|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 294个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN202210376240.6在审
-
马强
-
芯恩（青岛）集成电路有限公司
-
2022-04-11
-
2023-10-27
-
H10B63/00
- 本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，该存储器包括：晶体管，包括第一极区、第二极区及栅电极，栅电极横向位于第一极区及第二极区之间；金属硅化物层，分别形成于第一极区、第二极区及栅电极表面；阻变材料层，形成于第二极区表面的金属硅化物层表面；层间电介质层，形成于晶体管、阻变材料层及金属硅化物层的表面；贯穿层间电介质层的金属互连柱，分别与金属硅化物层及阻变材料层连接；源极线，通过金属互连柱及金属硅化物层与第一极区电连接；字线，通过金属互连柱及金属硅化物层与栅电极电连接；位线，通过金属互连柱与阻变材料层连接。该结构大大提高了阻变存储器单位面积的集成度，减少光刻等多步工艺，降低工艺复杂度及流片成本。
- 存储器及其制备方法
- [发明专利]探针针压侦测装置和方法-CN202210394015.5在审
-
邱海斌;王新鹏
-
芯恩（青岛）集成电路有限公司
-
2022-04-14
-
2023-10-27
-
G01L5/00
- 本发明提供一种探针针压侦测装置及方法。装置包括桥架、横向传动轴、纵向传动轴、纵向滑轨、滑块、2个侦测装置探针、检测仪表、第一驱动单元、第二驱动单元、侦测模块及控制模块；横向传动轴、第一驱动单元和检测仪表固定于桥架上，纵向传动轴和纵向滑轨位于桥架下方，第一驱动单元与横向传动轴相连接；纵向传动轴和纵向滑轨平行设置，第二驱动单元与纵向传动轴相连接；滑块位于横向传动轴上，2个侦测装置探针与滑块相连接，且2个侦测装置探针的间距可调，检测仪表与2个侦测装置探针电连接；控制模块与第一驱动单元及第二驱动单元电连接；侦测模块根据实际测试用探针与侦测装置探针的高度差异计算初始针压。本发明有助于提高测试效率。
- 探针侦测装置方法
- [实用新型]晶圆气锁装置及晶圆传送系统-CN202321553854.3有效
-
刘江辉;许文泽;郭享
-
芯恩（青岛）集成电路有限公司
-
2023-06-16
-
2023-10-27
-
H01L21/683
- 本实用新型提供了一种晶圆气锁装置及晶圆传送系统，包括：腔体，腔体内部具有一中空腔室，腔体包括：进气口和排气口、晶圆基座、至少两根可伸缩支撑柱以及连接于排气口的抽气管路，进气口、排气口均与中空腔室连通；可伸缩支撑柱设在中空腔室内且支撑连接晶圆基座，至少两根可伸缩支撑柱沿晶圆基座的周缘均匀分布；排气口位于晶圆基座的下方且与晶圆基座的中心对齐；抽气管路中设有稳压机构，用于调整抽气管路的气流量。因排气口与晶圆基座的中心对齐，在抽气的过程中，气流从晶圆的周围流入位于晶圆下方的排气口，以更均匀、稳定地抽气。通过稳压机构调控抽气管路内的气流量，减少气流流量的剧烈变化，避免因颗粒扬起而使产品表面附着颗粒物。
- 晶圆气锁装置传送系统
- [发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202210318003.4在审
-
寇新秀;孟昭生
-
芯恩（青岛）集成电路有限公司
-
2022-03-29
-
2023-10-24
-
H01L21/768
- 本发明提供一种半导体器件的制作方法，在形成半导体器件的工艺流程中引入对低k介质层进行疏水化处理的步骤，利用具有疏水基团的反应气体与低k介质层表面的亲水基团进行反应，将低k介质层表面的亲水基团替换为疏水基团，使得低k介质层表面形成疏水材料层，一方面能够大大降低介质层的吸水性，避免介质层的k值出现漂移，从而保证半导体器件的稳定性；另一方面，亲水基团被反应气体中含有碳氧双键的疏水基团替换，由于碳氧双键具有较大的键能，因此能够大大提高介质层的抗变形能力，提高半导体器件的可靠性。另外，本发明提供的半导体器件的制作方法操作简单、成本低廉，制作过程中没有引入杂质原子，节省了制作成本，提高了制作效率。
- 一种半导体器件制作方法
- [发明专利]一种接触孔的制备方法-CN202210318048.1在审
-
王远
