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[发明专利]支持热插拔低压降电源自动切换二选一系统-CN202310873278.9在审
发明人：周罡 -专利权人：西安华泰半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种支持热插拔低压降电源自动切换二选一系统，该系统包括带失调电压比较器、逻辑处理电路、驱动电路、开关管、电平判断电路、可变衬底切换(CRCB)电路。带失调电压比较器输入一端连接电芯用于产生比较电压VIN1，另一端连接充电器用于产生比较电压VIN2，所述的输入电压通过带失调电压比较器输出对应的比较电压连接至逻辑处理电路；所述的带失调电压比较器用于提高电压比较阈值，从而降低电压切换时的压降；所述的逻辑处理电路输出对应的驱动电路使能信号和CRCB电路内部逻辑输入信号；所述的驱动电路使能信号分别控制两路开关管的开启和关闭，以及电平判断电路的高低电平输入；所述的电平判断电路输出结果作为CRCB电路内部逻辑的另一输入信号；所述的CRCB电路两路输入信号通过逻辑处理提前改变开关管的衬底方向，从而进一步减小输出高低电平切换时的压降。
支持热插拔低压电源自动切换二选一系统

[发明专利]一种自适应开关检测处理方法及电路-CN202311026672.5在审
发明人：陈靖文;黄涛涛;林鸿武;丁波文;李秋明 -专利权人：深圳率能半导体有限公司
申请日： 2023-08-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种自适应开关检测处理方法，包括H桥电路模块处于第一工作状态时，持续检测所述H桥电路模块的工作状态是否发生变化；若检测第一场效应管、第三场效应管、第二场效应管和第四场效应管的工作状态发生变化时，所述H桥电路模块进入第二工作状态；H桥电路模块进入第二工作状态时，比较参考电压和输出端电压的大小，判断是否打开对应通道的场效应管进入第三工作状态。自适应开关检测处理方法当检测到需要释放的电流大于预设值时，打开相应的H桥的场效应管MOS，通过场效应管的沟道释放电流。达到发热量少、功耗低和保护芯片的技术效果。
一种自适应开关检测处理方法电路

[发明专利]一种无源混合功率控制回路与控制方法-CN202310688772.8在审
发明人：张熀松;祁鹍 -专利权人：南京协澳智能控制系统有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：一种无源混合功率控制回路，包括：一个满足电磁兼容四级要求、交直流通用、宽范围动作电压的快速启动和延时断电的电源单元；基于高性能微处理器的主控单元，连接到一个由继电器和大功率半导体器件组成的直流或交流混合功率单元；电源单元给主控单元混合功率单元供电；输出反馈电路则实时返回输出电压至降压电路FB脚实时调节降压电路的输出电压；主控单元输出接开关管Q1，混合功率继电器RL2与开关管Q1并联，并与第一与第三继电器串联在载流回路中。本发明控制回路及控制方法包括通过大功率半导体器件和继电器的组成的混合功率单元并控制其导通和断开时序解决了目前长期通断大负载的发热问题和断负载拉弧的问题，提高运行的稳定性。
一种无源混合功率控制回路方法

[发明专利]用于谐振开关电容转换器的控制模块和对应方法-CN202310461369.1在审
发明人： A·尼克罗西;A·法里纳;E·伯尼佐尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本公开涉及用于谐振开关电容转换器的控制模块和对应方法。一种用于具有电感器的谐振开关电容转换器的控制模块，包括控制器级，生成指示控制量的控制信号的输入级，生成指示时间量的持续时间信号的延迟级，以及指示电感器电流的过零点的电路。如果控制量是可变的，则输入级将控制量钳位到控制阈值。当在正常模式中时，控制器级控制转换器以执行具有取决于过零点和时间量的定时的阶段序列，因此转换器生成取决于时间量的输出电流，并被防止降到最小电流以下。如果输出电压达到上阈值，则控制器级切换到脉冲跳跃模式以暂停阶段序列，并且在输出电压下降到下阈值之后恢复阶段序列。
用于谐振开关电容转换器控制模块对应方法

[发明专利]驱动电路、电机驱动电路、电荷泵及电机设备-CN202311162770.1在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：拓尔微电子股份有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请提供一种驱动电路、电机驱动电路、电荷泵及电机设备，属于电路技术领域。该驱动电路包括：电压反馈模块、控制模块、第一充放电模块以及多个开关；电压反馈模块用于基于第一充放电模块的两端的电压、参考电压以及控制模块的第一端输出的控制信号，生成并输出相应的反馈信号；控制模块用于控制第二开关、第三开关以及第四开关的通断，并根据反馈信号控制第一开关的通断，以使得第一开关和第四开关同时导通并向第一充放电模块充电，并使得第二开关和第三开关同时导通，以经由第二开关和第三开关向驱动电路连接的外部设备供电。本申请可以达到通过降低驱动电路的生产成本，进而降低电荷泵以及电机的生产成本的效果。
驱动电路电机电荷设备

