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[发明专利]晶圆处理方法-CN201710254307.8在审
发明人：三重野文健 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆处理方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆上具有金属污染；将所述晶圆进行湿法处理；将湿法处理后的所述晶圆进行热处理；将热处理后的所述晶圆进行刻蚀处理。本发明提供的晶圆处理方法，对具有金属污染的晶圆进行处理，先通过湿法工艺进行预处理去除晶圆外表面的金属污染，再经热处理可将金属分子析出到晶圆表层，然后经刻蚀处理将晶圆表层上的金属污染去除掉，从而解决了晶圆中金属含量过高的问题
晶圆金属污染热处理湿法处理刻蚀预处理析出金属分子湿法工艺除掉去除种晶金属

[实用新型]一种半导体器件-CN201920083386.5有效
发明人：郭海涛;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，包括：晶圆，包括晶圆正面及晶圆背面，晶圆背面包括背金工艺形成的背面金属镀层；以及贴附在晶圆背面的至少部分区域的金属贴片；其中，金属贴片的中心与晶圆的中心重合，并且贴附有金属贴片的晶圆背面整体呈现平面式在晶圆背面贴附金属贴片，提高了晶圆的强度，有效防止出现晶圆翘曲现象，降低搬运过程中晶圆损坏的风险。晶圆背面贴附金属贴片后整体上是平面的，能够在传统的测试机台上对晶圆进行测试，提高了测试机台的利用率，降低晶圆测试的成本。测试后，无需去除该金属贴片，便可进入后续的切割封装过程。
金属贴片晶圆晶圆背面贴附半导体器件测试机台本实用新型测试封装过程金属镀层晶圆测试晶圆翘曲晶圆正面整体呈现中心重合传统的平面的平面式背金去除搬运背面切割

[发明专利]一种晶圆键合结构的制造方法-CN201611082139.0有效
发明人：王汉清 -专利权人：新昌县立诺智能科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合结构的制造方法，包括：（1）提供待键合的上晶圆和下晶圆；（2）在所述上晶圆和下晶圆的边缘分别形成一台阶形状；（3）形成分别贯穿所述上晶圆和下晶圆的台阶形状与其下表面的通孔；（4）在上晶圆和下晶圆以及所述通孔中设置键合金属，并进行高温键合形成金属通孔以及晶圆间键合金属；（5）用刚性金属材料覆盖所述台阶和上晶圆侧面、下晶圆侧面、键合金属侧面形成金属层，所述金属层截面呈C字形。
一种晶圆键合结构制造方法

[发明专利]半导体晶圆的连接结构-CN201811005315.X在审
发明人：郑绪成 -专利权人：广东威灵汽车部件有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶圆的连接结构，包括：晶圆，其上下表面具有电极；第一金属框架，设置在晶圆的上表面；第二金属框架，设置在晶圆的下表面；连接件，设置在晶圆的上表面和晶圆的下表面，连接件将设置在晶圆的上表面的电极和第一金属框架连通，以及设置在晶圆的下表面的电极和第二金属框架。本发明提供的半导体晶圆的连接结构，晶圆与第一金属框架及第二金属框架相连接，从而使得晶圆的上表面和下表面的热量可通过连接柱传递到第一金属框架及第二金属框架上，由于连接件增大了晶圆与第一金属框架及第二金属框架之间的连接面积，可有效地提升晶圆与第一金属框架及第二金属框架之间的导热能力，从而提升晶圆的散热效率。
半导体连接结构

[发明专利]一种晶圆级芯片封装结构及其封装工艺-CN202010698631.0在审
发明人：严邦杰;冯驰;林远;陈祥盼 -专利权人：宁波力源科技有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了晶圆级芯片封装结构，包括晶圆，晶圆上设有金属焊垫，金属焊垫上对应设有金属触点，晶圆及金属焊垫外包覆有塑封层，金属触点部分位于塑封层外。本发明还公开了晶圆级芯片封装工艺，包括如下步骤：在载物板上设置晶圆，在晶圆表面设置至少两个间隔的金属焊垫；在金属焊垫上植入焊球；使焊球融化形成金属触点；在晶圆上切割形成凹槽；对晶圆上的凹槽、金属焊垫及金属触点塑封；对晶圆上部的第一塑封层打磨减薄，以露出部分金属触点；对晶圆的下部打磨减薄以形成减薄晶圆；对晶圆的下部塑封处理以形成第二塑封层。
一种晶圆级芯片封装结构及其工艺

