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[发明专利]一种平面氮化镓器件及其制备方法-CN202210711355.6在审
发明人：黄汇钦;吴龙江 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种平面氮化镓器件及其制备方法，平面氮化镓器件包括：源极区、漏极区、沟道层、势垒层、钝化层和栅极区；其中，源极区包括源极主体和多个源极单元；漏极区包括漏极主体和多个漏极单元；栅极区包括栅极主体和多个栅极单元；其中，每个栅极单元分段设置，且每个栅极单元设置于对应的多个漏极单元与多个源极单元之间。通过每个栅极单元分段设置，且每个栅极单元设置于对应的多个漏极单元与多个源极单元之间，将栅极单元进行分段设置，其中，在器件的边缘区域与中间区域使用不同的栅极结构，可以解决现有的氮化镓器件都容易在边缘区域发生击穿效应
一种平面氮化器件及其制备方法

[发明专利]半导体晶体管器件及其形成方法-CN202110449000.X在审
发明人：苏焕杰;庄正吉;王志豪;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体晶体管器件包括沟道结构、栅极结构、第一源极/漏极外延结构、第二源极/漏极外延结构、栅极接触件和背面源极/漏极接触件。栅极结构环绕沟道结构。第一源极/漏极外延结构和第二源极/漏极外延结构设置在沟道结构的相对端上。栅极接触件设置在栅极结构上。背面源极/漏极接触件设置在第一源极/漏极外延结构下方。第二源极/漏极外延结构具有凹进的底面。
半导体晶体管器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201611226774.1有效
发明人：赖瑞尧;陈盈燕;陈燕铭;杨世海;严永松;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置及其制造方法，上述半导体装置包括一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一源极/漏极结构和一第二源极/漏极结构。上述第一栅极结构包括一第一栅极和设置于上述第一栅极上的一第一绝缘盖层。上述第二栅极结构包括一第二栅极和设置于上述第一栅极上的一第一导电接触层。上述第一源极/漏极结构包括一第一源极/漏极导电层和设置于上述第一源极/漏极导电层上方的一第二绝缘盖层。上述第二源极/漏极结构包括一第二源极/漏极导电层和设置于上述第二源极/漏极导电层上方的一第二导电接触层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种分栅结构的超结功率器件-CN201711059861.7有效
发明人：袁愿林;刘磊;刘伟;龚轶 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种分栅结构的超结功率器件，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、第三栅极、体二极管和体区接触二极管，所述体二极管的阴极与所述漏极连接，所述体区接触二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述体区接触二极管的阴极与所述源极连接，所述第一栅极通过栅极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第一电流沟道的开启和关断，所述第二栅极、第三栅极与所述源极连接，所述第二栅极通过源极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第二电流沟道的开启和关断，所述第三栅极为屏蔽栅极并通过源极电压来提高该分栅结构的超结功率器件的耐压。
一种结构功率器件

[发明专利]一种分栅结构的功率晶体管-CN201711058078.9有效
发明人：毛振东;刘磊;袁愿林;刘伟;王睿 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种分栅结构的功率晶体管，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、第三栅极、体二极管和体区接触二极管，所述体二极管的阴极与所述漏极连接，所述体区接触二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述体区接触二极管的阴极与所述源极连接，所述第一栅极通过栅极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第一电流沟道的开启和关断，所述第二栅极、第三栅极与所述源极连接，所述第二栅极通过源极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第二电流沟道的开启和关断，所述第三栅极为屏蔽栅极并通过源极电压来提高该分栅结构的功率晶体管的耐压
一种结构功率晶体管

[发明专利]具有底部源极的功率MOSFET器件及其制作方法-CN201110447542.X有效
发明人：何约瑟;薛彦迅;黄平 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：一种具有底部源极的功率MOSFET器件及其制作方法，在晶片正面形成有相绝缘的栅极和源极。该源极上电镀有源极凸块；由塑封体包封栅极，以及源极和源极凸块与栅极之间的第一绝缘层；源极金属层形成在源极凸块暴露的表面上，构成源极与外部器件电性连接的区域；晶片背面研磨使厚度减薄。晶片背面形成有漏极金属层作为漏极。一孔槽贯穿晶片背面与栅极连通，使栅极的部分表面从孔槽中暴露形成该栅极与外部器件电性连接区域。晶片的正面朝下，则使源极位于器件底部，而漏极和从孔槽中暴露的栅极就位于器件顶部。本发明中所述漏极及栅极之间，由孔槽内的第二绝缘层以及所述栅极背面的起始层来进行绝缘保护，能有效防止击穿。
具有底部功率 mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201611018351.0有效
发明人：黄意君;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构、源极/漏极区、源极/漏极接触、分隔物和接触源极/漏极接触的介层孔插塞和接触介层孔插塞的导线。第一栅极结构和第二栅极结构，形成于鳍结构上方且以交叉于第一方向的第二方向延伸。源/漏极区设置于第一栅极结构和第二栅极结构之间。层间绝缘层设置于鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构和源/漏极区上方。源极/漏极接触层，设置于源/漏极区上。分隔物设置相邻于源极/漏极接触。第一栅极结构的末端、第二栅极结构的末端和源极/漏极接触的末端接触分隔物的相同面。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有栅极隔离层的半导体器件-CN202111224272.6在审
发明人：金善培;李禹镇;崔承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底上的有源区；与有源区相交的栅极结构；位于有源区上且在栅极结构的侧表面处的源/漏极区；栅极结构与源/漏极区之间的栅极侧墙，栅极侧墙接触栅极结构的侧表面；连接到源/漏极区的下源/漏级接触插塞；栅极侧墙上的栅极隔离层，栅极隔离层的上端处于比栅极结构的上表面和下源/漏极接触插塞的上表面高的高度处；覆盖栅极结构、下源/漏级接触插塞和栅极隔离层的覆盖层；以及连接到下源/漏极接触插塞并延伸穿过覆盖层的上源/漏极接触插塞。
具有栅极隔离半导体器件