[发明专利]电压转换系统与芯片-CN202311198724.7在审
发明人：王强 -专利权人：深圳市思远半导体有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请公开了一种电压转换系统与芯片。电压转换系统包括电压转换电路、钳位电路与驱动电路。其中，电压转换电路在接收到驱动信号时将第一电压转换为第二电压，并用于在未接收到驱动信号时停止将第一电压转换为第二电压。钳位电路分别与电压转换电路及驱动电路连接，钳位电路在第二电压小于或等于第一电压与基准电压之和时输出第一使能信号至驱动电路，并在第二电压大于第一电压与基准电压之和时停止输出第一使能信号。驱动电路在接收到第一使能信号时输出驱动信号，并在未接收到第一使能信号时停止输出驱动信号。通过上述方式，能够在电压转换电路输出的电压过大时停止输出电压，以防止损坏负载开关等器件。
电压转换系统芯片

[发明专利]驱动装置和电子设备-CN202110929027.9有效
发明人：史林然;涂大锐;周建平;周围;王文兵;李润超 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种驱动装置和电子设备，该驱动装置包括边缘控制发生模块、第一驱动模块、第二驱动模块和开关模块。通过边缘控制发生模块间隔输出第一边缘控制信号和第二边缘控制信号，利用第一边缘控制信号控制第一驱动模块向开关模块输出第一边缘驱动信号，利用第二边缘控制信号控制第二驱动模块向开关模块输出第二边缘驱动信号，使得电力电子器件在第一边缘驱动信号、第二边缘驱动信号的控制下导通、截止。在本发明实施例的方案中，无需为维持电力电子器件导通而给出持续为高的电平，维持电力电子器件持续导通所需的能量少、驱动损耗小，有利于减小驱动装置的体积。
驱动装置电子设备

[发明专利]一种正负电源供电半桥电路的驱动电路及其驱动方法-CN201811367902.3有效
发明人：张志阳;朱伟龙;周向红;王毅;张小龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种正负电源供电半桥电路的驱动电路及其驱动方法，包括死区时间设置电路、第一电压自举电路、第二电压自举电路、第一瞬时共态抑制电路、第二瞬时共态抑制电路及半桥驱动电路。所述死区时间设置电路可根据实际使用要求设置死区时间为：100ns～10μs，以避免互补MOS管因共态导通而烧毁；电压自举电路由自举电容和稳压二极管组成，实现对互补MOS管的有效控制；瞬时共态抑制电路通过晶体管开关与对应MOS管的反相控制，抑制互补MOS管“导通”与“关断”状态切换过程中的瞬态共态导通，消除互补MOS管因瞬态共态导通而损坏。
一种正负电源供电电路驱动及其方法

[发明专利]一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路-CN202111357465.9有效
发明人：钟铭浩;刘莉;马海伦;郭建飞;何佳俊;李浩;常帅军;王梓名;欧树基 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明属于电力电子驱动技术领域，公开了一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，包括上桥臂的基本驱动电路和下桥臂的基本驱动电路，在下桥臂的基本驱动电路中引入p‑mos管、电阻R3和电阻R4，电阻R3的左端与p‑mos管P1的栅极相连，电阻R3的右端同时与p‑mos管P1源极、肖特基二极管VD阴极和电阻R4相连，肖特基二极管VD阳极与p‑mos管P1漏极相连；电阻R5、n‑mos管M1和n‑mos管M2构成电流镜结构，M1和M2共栅共源，电流镜共栅端与p‑mos管P1漏极相连。本发明利用了去耦电容法和有源抑制法的优势，有效抑制了串扰，使得栅驱动电路能稳定正常工作；并且，本发明没有使用额外控制源去控制电流镜，使用去耦电容不会影响功率管开关速度。
一种 sic mosfet 功率器件栅极抑制电路

[实用新型]用于功率器件的栅极驱动电路-CN202320330288.3有效
发明人：徐涵;刘成;叶念慈;徐宁;秦梓伦 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于功率器件的栅极驱动电路，包括：调节电路，包括串联连接的可调变阻器、二极管和电容器，电容器的一端连接至功率器件的栅极；推挽电路，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的源极和第二晶体管的漏极分别连接至所述功率器件的栅极；反相器电路，用于接收外部输入的控制信号且对控制信号进行反相处理，控制信号经过一级反相处理输出至第二晶体管的栅极，控制信号经过二极反相处理输出至第一晶体管的栅极；调节电路和反相器电路协同作用控制电容器的电压，并进而对第一晶体管的栅极电压进行调控，以实现对功率器件的栅极充放电电流的调控。通过本实用新型的方案，能够实现对氮化镓等功率器件开关速度的连续调节。
用于功率器件栅极驱动电路