[发明专利]一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法-CN201310266359.9在审
发明人：赵高辉;姜国伟;牟善勇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法，该方法适用于在晶圆上生长金属层的工艺，该方法包含以下步骤：1、薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先对晶圆喷射反应气体，使晶圆开始缓慢升温；2、进行薄晶圆背面金属溅射工艺；3、薄晶圆背面金属溅射工艺完成后，持续对晶圆喷射反应气体，使晶圆缓慢降温。本发明通过在进行薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先喷射反应气体，使晶圆在工艺开始前先缓慢升温，并在工艺完成后持续对晶圆平射反应气体，使晶圆在工艺完成后缓慢降温，实现晶圆在整个工艺过程中柔和形变，以降低晶圆破损率
一种降低破损薄晶圆背面金属溅射方法

[发明专利]晶圆键合方法以及晶圆键合结构-CN201510011875.6在审
发明人：施林波;陈福成;刘尧;徐伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构，所述晶圆键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆、第二晶圆的第一金属垫、第二金属垫中的一个或两个上，形成共晶连接结构；对第一晶圆、第二晶圆进行键合工艺，使第一金属垫、第二金属垫分别与共晶连接结构发生共晶反应。采用共晶反应的键合工艺，第一金属垫和第二金属垫相互连接的效果更好。在键合工艺对第一金属垫和第二金属垫表面平整度要求不高，无需进行平坦化工艺，降低了晶圆边缘位置处的第一金属垫和第二金属垫产生接触不良的风险。共晶反应无需高温退火，对晶圆中半导体器件的影响较小。
晶圆键合方法以及结构

[发明专利]一种MOSFET晶圆及MOSFET晶圆表面制备方法-CN201811632166.X在审
发明人：宁波;刘义芳 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET晶圆及MOSFET晶圆表面制备方法，涉及半导体领域。用以解决基于现有晶圆存在电阻比较大，在晶圆表面电流容易形成热点效应的问题。本发明实施例提供一种MOSFET晶圆，包括：衬底层，S极表面金属层和晶圆表面金属层；所述S极表面金属层覆盖在所述衬底层上，所述晶圆表面金属层设置在所述S极表面金属层上；所述晶圆表面金属层从下至上包括5层不同金属制备的金属化金属层
晶圆晶圆表面金属表面金属层晶圆表面衬底层制备半导体领域金属制备热点效应金属层金属化电阻覆盖

[实用新型]晶圆托盘组件及键合设备-CN202322001181.7有效
发明人：陈泽铨;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备技术领域，公开了一种晶圆托盘组件及键合设备。该晶圆托盘组件包括金属托盘、金属垫块和限位挡针，金属垫块设于金属托盘上，晶圆置于金属垫块上，金属垫块与晶圆接触的端面设有绝缘层；限位挡针通过安装座固定于金属托盘上，限位挡针设于金属垫块的一侧且位于晶圆的外周侧，限位挡针的高度高于金属垫块的高度，限位挡针用于防止晶圆偏移。本实用新型提供的键合设备包括上述的晶圆托盘组件。本实用新型提供的晶圆托盘组件，通过设置金属托盘，提高了晶圆托盘组件整体的机械强度和导电性；金属托盘上设置带有绝缘层的金属垫块，晶圆置于绝缘层上，通过设置金属垫块，防止外部件在吸附晶圆时，金属托盘被同时吸附
托盘组件设备

[发明专利]用于带有厚背面金属化的模压芯片级封装的晶圆工艺-CN201610046635.4在审
发明人：薛彦迅;哈姆扎·依玛兹;何约瑟;鲁军;牛志强;连国峰 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于模压芯片级封装的晶圆工艺，包括在晶圆上的芯片焊接垫上沉积金属凸块；在晶圆正面制备第一封装层，覆盖金属凸块；在晶圆的边缘处制备未覆盖环，使多个划线中每个划线的两端都裸露出来；减薄第一封装层，使金属凸块裸露出来；制备切割槽；研磨晶圆的背面，在晶圆边缘处形成凹陷空间和支撑环；在凹陷空间中晶圆的背面沉积金属种子层；切除晶圆的边缘部分；在衬底上翻转并安装晶圆；沉积覆盖着金属种子层的金属层；从晶圆上除去衬底；通过沿划线切割第一封装层、晶圆、金属种子层和金属层，使单独的芯片与晶圆分离。
用于带有背面金属化模压芯片级封装工艺

