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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体开关-CN201310253316.7在审
发明人：王柏之 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：一种半导体开关，包含一开关单元，其包含：一晶体管，具有一漏极、一栅极以及一源极；一漏极偏压电阻，耦接漏极；一漏极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接漏极偏压电阻与一第一漏极偏压，于晶体管不导通时耦接漏极偏压电阻与一第二漏极偏压；一栅极偏压电阻，耦接栅极；一栅极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接栅极偏压电阻与一第一栅极偏压，于晶体管不导通时耦接栅极偏压电阻与一第二栅极偏压；一源极偏压电阻，耦接源极；以及一源极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接源极偏压电阻与一第一源极偏压，于晶体管不导通时耦接源极偏压电阻与一第二源极偏压，其中第一与第二漏极偏压不同，第一与第二栅极偏压不同，第一与第二源极偏压不同。
半导体开关

[发明专利]半导体开关-CN201911267096.7在审
发明人：闻林 -专利权人：闻林
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种半导体开关，包含一开关单元，其包含：一晶体管，具有一漏极、一栅极以及一源极；一漏极偏压电阻，耦接漏极；一漏极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接漏极偏压电阻与一第一漏极偏压，于晶体管不导通时耦接漏极偏压电阻与一第二漏极偏压；一栅极偏压电阻，耦接栅极；一栅极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接栅极偏压电阻与一第一栅极偏压，于晶体管不导通时耦接栅极偏压电阻与一第二栅极偏压；一源极偏压电阻，耦接源极；以及一源极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接源极偏压电阻与一第一源极偏压，于晶体管不导通时耦接源极偏压电阻与一第二源极偏压，其中第一与第二漏极偏压不同，第一与第二栅极偏压不同，第一与第二源极偏压不同。
半导体开关

[发明专利]一种晶体管器件以及电子设备-CN201811424390.X有效
发明人：刘召军;王河深 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该晶体管器件包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层；源漏极层包括彼此间隔设置的源极和漏极；源极覆盖部分有源层以及部分栅极绝缘层；漏极覆盖部分有源层以及部分栅极绝缘层；源极在栅极绝缘层上的垂直投影与漏极在栅极绝缘层上的垂直投影不重合；栅极绝缘层包括电解质；晶体管器件还包括保护层；保护层位于源极和栅极绝缘层之间；和/或，保护层位于漏极和栅极绝缘层之间。
一种晶体管器件以及电子设备

[发明专利]半导体装置-CN202211252308.6在审
发明人：闵信喆;千健龙;高明东;朴容喜;李尚炫;金洞院;申宇胜;李炯锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括具有下图案和与下图案间隔开的片图案的有源图案、在下图案上并具有围绕每个片图案的栅电极和栅极绝缘膜的栅极结构、在栅极结构上的栅极覆盖图案、在栅极覆盖图案和栅极结构之间的栅极蚀刻停止图案、沿着栅极覆盖图案的侧壁的栅极间隔件、在栅极结构上的源极/漏极图案、穿过栅极覆盖图案并连接到栅电极的栅极接触件以及在源极/漏极图案上并连接到源极/漏极图案的源极/漏极接触件，栅极接触件的上表面和栅极间隔件的上表面共面
半导体装置

[发明专利]光感测装置的光感测单元-CN202110382748.2在审
发明人：林圣佳;蔡清丰 -专利权人：和鑫光电股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光感测元件包括栅极、半导体层、栅极绝缘层、源极以及漏极。栅极与半导体层设置于基板上，栅极绝缘层将栅极与半导体层分隔开，且源极与漏极分别连接于半导体层。源极以及漏极的其中至少一个由光通过导电层所形成。半导体层设置于源极以及漏极的其中一个与栅极之间，并且沿着基板的法线方向观看，栅极重叠于源极以及漏极的所述其中一个，且栅极不重叠于源极以及漏极的其中另一个。
光感测装置单元

[发明专利]半导体器件-CN202110207134.0在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：第一晶体管包括位于第一和第二源极/漏极部件之间的第一沟道构件、包围在第一沟道构件周围的第一栅极结构、设置在第一源极/漏极部件上方的第一源极/漏极接触件以及设置在第一栅极结构与第一源极/漏极接触件之间的第一顶部栅极间隔件第二晶体管包括位于第三和第四源极/漏极部件之间的第二沟道构件、包围在第二沟道构件周围的第二栅极结构、设置在第三源极/漏极部件上方的第二源极/漏极接触件以及设置在第二栅极结构与第二源极/漏极接触件之间的第二顶部栅极间隔件第二栅极间隔件和第二源极/漏极接触件之间的距离大于第一栅极间隔件和第一源极/漏极接触件之间的距离。
半导体器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210665495.4在审
发明人：苏焕杰;林志昌;游力蓁;谌俊元;张罗衡;庄正吉;王志豪;黄麟淯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体结构包括环绕第一纳米结构的第一栅极堆叠件、环绕第二纳米结构的第二栅极堆叠件、介于第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件之间的栅极隔离结构、邻接第一纳米结构的第一源极/漏极部件、邻接第二纳米结构的第二源极/漏极部件、以及介于第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之间的源极/漏极间隔件结构。栅极隔离结构覆盖源极/漏极间隔件结构的侧壁。本发明的实施例还提供了一种形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种CMOS全加器-CN202210602693.6有效
发明人：周玉梅;黎涛;乔树山;尚德龙 -专利权人：中科南京智能技术研究院
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：全加器中管P1的源极连接至VDD，管P1的栅极与管N1的漏极及管N2的栅极相连，管P1的漏极与管P2的源极相连；管P2的栅极接A，管P2的漏极与管N1的源极、管N2的源极、管N4的栅极、管N5的栅极、管P4的栅极及管P5的栅极相连；管N1的栅极和管N2的漏极接A，管P3的源极接VDD，管P3的漏极与管N3的漏极、管P4的源极相连，管P3的栅极与管N3的栅极相连，并接入CIN，管N3的源极接VSS，管P4的漏极与管N4的源极相连，管N4的漏极接CIN；管P5的源极接CIN，管P5的漏极与管N5的源极相连，管N5的漏极接A。
一种 cmos 全加器

