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[发明专利]一种NAND闪存结构及其制作方法-CN202111656825.5在审
发明人：刘涛;巨晓华;王奇伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种NAND闪存结构，包括：衬底，所述衬底上形成有多个字线、多个源极选择栅极和多个漏极选择栅极，多个所述字线位于多个所述源极选择栅极和多个所述漏极选择栅极之间，每个字线、源极选择栅极和漏极选择栅极的宽度相同通过形成宽度相同的源极选择栅极、漏极选择栅极和字线，由于字线的宽度和源极选择栅极的宽度以及漏极选择栅极的宽度相同，因此，不会产生负载效应，无需将靠近源极选择栅极、漏极选择栅极的字线设置为冗余字线，因此节省了器件区的面积
一种 nand 闪存结构及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201710073456.4有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、漏极金属层与第二源极金属层。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于源极电极与漏极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。漏极金属层置于漏极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于栅极金属层与漏极金属层之间。
半导体装置

[发明专利]具多级自对准栅极和源极/漏极端子的晶体管及方法-CN202111507495.3在审
发明人：乔纳森·A·坎塔罗夫斯基;M·D·莱维;黄正铉;西瓦·P·阿度苏米利;阿杰伊·拉曼 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及具多级自对准栅极和源极/漏极端子的晶体管及方法，公开晶体管及用于形成晶体管的方法。方法包括同时形成穿过层堆叠中的最上层(即介电层)的栅极和源极/漏极开口。方法还可包括：沉积并图案化栅极导体材料，使第一栅极区段位于栅极开口中，第二栅极区段位于栅极开口上方，使源极/漏极开口暴露；延伸源极/漏极开口的深度；及沉积并图案化源极/漏极导体材料，使第一源极/漏极区段位于各源极/漏极开口中，第二源极/漏极区段位于各源极/漏极开口上方。或者，方法可包括：在栅极开口中形成柱塞，在源极/漏极开口中形成侧壁间隔件；延伸源极/漏极开口的深度；沉积并图案化源极/漏极导体材料；及随后沉积和图案化栅极导体材料。
多级对准栅极极端晶体管方法

[发明专利]半导体装置与应用其的半导体装置封装体-CN201410069477.5在审
发明人：林立凡;杨竣杰;廖文甲;薛清全;陈世鹏 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种半导体装置包含有源层、源极、漏极、栅极、间介电层、源极中间层、至少一源极间插塞、漏极中间层、至少一漏极间插塞、栅极中间层与至少一栅极间插塞。有源层的材质为三五族半导体。源极与漏极皆位于有源层上。栅极位于有源层上，并介于源极与漏极之间。间介电层覆盖源极、漏极与栅极。源极中间层、漏极中间层与栅极中间层皆位于间介电层上。源极间插塞电性连接源极与源极中间层。漏极间插塞电性连接漏极与漏极中间层。栅极间插塞电性连接栅极与栅极中间层。一种应用半导体装置的半导体装置封装体亦在此公开。
半导体装置应用封装

[发明专利]半导体装置-CN201510616049.4有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置包含元件层、源极电极、漏极电极、栅极电极、源极汇流排、漏极汇流排、第一栅极汇流排与第二栅极汇流排。源极电极、漏极电极与栅极电极置于元件层上且沿第一方向延伸。栅极电极分别置于源极电极与漏极电极之间。源极汇流排、漏极汇流排、第一栅极汇流排与第二栅极汇流排沿与第一方向交错之第二方向延伸。源极汇流排与漏极汇流排分别电性连接源极电极与漏极电极。第一栅极汇流排与第二栅极汇流排连接栅极电极。第一栅极汇流排置于源极电极的一端。源极电极横跨第二栅极汇流排。通过第一栅极汇流排与第二栅极汇流排的设置，本发明的半导体装置的栅极电阻能够降低，以增进半导体装置的性能。
半导体装置

[发明专利]隧道晶体管-CN201110444279.9有效
发明人： I·金;田伟;V·维斯亚纳詹;C·贝多亚;M·希格特 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管，包括源极；漏极；栅极区，所述栅极区包括栅极、岛以及栅极氧化物，其中栅极氧化物位于栅极和岛之间；并且栅极和岛相互作用地彼此耦合；以及源极阻挡层和漏极阻挡层，其中源极阻挡层将源极与栅极区分开并且漏极阻挡层将漏极与栅极分开
隧道晶体管

[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法-CN201710083261.8在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件以及制作方法，该功率半导体器件包括：基底；设置在基底上的氮化镓层，氮化镓层包括栅极区、源极区和漏极区；栅极区的表面设置有栅极，源极区表面设置有源极，漏极区表面设置有漏极；栅极包括平行且相对设置的第一栅极区域和第二栅极区域；以及连接第一栅极区域和第二栅极区域的第三栅极区域，第三栅极区域为曲面结构；漏极位于第一栅极区域与第二栅极区域之间；源极包括平行且相对设置的第一源极区域和第二源极区域，第一源极区域与第一栅极区域对应设置，第二源极区域和第二栅极区域对应设置。本发明技术方案解决现有技术中在栅极的曲面部分容易发生表面击穿的问题。
栅极区域源极区域功率半导体器件表面设置氮化镓层相对设置漏极区源极区栅极区基底漏极源极平行表面击穿方案解决曲面结构制作