[实用新型]一种H桥功率控制电路、芯片以及电子设备-CN202320648178.1有效
发明人：全吉朋;邹栋 -专利权人：深圳市科曼医疗设备有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种H桥功率控制电路、芯片以及电子设备，其中，H桥功率控制电路包括：升压控制电路、H桥控制电路、H桥电路以及单片机；升压控制电路包括升压芯片；升压控制电路中升压芯片分别与H桥电路以及单片机电性连接；H桥控制电路包括第一H桥控制芯片以及第二H桥控制芯片；H桥控制电路中第一H桥控制芯片以及第二H桥控制芯片均电性连接于H桥电路以及单片机。通过本实用新型的实施，采用控制升压芯片的输出电压等级来调节H桥电路的输出功率，从而能够有效提高H桥电路输出功率的调节范围，且调节灵活度高。
一种功率控制电路芯片以及电子设备

[发明专利]半导体制冷片驱动电路、控制方法和玻片处理设备-CN202310947335.3在审
发明人：肖永军;魏亮;李智宇;戢汇亮;陈传坤;张俊;张宇;张忠雄 -专利权人：武汉友芝友医疗科技股份有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体制冷片驱动电路、控制方法和玻片处理设备，涉及电力电子技术领域。电路包括第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块、第一MOS桥臂、第二MOS桥臂、第三MOS桥臂、第四MOS桥臂、滤波模块和电流采集模块；当半导体制冷片处于制冷状态时，第一半桥驱动模块用于向第一MOS桥臂输出高电平，向第二MOS桥臂输出低电平；第二半桥驱动模块用于向第三MOS桥臂输出低电平，向第四MOS桥臂输出高电平；处于加热状态时，第一半桥驱动模块用于向第一MOS桥臂输出低电平，向第二MOS桥臂输出高电平；第二半桥驱动模块用于向第三MOS桥臂输出高电平，向第四MOS桥臂输出低电平。本申请能够提升半导体的工作寿命。
半导体制冷驱动电路控制方法处理设备

[发明专利]一种全N型GaN HEMT半桥驱动电路-CN202311138005.6在审
发明人：赵丽霞;王子龙 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种全N型GaN HEMT半桥驱动电路，涉及GaN HEMT驱动电路领域。包括偏置级电路和驱动级电路；所述偏置级电路包括：与电源连接的滤波电容C1和上拉管M1、上拉管M3、上拉管M6、电阻R3、电阻R5；与驱动级电路连接的自举电容C2和下拉管M4、下拉管M7；所述驱动级电路包括：与电源连接的自举二极管D1和上拉管M9；与输出端相连的自举电容C3及上拉管M9和下拉管M10。本发明通过使用自举升压的方法，提高了输出带负载的能力，实现了全N增强型GaN HEMT半桥驱动电路，来驱动GaN HEMT器件。
一种 gan hemt 驱动电路

[发明专利]一种控制调压电源输出电压的电路及其方法-CN202210360642.7在审
发明人：曹佶;王小强;陶锋 -专利权人：浙江杭可仪器有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制调压电源输出电压的电路及其方法，包括中央处理器、多个移位寄存器、多个MOS管输出单元和多个稳压元件，多个移位寄存器相互并联连接，多个移位寄存器均与中央处理器信号连接，多个MOS管输出单元相互并联连接，MOS管输出单元与移位寄存器串联连接，稳压元件与MOS管输出单元一一电性连接。其方法包括：设置控制调压电源输出电压的电路；中央处理器把指令或向量数据处理后转换成串行数据，并把串行数据输出给移位寄存器；移位寄存器把串行数据转换成多路并行数据，并输出给MOS管输出单元；MOS管输出单元根据多路并行数据选择输出地信号或者调压电源输出的电压信号。其控制调压电源很方便，实现高效控制。
一种控制调压电源输出电压电路及其方法

[发明专利]用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路和供电方法-CN202310506138.8在审
发明人：胡一凡;王勇;王瑛;彭领;孔瀛 -专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明属于集成电路领域，具体涉及了一种用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路和供电方法，旨在解决现有的供电电路稳定性不足的问题。本发明包括：依次连接的自举钳位稳压电路和HS负偏压能力提升电路；自举钳位稳压电路包括：低压电平位移电路、驱动电路、开关PMOS管、高压自举二极管DBST1和线性稳压器；HS负偏压能力提升电路包括：自举电容CBST、三通道集成自举子电路、高压电平位移电路、RS触发器和高侧输出驱动电路。本发明使高侧电源HB与高侧地HS之间的压差保持为恒定的5V，实现对GaN器件栅极的钳位保护，通过三通道集成电路避免电平位移电路的电源随HS变负而下降，提升电平位移电路的抗HS负偏压能力。
用于半桥型氮化栅极驱动器供电电路方法

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