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[实用新型]一种共面结构的TFT器件-CN202320664858.2有效
发明人：余光棋;董欣;王欢;王新志;马亮 -专利权人：信利（仁寿）高端显示科技有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种共面结构的TFT器件，其包括：透明衬底；形成在所述透明衬底上的栅极；形成在所述栅极和透明衬底上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的源极和漏极，所述源极和漏极分别对应位于所述栅极的两侧；形成在所述源极和漏极上的半导体层；其中，位于所述源极和漏极正下方的所述栅极内凹以减少半导体层之外栅极与源极、漏极的交叠面积。本实用新型通过调整栅极金属和源漏极金属(源漏极包括源极和漏极)的形状、大小和相对位置来实现减少寄生电容，增大沟道电流。
一种结构 tft 器件

[发明专利]用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构-CN201880088197.5有效
发明人： X·陈;V·伯纳帕里;H·林 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：根据本公开的某些方面，一种芯片包括：第一栅极、第二栅极、第一源极、设置在第一源极上的第一源极触点、在第一源极触点和第一栅极上方的金属互连、将第一栅极电耦合至该金属互连的第一栅极触点、以及将第一源极触点电耦合至该金属互连的第一通孔该芯片还包括电源轨以及将第一源极触点电耦合至该电源轨的第二通孔。第二栅极处于第一源极与第一栅极之间，并且金属互连在第二栅极上方通过。
用于栅极绑定新颖标准单元架构

[实用新型]一种功率MOSFET的倒置栅极结构-CN202022547164.X有效
发明人：朱小雨 -专利权人：深圳市尚芯微电子科技有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，提供一种功率MOSFET的倒置栅极结构，包括设置有源极、栅极和漏极，其特征在于，包括：晶圆体，所述源极设置在所述晶圆体正面，所述漏极和所述栅极设置在所述晶圆体背向所述源极的背面，所述源极包括源极接触部，所述漏极包括漏极接触部，所述栅极包括栅极接触部；设置在所述源极两侧的塑封层，所述塑封层与所述源极接触部形成源极凹槽，所述栅极接触部与所述漏极接触部裸露在所述晶圆体背面，且通过底部绝缘层进行隔离能够市场对漏极和栅极位于同一侧的需求，且所述栅极接触部与所述漏极接触部裸露在所述晶圆体背面，并通过底部绝缘层进行隔离，加工改造方便，接触面大。
一种功率 mosfet 倒置栅极结构

[发明专利]保护栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管组件及其制造方法-CN200780003645.9有效
发明人：安纳帕·叭哈剌;斯科·K·雷 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2007-02-17 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：至少一功率晶体管单元构成一主动单元，该主动单元具有一源极区域，该源极区域设置于沟槽栅极附近，该沟槽栅极电性连接至栅极衬垫并环绕主动单元。该沟槽栅极更具有底部保护电极，其中充填有栅极材料并设置于沟槽栅极下方并与沟槽栅极绝缘。至少一功率晶体管单元构成一源极接触单元，该源极接触单元由具有一部分作为源极连接沟槽的沟槽所围绕，且沟槽填充有栅极材料以电性连接底部保护电极与源极金属，源极金属直接设置于源极连接沟槽的顶部上。此功率半导体组件更包含一绝缘保护层，设置于功率半导体组件的顶部上，并在源极区域与源极连接沟槽的顶部上设有数个源极开孔，以提供与源极金属的电性连接，该绝缘保护层并具有一栅极开孔，以提供栅极衬垫和沟槽栅极间的电性连接
保护栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管组件及其制造方法

[发明专利]具有低栅极电阻和缩小源极接触空间的高密度沟槽MOSFET-CN200610109651.X无效
发明人：谢福渊 -专利权人：谢福渊
申请日： 2006-08-14 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一个沟槽金属氧化物半导体厂效应晶体管(MOSFET)器件，它包含穿过氧化物绝缘层进入栅极多晶硅和基体－源极硅区域开出的一些栅极接触沟槽和源极接触沟槽。这些栅极接触沟槽和源极接触沟槽被填充以栅极接触塞和源极接触塞，以电接触栅极多晶硅和源极－基体区域，这样，栅极电阻得以减小，而且可以实现更小的源极接触面积。
具有栅极电阻缩小接触空间高密度沟槽 mosfet