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210127822.0在审
发明人：卢俊良;贾钧伟;周俊豪;李国政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含第一晶圆及第二晶圆。半导体装置包含密封环结构，其包含在第一晶圆的主体内的第一金属结构、在第一晶圆的主体内的第二金属结构、在第二晶圆的主体内的第三金属结构及金属接合结构。金属接合结构包括透过第一晶圆及第二晶圆之间的界面连接第一金属结构及第三金属结构的第一金属元件组，以及透过第一晶圆及第二晶圆之间的界面连接第二金属结构及第三金属结构的第二金属元件组。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种晶圆键合结构-CN201611082157.9有效
发明人：王汉清 -专利权人：新昌县峰特年智能科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合结构，包括：通过键合金属键合在一起的上晶圆和下晶圆；所述上晶圆和下晶圆的边缘分别具有一台阶形状，所述上晶圆和下晶圆的台阶形状相背离并且相对于所述键合金属对称；覆盖所述台阶和上晶圆侧面、下晶圆侧面、键合金属侧面的金属层，所述金属层截面呈C字形。本发明的技术方案，利用晶圆键合结构中周边的C字形金属层防止键合结构边缘的翘曲，金属层的刚性可以抑制由于键合产生的应力。
一种晶圆键合结构

[发明专利]一种用于表面声波滤波器的具有背面金属层的晶圆及其制造方法-CN202011190457.5在审
发明人：左玉财;张江浩;冉忠堂;许欣;宋晓辉 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于表面声波滤波器的具有背面金属层的晶圆及其制造方法。一种制造用于表面声波滤波器的具有背面金属层的晶圆的方法，该方法包括：获取透明晶圆；对透明晶圆进行清洗；在透明晶圆的正面涂覆光刻胶；在透明晶圆的背面镀金属膜；以及剥离在透明晶圆的正面涂覆的光刻胶，以制成具有背面金属层的晶圆，其中，金属膜在利用具有背面金属层的晶圆完成相应操作之后被去除。
一种用于表面声波滤波器具有背面金属及其制造方法

[发明专利]半导体热处理工艺设备、方法及金属薄膜浸润性评价方法-CN202211034657.0在审
发明人：范庆霞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体热处理工艺设备、方法及金属薄膜浸润性评价方法，设备包括：热处理腔室，热处理腔室内设有晶圆支撑机构、晶圆抬升机构以及位于晶圆支撑机构上方的薄膜浸润性检测机构；晶圆支撑机构用于支撑晶圆并对晶圆进行加热；晶圆抬升机构用于将位于晶圆支撑机构上的晶圆抬升至检测位进行金属薄膜浸润性检测，以及将晶圆从检测位下降至晶圆支撑机构上进行热处理；薄膜浸润性检测机构用于在晶圆上升至检测位时与金属薄膜接触，并对金属薄膜的面电阻进行检测，以及根据金属薄膜的面电阻值评价金属薄膜的浸润性。本发明能够实现在热处理工艺中对金属薄膜浸润性的原位检测及评价。
半导体热处理工艺设备方法金属薄膜浸润评价

[发明专利]一种晶圆测试结构及晶圆测试方法-CN201910142043.6有效
发明人：管振兴;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆及晶圆测试方法，该方法包括以下步骤：提供一晶圆，包括晶圆正面及晶圆背面；在所述晶圆背面的至少部分区域贴附非金属贴片；将贴附了所述非金属贴片的所述晶圆放置到测试机台上进行测试。晶圆背面贴附非金属贴片，能够提高晶圆的强度，有效防止出现晶圆翘曲现象，同时能够降低搬运过程中晶圆损坏的风险。贴附非金属贴片的晶圆背面整体上呈现平面式，因此晶圆背面具有凹陷区的晶圆可以直接放置与传统测试机台的卡盘或吸盘上进行测试，免去了设备改造成本，提高了测试机台的通用性及利用率，由此降低了晶圆测试成本。测试完成后回收填充的非金属贴片，所述非金属贴片可以重复使用，由此进一步降低了晶圆的测试成本。
一种测试结构方法

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