[发明专利]半导体热处理工艺设备、方法及金属薄膜浸润性评价方法在审
| 申请号： | 202211034657.0 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115346888A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 范庆霞 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体热处理工艺设备、方法及金属薄膜浸润性评价方法，设备包括：热处理腔室，热处理腔室内设有晶圆支撑机构、晶圆抬升机构以及位于晶圆支撑机构上方的薄膜浸润性检测机构；晶圆支撑机构用于支撑晶圆并对晶圆进行加热；晶圆抬升机构用于将位于晶圆支撑机构上的晶圆抬升至检测位进行金属薄膜浸润性检测，以及将晶圆从检测位下降至晶圆支撑机构上进行热处理；薄膜浸润性检测机构用于在晶圆上升至检测位时与金属薄膜接触，并对金属薄膜的面电阻进行检测，以及根据金属薄膜的面电阻值评价金属薄膜的浸润性。本发明能够实现在热处理工艺中对金属薄膜浸润性的原位检测及评价。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 热处理 工艺设备 方法 金属 薄膜 浸润 评价 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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