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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器阵列测试方法和系统-CN202110592130.9有效
发明人：黄健豪;姜慧如;吴正一;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种存储器阵列测试方法和系统。一种测试非易失性存储器(NVM)阵列的方法，包括：将该NVM阵列加热到目标温度。在将该NVM阵列加热到该目标温度的同时，通过测量该NVM阵列的NVM单元子集的多个电流来获得电流分布，将该NVM阵列的每个NVM单元编程为逻辑高状态或逻辑低状态中的一种，并且对该NVM阵列的每个NVM单元执行第一通过/未通过(P/F)测试和第二通过/未通过(P/F)测试。基于该电流分布以及该第一P/F测试和该第二P/F测试来计算误码率。
存储器阵列测试方法系统

[发明专利]存储器装置及其形成方法-CN202310237492.5在审
发明人：高韵峯;姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本公开各种实施例针对一种包括存储器单元的存储器装置。存储器单元包括设置在基板上的多个半导体装置。下金属间介电(IMD)结构在半导体装置上方。多个导电通孔和多个导线设置在下IMD结构内并且电性耦接至半导体装置。数据备份单元在多个导电通孔和导线上方。数据备份单元包括第一源极/漏极结构、第二源极/漏极结构、通道层、第一存储器栅极结构和第二存储器栅极结构。第一和第二存储器栅极结构包括在铁电层上方的上栅极电极。第一和第二源极/漏极结构通过导电通孔和导线直接电性耦接至半导体装置。
存储器装置及其形成方法

[发明专利]后端有源组件、半导体组件以及半导体芯片-CN202210426592.8在审
发明人：高韵峯;姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本揭露提供有源组件、半导体组件以及半导体芯片。有源组件包括：通道层；顶源极/漏极电极，设置于通道层的顶侧；第一与第二底源极/漏极电极，设置于通道层的底侧；第一与第二栅极结构，位于顶源极/漏极电极与第一底源极/漏极电极之间，其中第一栅极结构包括非铁电介电层，且第二栅极结构包括铁电层；以及第三与第四栅极结构，位于顶源极/漏极电极与第二底源极/漏极之间，其中第三栅极结构包括非铁电介电层，且第四栅极结构包括铁电层。
后端有源组件半导体以及芯片

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210786393.8在审
发明人：吴高铭;姜慧如;黄健豪;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：在衬底上方形成离散介电模板结构的二维阵列。可以在离散介电模板结构之间的沟槽的下部中形成第一介电间隔件矩阵层。可以在沟槽的上部中形成第二介电间隔件矩阵层。可以在每个离散介电模板结构的体积内形成一对源极腔和漏极腔。可以在每个源极腔和每个漏极腔中分别形成源电极和漏电极。可以在形成离散介电模板结构的二维阵列之前或之后形成栅电极，以提供可以连接至存储器元件或可以包含存储器元件的场效应晶体管的二维阵列。本发明的实施例涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]存储器器件及用于搜索存储器器件的方法-CN202210383468.8在审
发明人： 姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：在一些实施例中，本发明实施例涉及一种存储器器件及用于搜索存储器器件的方法。所述存储器器件包括排列成行及列且被配置成分别存储多个数据状态的多个内容可寻址存储器(CAM)单元。所述多个CAM单元中的一CAM单元包括：第一铁电存储元件；多个字线，沿所述行延伸，且被配置成向所述多个CAM单元提供搜索查询，以用于搜索查询与所述多个CAM单元的数据状态之间的逐位比较；以及多个匹配线，沿所述列延伸，且被配置成分别从各CAM单元列输出多个匹配信号。列的匹配信号在所述列的各CAM单元的数据状态匹配搜索查询的对应位时被断言。
存储器器件用于搜索方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210554384.6在审
发明人：吴高铭;赖理学;姜慧如;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明实施例提供了半导体结构及其形成方法。可以在衬底上方形成多个垂直堆叠件。每个垂直堆叠件从底部到顶部包括底部电极、介电柱和顶部电极。可以在多个垂直堆叠件上方形成连续的有源层和栅极介电层。牺牲间隔件形成在多个垂直堆叠件周围。通过用介电填充材料填充牺牲间隔件的相邻对之间的间隙，可以在牺牲间隔件周围形成至少一个介电壁结构。牺牲间隔件由栅电极替代。每个栅电极可以横向围绕沿着第一水平方向布置的垂直堆叠的对应行。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210557254.8在审
发明人：高韵峯;姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：晶体管(例如，TFT)包括：源极区域和漏极区域，位于绝缘基质层内；U形沟道极板，接触源极区域和漏极区域的侧壁；U形栅极电介质，接触U形半导体金属氧化物极板的内侧壁；以及栅电极，接触U形栅极电介质的内侧壁。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]存储器系统、存储器器件及其操作方法-CN202210904769.0在审
发明人： 姜慧如;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了存储器系统、存储器器件及其操作方法。存储器系统包括多个存储器单元、多个字线、多个位线和多个源极线。多个存储器单元被布置成行和列，多个存储器单元中的每个具有栅极、漏极和源极。多个字线中的每个具有对应行，每个字线耦接到对应行中的存储器单元的栅极。多个位线和多个源极线中的每个位线和每个源极线具有对应列，每个位线连接到对应列中的存储器单元的漏极并且每个源极线连接到对应列中的存储器单元的源极。其中在写入操作中，对应于所选存储器单元的所选存储器单元的字线被配置为接收第一电压，位线和源极线被配置为接收第二电压，第一电压或第二电压中的一个为正电压，第一电压或第二电压中的另一个为负电压。
存储器系统器件及其操作方法