[发明专利]半导体结构-CN201910476359.9在审
发明人：林鑫成;陈志谚;黄嘉庆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，包含：衬底、设置于衬底上的栅极结构、位于此栅极结构两侧的源极结构及漏极结构、以及第一介电层。栅极结构包含设置于衬底上的栅极电极以及与此栅极电极电连接并作为栅极场板的栅极金属层。源极结构包含设置于衬底上的源极电极以及与此源极电极电连接并且沿着栅极电极至漏极结构的方向延伸的第一源极金属层。第一介电层设置于栅极金属层上。其中第一源极金属层的电位与栅极金属层的电位不同，并且第一源极金属层至少露出一部分位于栅极金属层正上方的第一介电层。本发明实施例所提供的半导体结构，不仅具有击穿电压与栅极至漏极电容之间的良好平衡，更能有效降低开关损失，进而提升半导体结构的效能。
半导体结构

[发明专利]显示面板的薄膜晶体管及其制作方法-CN201310178791.2有效
发明人：陈崇道;林武雄;陈勃学 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括一栅极、一栅极绝缘层、一第一保护图案、一第二保护图案、一源极、一漏极、一半导体通道层，以及一钝化层。栅极位于基板上，栅极绝缘层位于栅极与基板上，第一保护图案与第二保护图案位于栅极上方的栅极绝缘层上，源极位于栅极绝缘层与第一保护图案上，且漏极位于栅极绝缘层与第二保护图案上。半导体通道层位于栅极绝缘层、源极与漏极上。钝化层位于半导体通道层、源极与漏极上。于源极往漏极的一延伸方向上，第一保护图案的长度小于源极的长度，且第二保护图案的长度小于漏极的长度。
显示面板薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]显示面板的薄膜晶体管及其制作方法-CN201110335092.5有效
发明人：陈崇道;林武雄;陈勃学 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括一栅极、一栅极绝缘层、一第一保护图案、一第二保护图案、一源极、一漏极、一半导体通道层，以及一钝化层。栅极位于基板上，栅极绝缘层位于栅极与基板上，第一保护图案与第二保护图案位于栅极上方的栅极绝缘层上，源极位于栅极绝缘层与第一保护图案上，且漏极位于栅极绝缘层与第二保护图案上。半导体通道层位于栅极绝缘层、源极与漏极上。钝化层位于半导体通道层、源极与漏极上。于源极往漏极的一延伸方向上，第一保护图案的长度小于源极的长度，且第二保护图案的长度小于漏极的长度。
显示面板薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]一种比较器电路-CN201710394965.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长沙方星腾电子科技有限公司
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：包括第一NMOS管的栅极接负输入端，源极接第二NMOS管的源极和第五NMOS管的漏极，漏极接第一PMOS管的栅极和漏极以及第三NMOS管的漏极；第一PMOS管的源极接电源；第五NMOS管的栅极接偏置电流输入端，源极接地；第二NMOS管的栅极接正输入端，漏极接输出端；第三NMOS管的栅极接正输入端，源极接第四NMOS管的源极和第六NMOS管的漏极；第四NMOS管的栅极接负输入端，漏极接输出；第六NMOS管的栅极接输入，源极接地；第二PMOS管的栅极和漏极都接输出端，源极接电源。
一种比较电路

[发明专利]包含接触结构的半导体装置-CN201710325741.0有效
发明人：全辉璨;金昶和;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：第一源极/漏极区和第二源极/漏极区以及第一栅极电极和第二栅极电极在下部有源区上。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区邻近于彼此。第一栅极遮盖图案和第二栅极遮盖图案分别在第一栅极电极和第二栅极电极上。第一接触结构和第二接触结构分别在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。下部绝缘图案在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。上部绝缘图案在第一接触结构与第二接触结构之间。氧化硅具有相对于形成上部绝缘图案、第一栅极遮盖图案以及第二栅极遮盖图案的绝缘材料的刻蚀选择性。
包含接触结构半导体装置

