-06-24
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H01L29/78
- 根据一方面，提供了一种FET器件。FET器件包括公共源极本体部分和从其沿第一横向方向突出的一组源极层叉齿。第一介电层部分布置在这些源极层叉齿之间的空间中。器件还包括公共漏极本体部分和沿第一横向方向突出的一组漏极层叉齿。第二介电层部分布置在漏极层叉齿之间的空间中。器件还包括栅极本体，栅极本体包括公共栅极本体部分以及从其沿与第一横向方向相对的第二横向方向突出的一组栅极叉齿。每个栅极叉齿形成在相应的一对第一与第二介电层部分之间。器件还包括沟道区，沟道区包括一组沟道层部分。每个沟道层部分在相应的一对源极层叉齿与漏极层叉齿之间延伸。这些沟道层部分被布置在栅极叉齿之间的空间中。还提供了一种用于形成FET器件的方法。
- fet器件用于形成方法
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