[发明专利]在存储器系统中更正错误的方法-CN202210944794.1在审
发明人： 姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G11C29/54 文献下载
摘要：本发明的实施例包含用以执行存储器系统的错误检查的方法及装置。本发明的实施例包含：从存储器的列缓冲器存取数据，上述数据对应于存储器存取的行地址。在行地址上的列缓冲器具有存储器的启动单元的数据，上述数据对应于存储器存取的列地址。使用行地址判断存取数据的多个错误更正码(ECC)，并使用ECC中的至少一者检查存取数据中的错误。在一些实施例中，ECC包含第一ECC及至少一个第二ECC。第一ECC具有来自存储器的存取单元的数据，上述数据对应于行地址。第二ECC具有来自存取单元的数据，以及来自启动单元的不同的数据。
存储器系统更正错误方法

[发明专利]集成电路结构与电路及其操作方法-CN202210021059.3在审
发明人：吕士濂;姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路结构与电路及其操作方法。本揭露根据实施例描述薄膜晶体管类型光感测电路。薄膜晶体管类型光感测电路包括两薄膜晶体管以，其中一薄膜晶体管的通道区包括光感测区且另一薄膜晶体管的通道区具有设置于其上的顶盖材料。薄膜晶体管类型光感测电路还包括比较器元件，电性耦合至两薄膜晶体管且经配置以对应于其通道区具有光感测区的薄膜晶体管暴露至光而侦测两薄膜晶体管之间的电流差异。
集成电路结构电路及其操作方法

[发明专利]存储单元、半导体装置及其制造方法-CN202210067063.3在审
发明人：凌嘉佑;姜慧如;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本公开的实施例提供存储单元，存储单元包括与源极线和位线接触的沟道材料；与沟道材料接触的铁电材料；以及与字线接触的铁电材料。铁电材料设置在沟道材料和字线之间。字线包括块层。块层包括第一金属层；以及第二金属层。第二金属层夹在第一金属层和铁电材料之间。
存储单元半导体装置及其制造方法

[发明专利]自动化物料运输系统轨道管控的系统与制造方法-CN202210031027.1在审
发明人：吕士濂;姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：本公开关于一种自动化物料运输系统轨道管控的系统与制造方法，并描述了基于薄膜晶体管的温度传感器电路的实施例。基于薄膜晶体管的温度传感器电路包括：具有薄膜晶体管的第一频率产生器、具有互补式金属氧化物半导体晶体管的第二频率产生器、第一计数器组件和第二计数器组件以及一个处理器组件。第一计数器组件和第二计数器组件被配置为分别从第一频率产生器和第二频率产生器中计算出第一脉冲和第二脉冲的数量。处理器组件配置为根据第一脉冲和第二脉冲的数量以确定频率。
自动化物料运输系统轨道制造方法

[发明专利]物理不可克隆功能器件、半导体器件及其操作方法-CN202210775368.X在审
发明人：高韵峯;姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：物理不可克隆功能(PUF)器件包括第一反相器和第二反相器，第一反相器和第二反相器中的每个包括公共栅极节点和公共漏极节点。第一反相器的公共漏极节点电连接至第二反相器的公共栅极节点。PUF器件还包括：公共输出节点；第一RMD，电连接至第一反相器的公共漏极节点和公共输出节点；以及第二RMD，电连接至第二反相器的公共漏极节点和公共输出节点。本发明的实施例还涉及半导体器件及其操作方法。
物理不可克隆功能器件半导体器件及其操作方法

[发明专利]电容器结构及其制造方法-CN202210718632.6在审
发明人：高韵峯;庄明谚;姜慧如;黄健豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：所公开的电容器结构包括支撑结构，支撑结构包括每个沿纵向方向、横向方向和垂直方向延伸的多个细长结构。多个细长结构包括第一介电层和第二介电层的交替堆叠件、形成在支撑结构上方的底部电极、形成在底部电极上方的第三介电层以及形成在第三介电层上方的顶部电极。第一介电层的每个包括沿横向方向的第一宽度，并且第二介电层的每个包括沿横向方向的第二宽度。在各个实施例中，第一宽度可以小于第二宽度，从而使得多个细长结构的每个包括壁，壁包括作为沿垂直方向的距离的函数的波纹宽度轮廓。电容器结构可以在BEOL工艺中形成。本申请的实施例还涉及电容器结构及其制造方法。
电容器结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210181056.6在审
发明人：庄明谚;姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供一种半导体结构及其形成方法。可在衬底之上形成多个垂直堆叠。垂直堆叠中的每一者从底部到顶部包括底部电极、介电柱及顶部电极。可在所述多个垂直堆叠之上形成连续的有源层。可在连续的有源层之上形成栅极介电层。可将连续的有源层及栅极介电层图案化成多个有源层及多个栅极介电质。多个有源层中的每一者在侧向上环绕沿着第一水平方向排列的垂直堆叠中的相应的一者，且多个栅极介电质中的每一者在侧向上环绕有源层中的相应的一者。可在多个栅极介电质之上形成栅极电极。
半导体结构及其形成方法

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