[发明专利]晶体管栅极接触件及其形成方法-CN202110813522.3在审
发明人：李凯璇;杨世海;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开总体涉及晶体管栅极接触件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：源极/漏极区域，该源极/漏极区域与衬底的沟道区域邻接；接触蚀刻停止层，该接触蚀刻停止层位于源极/漏极区域上；第一源极/漏极接触件，该第一源极/漏极接触件延伸穿过接触蚀刻停止层，该第一源极/漏极接触件连接到源极/漏极区域；栅极结构，该栅极结构位于沟道区域上；栅极接触件，该栅极接触件连接到栅极结构；以及接触件间隔件，该接触件间隔件在栅极接触件周围，其中，接触件间隔件、栅极结构、接触蚀刻停止层和衬底共同限定栅极结构和第一源极/漏极接触件之间的空隙。
晶体管栅极接触及其形成方法

[实用新型]一种电流源电路-CN201020150046.9无效
发明人：刘辉;傅璟军;胡文阁 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种电流源电路，包括：第一NMOS管源极接地，漏极与栅极相连；第二NMOS管源极通过电阻与地相连，栅极与第一NMOS管的栅极相连，漏极与第三PMOS管的漏极相连；第三PMOS管源极连接电源，栅极和漏极相连，栅极还与第四PMOS管的栅极相连；第四PMOS管源极连接电源，漏极与第一NMOS管的栅漏相连，栅极与第三PMOS管的栅极相连；第五PMOS管源极连接电源，栅极连接第三PMOS管的栅极，漏极连接第二NMOS管的源极。本电流源电路在传统电流源电路上添加了一PMOS管，增加了电流源的电流调节参数，能很好的平衡电流，同时还减小了电流源电路面积。
一种电流电路

[发明专利]半导体装置-CN202110458050.4在审
发明人：浦士杰;藤卷浩和;彭德金;戴执中;艾世强 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括基底、源极区、漏极区以及栅极结构。源极区与漏极区分别位于基底内。栅极结构位于基底上且位于源极区与漏极区之间。栅极结构包括第一栅极以及至少一第二栅极。第二栅极位于第一栅极与漏极区之间。第一栅极与第二栅极分隔开，且第二栅极与源极区电连接。
半导体装置

[发明专利]应变硅半导体结构-CN201010588896.1有效
发明人：黄光耀;周玲君;王益昌;黄信川;廖俊雄;陈信琦;林保忠;叶秋显;简金城;陈界得 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种应变硅半导体结构，包含：第一晶体管和第二晶体管，分别设于基底上；第一晶体管包含：第一栅极结构和二第一源极/漏极，分别位于第一栅极结构两侧的基底中，其中各个第一源极/漏极和第一栅极结构之间分别定义有第一源极/漏极至栅极距离；第二晶体管包含：第二栅极结构和二第二源极/漏极，分别位于第二栅极结构两侧的基底中，其中各第二源极/漏极和该第二栅极结构之间分别定义有第二源极/漏极至栅极距离，第一源极/漏极至栅极距离小于第二源极/漏极至栅极距离。
应变半导体结构

[发明专利]功率元件封装结构-CN201110455882.7无效
发明人：林孟辉 -专利权人：富鼎先进电子股份有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种功率元件封装结构，包含一基材、一源极层、一栅极层、一漏极层、一介电层、至少一漏极焊垫、至少一源极焊垫、至少一栅极焊垫、至少一漏极金属柱、至少一源极金属柱、以及至少一栅极金属柱。源极层与栅极层设置于基材的一第一表面。漏极层设置于基材的一第二表面。介电层覆盖源极层、栅极层及基材的第一表面。漏极焊垫、源极焊垫与栅极焊垫均设置于介电层上，并分别通过漏极金属柱、源极金属柱、与栅极金属柱各自连接至漏极层、源极层及栅极层。
功率元件封装结构

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210173733.X在审
发明人：松本拓也 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置具备：基板；第一源极叉指；第一栅极叉指，在第一源极叉指的延伸方向上延伸；第二源极叉指，具有比第一源极叉指的宽度小的宽度，宽度方向的宽度处于第一源极叉指的宽度内，在延伸方向上延伸；第二栅极叉指，在延伸方向上延伸；第一源极布线，连接第一源极叉指和第二源极叉指；第一栅极布线，与第二栅极叉指夹着第二源极叉指，宽度方向的宽度处于第一源极叉指的宽度内；第二栅极布线，与第一源极布线非接触地交叉，连接第一栅极布线和第一栅极叉指；及第一漏极叉指，与第一源极叉指夹着第一栅极叉指，与第二源极叉指夹着第二栅极叉指。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]半导体器件-CN202021369729.3有效
发明人：申洪湜;卢炫准;朴兴植;成石铉;李道行;李元赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体器件，其包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。
半导体器件

[发明专利]一种硅基显示面板及制备方法-CN202010966305.3有效
发明人：冯亚青;王龙;闫岩;陆涵;史晓波;冯敏强;廖良生 -专利权人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该面板包括硅基衬底，衬底多个侧面上设置多个凹槽结构；设置于衬底上的多个呈阵列排布的像素单元；位于衬底一侧的栅极金属层，位于衬底一侧的源极金属层；栅极和源极驱动电路。本方案凹槽结构包括栅极及源级凹槽结构，栅极金属层包括多条栅极走线，源极金属层包括多条源极走线；在栅极凹槽结构内设置有栅极连接结构，在源极凹槽结构内设置有源极连接结构；然后栅极走线与栅极连接结构的第一端电连接；栅极驱动电路与栅极连接结构的第二端电连接；源极走线与源极连接机构的第一端电连接，源极驱动电路与源极连接结构的第二端电连接。如此通过凹槽结构内的连接结构实现了各栅极及源级走线的正常引出。
一种显示面板制备方法

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