[发明专利]多栅极变化的场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置-CN202110486545.8有效
发明人：任炜强 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种多栅极变化的场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置，晶体管包括位于底层的漏极外延层、位于顶层的源极层以及嵌入于漏极外延层内的源极延伸倒鳍、第一栅极与第二栅极;第一栅极排列在源极延伸倒鳍之间,第二栅极对准在源极延伸倒鳍上,第一栅极与第二栅极的两侧各形成有成对由源极层至漏极外延层内部并联的对称型沟道;优选示例中,漏极外延层在对应源极延伸倒鳍的底部部位形成屏蔽栅底部浮空反极型柱底结。本发明提供的场效晶体管架构为多栅极变化的密集化,具有衬底背面漏极与顶面源极电子流分区均匀化的效果、以及减少开槽工艺的效果。
栅极变化晶体管结构及其制造方法芯片装置

[发明专利]一种面板检测电路及显示面板-CN201410290475.9有效
发明人：吕启标 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：所述面板检测电路包括源极检测单元，包括源极测试线以及若干源极开关单元；栅极检测单元，包括栅极控制线、栅极测试线以及若干栅极开关单元；其中，所述源极开关单元和栅极开关单元分别包括至少两个开关元件，使得在面板检测完成之后所述源极开关单元和栅极开关单元处于闭合状态
一种面板检测电路显示

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202111436365.5有效
发明人：林智伟;陈维邦;郑志成;郭哲劭 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法通过在栅极结构上方形成绝缘结构层；以及形成栅极接触孔，并形成源极接触、漏极接触和栅极接触，源极接触孔的孔底暴露出源极和绝缘结构层，漏极接触孔的孔底暴露出漏极和所述绝缘结构层，通过在栅极结构上方形成绝缘结构层，使得绝缘结构层保护所述栅极结构，从而使得源极接触和漏极接触可以有效的电连接并绝缘于栅极结构的区域，提升了源极接触和漏极接触制程的容许范围，减少了源极接触和漏极接触分别与栅极结构之间接触短路，从而减少了栅极接触与漏极接触，及栅极接触与源极接触短路的可能，有效提高了半导体器件的良率，达到了增加产量及营收的效果。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN202010662141.5在审
发明人：翁翊轩;李威养;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构，其包括多个半导体层的堆叠、第一金属栅极堆叠、第二金属栅极堆叠、源极/漏极结构以及源极/漏极接点。多个半导体层的一堆叠位于基板上；第一金属栅极堆叠位于半导体层的堆叠上；第二金属栅极堆叠交错于半导体层的堆叠之间；源极/漏极结构位于半导体层的堆叠中；源极/漏极接点位于源极/漏极结构上。在许多例子中，源极/漏极结构与第二金属栅极堆叠的侧壁隔有第一气隙，且源极/漏极接点与第一金属栅极堆叠的侧壁隔有第二气隙。
半导体结构

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110717995.3在审
发明人：方婷;蔡忠浩;林芮萍;姚佳贤;李振铭;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：工作件包含栅极结构；第一栅极间隔物部件；第二栅极间隔物部件；在栅极结构、第一栅极间隔物部件以及第二栅极间隔物部件上方的栅极顶部介电质部件；在第一源极/漏极区上方的第一源极/漏极部件；在第二源极/漏极区上方的第二源极/漏极部件；在第一源极/漏极部件上方的第一介电层；以及在第二源极/漏极部件上方的第二介电层。方法还包含以第一硬遮罩层取代第一介电层的顶部部分；在第二介电层被暴露的同时，在第一硬遮罩层上方形成第二硬遮罩层；蚀刻第二介电层以形成源极/漏极接触件开口并且暴露出第二源极/漏极部件；以及在第二源极/漏极部件上方形成源极/漏极接触件。
半导体装置形成方法

[发明专利]用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构-CN202110586414.7在审
发明人： X·陈;V·伯纳帕里;H·林 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请涉及用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构。根据本公开的某些方面，一种芯片包括：第一栅极、第二栅极、第一源极、设置在第一源极上的第一源极触点、在第一源极触点和第一栅极上方的金属互连、将第一栅极电耦合至该金属互连的第一栅极触点、以及将第一源极触点电耦合至该金属互连的第一通孔该芯片还包括电源轨以及将第一源极触点电耦合至该电源轨的第二通孔。第二栅极处于第一源极与第一栅极之间，并且金属互连在第二栅极上方通过。
用于栅极绑定新颖标准单元架构

[发明专利]用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构-CN202110587376.7在审
发明人： X·陈;V·伯纳帕里;H·林 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请涉及用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构。根据本公开的某些方面，一种芯片包括：第一栅极、第二栅极、第一源极、设置在第一源极上的第一源极触点、在第一源极触点和第一栅极上方的金属互连、将第一栅极电耦合至该金属互连的第一栅极触点、以及将第一源极触点电耦合至该金属互连的第一通孔该芯片还包括电源轨以及将第一源极触点电耦合至该电源轨的第二通孔。第二栅极处于第一源极与第一栅极之间，并且金属互连在第二栅极上方通过。
用于栅极绑定新颖标准单元架构

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