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN202010848580.5有效
发明人：许明伟 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，方法包括：提供晶圆，在该晶圆的上端面采用光刻刻蚀工艺形成栅极槽，并在该栅极槽的上端面沉积栅极金属和钝化层，采用光刻刻蚀工艺形成栅极；采用回刻工艺在该栅极两侧形成自对准工艺所需的栅极侧墙；沉积源极和漏极金属层，使得该源极和漏极金属层覆盖该钝化层以及该侧墙，得以自对准形成源漏接触，刻蚀该源极和漏极金属层，以形成源极和漏极，得到该高电子迁移率晶体管。通过设置于栅极上方的钝化层以及栅极两侧的侧墙，将栅极与源极和漏极隔离开，缩小栅极尺寸的同时，缩小栅极与源漏极之间的距离，以此缩小高电子迁移率晶体管HEMT的尺寸，减少寄生电阻，提升HEMT器件性能。
电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]形成半导体装置的方法-CN201810296498.9在审
发明人：许劭铭;李振铭;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在一实施例中，方法包括提供结构，其包括：基板；第一栅极结构与第二栅极结构，位于基板上；第一源极/漏极结构，包括硅并与第一栅极结构相邻；第二源极/漏极结构，包括硅锗并与第二栅极结构相邻；以及一或多个介电层，位于第一栅极结构与第二栅极结构的侧壁上，并位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构上。方法还包含蚀刻介电层，形成开口以露出该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构；形成掩模层于第一源极/漏极结构上；在掩模层位于第一源极/漏极结构上时，注入镓至第二源极/漏极结构；移除掩模层；以及以含氧原子的蚀刻剂蚀刻第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构。
源极/漏极栅极结构掩模层半导体装置基板蚀刻剂蚀刻蚀刻介电层含氧原子介电层侧壁硅锗移除开口

[发明专利]金属氧化物半导体场效晶体管布局及结构-CN201010281515.5无效
发明人：余仲哲;彭国伟;李立民 -专利权人：登丰微电子股份有限公司
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物半导体场效晶体管布局及结构，其中金属氧化物半导体场效晶体管布局包含一漏极区、一栅极区、一源极区及一基极区。栅极区位于漏极区的外侧并邻接漏极区。源极区具多个源极区块，位于栅极区的外侧并邻接栅极区，源极区块之中任两相邻的源极区块之间有一源极空白区域。基极区具有至少两基极部，分别位于源极空白区域，并邻接栅极区。
金属氧化物半导体晶体管布局结构

[发明专利]双侧接触开关中的电容平衡-CN201980083891.2在审
发明人：梁晴晴;R·P·K·维杜拉;G·P·埃姆图尔恩;C·N·布里恩德勒;S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种双侧接触开关具有多栅极有源器件的第一独立漏极/源极区域(372)。该双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第一共享漏极/源极区域(374)。双侧接触开关具有多栅极有源器件的第二独立漏极/源极区域(376)，该第二独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域相邻。双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第二共享漏极/源极区域，该第二共享漏极/源极区域与第一独立漏极/源极区域相邻。双侧接触开关在第一独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域之间以及在第二独立漏极/源极区域与第二共享漏极/源极区域之间具有栅极区域(356)。
接触开关中的电容平衡

[发明专利]阵列基板及其制造方法-CN201210528046.1有效
发明人：刘容雨;裵相绚;金主延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，所述阵列基板包括：基板，具有像素区域；栅极线，位于基板上；栅极电极，位于基板上并且与栅极线相连；栅极绝缘层，位于栅极线和栅极电极上；数据线，位于栅极绝缘层上并且与栅极线相交以限定像素区域；源极电极和漏极电极，位于栅极绝缘层上并且与栅极电极相对应，所述源极电极与数据线相连，所述漏极电极与源极电极间隔开；氧化物半导体层，位于源极和漏极电极的顶部。
阵列及其制造方法