[发明专利]一种环形栅结构的高电子迁移率晶体管-CN202010640079.X有效
发明人：吴少兵;张亦斌;陈韬;刘世郑;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形栅结构的高电子迁移率晶体管，包括源极、漏极和栅极，栅极为环形结构，高电子迁移率晶体管包括两种基础结构：第一种基础结构为，源极为圆形结构，漏极为环形结构，且源极位于所述栅极的内圈，漏极位于栅极的外圈，源极和漏极分别与栅极存在间隙；第二种基础结构为，漏极为圆形结构，源极为环形结构，且漏极位于栅极的内圈，源极位于漏极的外圈，源极和漏极分别与栅极存在间隙。本发明通过将栅极由直线型转变为环形结构，使其结构稳定，保障器件的稳定性和低寄生电容。
一种环形结构电子迁移率晶体管

[发明专利]触控面板及其触控侦测电路-CN201810155446.X有效
发明人：廖敏男 -专利权人：矽创电子股份有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种触控面板及其触控侦测电路，其包含一栅极驱动电路、一源极驱动电路及一侦测电路。栅极驱动电路耦接多条栅极线，并输出多个栅极讯号至该些栅极线，且控制该些栅极讯号的转态。源极驱动电路耦接多条源极线。侦测电路耦接该些源极线或者该些源极线的部分源极线，侦测电路侦测所耦接的源极线的多个讯号于栅极讯号转态时的准位，而产生多个侦测讯号。
面板及其侦测电路

[发明专利]有源矩阵基板、显示面板以及它们的检查方法-CN201080003604.1有效
发明人：白水博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：一种有源矩阵基板，包括：多条栅极配线(11)，其配置在基板上；多条源极配线(12)，其配置在与多条栅极配线(11)垂直的方向上；栅极侧短路环(13)，其配置在基板的周缘区域，作为多条栅极配线(11)的短路目的地；源极侧短路环(14)，其配置在基板的周缘区域，作为多条源极配线(12)的短路目的地；栅极配线侧TFT(15)，其漏极与多条栅极配线(11)的一条连接、源极与栅极侧短路环(13)连接；以及源极配线侧TFT(16)，其漏极与多条源极配线(12)的一条连接、源极与源极侧短路环(14)连接；所有的栅极配线侧TFT(15)和所有的源极配线侧TFT(16)为耗尽型，所有的源极配线侧TFT(16)的栅电极与栅极侧短路环
有源矩阵显示面板以及它们检查方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210657728.6在审
发明人：林诗雅;杜建德;蔡仲恩;刘致为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体器件包括栅极结构、n型源极/漏极部件、p型源极/漏极部件、NFET沟道和PFET沟道。栅极结构在衬底上方。n型源极/漏极部件分别位于栅极结构的相对的第一侧和第二侧处。p型源极/漏极部件分别位于栅极结构的相对的第三侧和第四侧处。NFET沟道在栅极结构内延伸并且连接n型源极/漏极部件。PFET沟道在栅极结构内延伸并且连接p型源极/漏极部件。NFET沟道和PFET沟道由栅极结构垂直间隔开。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有双栅极晶体管器件的恒流CMOS输出驱动电路-CN98119669.1有效
发明人：哈特马德·特利茨基 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-09-21 - 公布日： 1999-06-30 - 主分类号： H03H11/00 文献下载
摘要：一种输出驱动电路包含有源极和漏极晶体管的双栅极pFET器件,源极晶体管源极与电源连,其漏极与漏极晶体管源极连,漏极晶体管漏极与输出驱动电路输出端连;双栅极nFET器件有源极和漏极晶体管,源极晶体管源极与地电位连,其漏极与漏极晶体管源极连,漏极晶体管漏极与输出驱动电路输出端连;第一开关装置,连到pFET器件源极晶体管栅极;第二开关装置,连到nFET器件源极晶体管栅极;偏压发生装置,连到pFET器件漏极晶体管的栅极,还有连到nFET器件漏极晶体管栅极端的第二输出端。
具有栅极晶体管器件 cmos 输出驱动电路

[发明专利]一种自反馈型多环路全集成低压差线性稳压器电路-CN202110408418.6有效
发明人：郭建平;刘楠;郑浩鑫 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种自反馈型多环路全集成低压差线性稳压器电路，包括功率管、偏置电流源、共源极PMOS、共栅极NMOS、输出控制电压源、偏置电压源和自反馈电路，所述功率管的漏极与共源极PMOS的源极连接，所述偏置电流源的正端、共源极PMOS的漏极和共栅极NMOS的源极相连并与自反馈电路连接，所述功率管的栅极和共栅极NMOS的漏极相连并与自反馈电路连接，所述共栅极NMOS的栅极与偏置电压源的正端连接，所述输出控制电压源与共源极PMOS的栅极连接。
一种反馈环路集成低压线性稳压器电路

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010285587.0在审
发明人：王新泳;韩刘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：源极/漏极区域、体区域、第一栅极结构和第二栅极结构。源极/漏极区域和体区域位于衬底中。第一栅极结构和第二栅极结构位于衬底上方。源极/漏极区域和体区域位于第一栅极结构的相反侧。第二栅极结构与第一栅极结构间隔开。源极/漏极区域、体区域和第一栅极结构位于第二栅极结构的同一侧。
半导体器件及其制造方法