-
芯恩（青岛）集成电路有限公司
-
2022-03-29
-
2023-10-24
-
H01L21/768
- 本发明提供一种接触孔的制备方法，利用图案化的光刻胶层在层间介质层中形成初始接触孔后，去除图案化的光刻胶层，再以初始接触孔为窗口刻蚀半导体衬底形成接触孔。在去除图案化光刻胶层的过程中，同时能够去除形成初始接触孔时产生的聚合物，避免聚合物附着于初始接触孔中对下一步形成接触孔产生影响，使最终形成的接触孔中基本没有聚合物残留，从而有效改善后续接触孔金属填充的效果，达到提高产品良率的目的；此外，与现有技术中通过真空泵抽离聚合物的方法相比，上述清除聚合物的过程避免了对反应腔室和器件的污染，有效提高了产品的良率。
- 一种接触制备方法
- [发明专利]半导体器件及其制备方法、应用方法-CN202210363740.6在审
-
蔡宜霖
-
芯恩（青岛）集成电路有限公司
-
2022-04-08
-
2023-10-24
-
H01L29/423
- 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、应用方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成外延层，在外延层内形成第一沟槽，在第一沟槽内形成栅极结构，第一沟槽以外的外延层内形成阱区和源极区，其中，栅极结构包括功能介质区和栅极区，功能介质区形成于第一沟槽的内壁表面，并自第一沟槽的内壁向中心方向依次包括电荷隧穿层、电荷存储层及电荷阻挡层，栅极区形成于电荷阻挡层上并将第一沟槽填充完全。通过在第一沟槽内形成栅极结构，利用功能介质区的电荷储存能力，在沟道内产生感应电荷，增强源极区和漏极区之间的反偏效果，降低沟道漏源漏电，同时，功能介质区的电荷储存能力有利于扩大半导体器件的阈值电压范围，提高半导体器件的性能。
- 半导体器件及其制备方法应用
- [发明专利]一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法-CN202010264995.8有效
-
王科
-
芯恩（青岛）集成电路有限公司
-
2020-04-07
-
2023-09-26
-
G03F7/11
- 本发明提供一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法，在对光刻胶层进行曝光形成曝光区和非曝光区之后，对曝光区的顶部进行处理，形成预阻挡层，或者结合负显影技术去除非曝光区，形成第一图案结构，之后对第一图案结构进行等离子体处理，使得预阻挡层发生反应形成阻挡层，并且使得阻挡层下方的光刻胶层被刻蚀，形成上宽下窄的第二图案结构。阻挡层的有利于保持第二图案结构的顶部尺寸，以及光刻胶层的钻刻，利于形成上宽下窄的第二图案结构。在衬底上形成上宽下窄的图案结构后沉积金属层，去除光刻胶实现光刻胶剥离。该过程可以采用例如正显影技术去除曝光后的光刻胶。整个过程采用的试剂不会对图案金属层以及衬底造成损伤，提高了成品率。
- 一种光刻图案方法剥离
- [发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202210268153.9在审
-
钮锋;葛芯汝
-
芯恩（青岛）集成电路有限公司
-
2022-03-18
-
2023-09-22
-
H01L21/336
- 本发明提供一种半导体器件的制造方法，先采用硅化物工艺在半导体衬底表面形成自对准金属硅化物，再形成高k介质层及金属栅极，使高k介质层及金属栅极避免了前段工艺中的所有的高温步骤，从而能够解决高k介质层及金属栅极高温后出现的可靠性和迁移率退化的问题；本发明采用具有较低电阻率和较高热稳定性的金属硅化物TiSi2作为半导体器件的局部互连，有助于提高半导体器件的可靠性。相对于目前先进工艺的主流的后栅工艺(后栅需搭配后金属硅化物工艺，并需接触孔工艺转变成金属层的沟槽和孔洞工艺)，本发明无需后置金属硅化物工艺，并采用成熟工艺中常用的接触孔工艺，工艺复杂度低。
- 一种半导体器件制造方法
- [实用新型]反应腔室清洁装置-CN202321403335.9有效
-
曹笑笑;李欣伟;陆一凡
-
芯恩（青岛）集成电路有限公司
-
2023-06-02
-
2023-09-15
-
C23C16/44
- 本实用新型提供一种反应腔室清洁装置，包括远程等离子体源；包括至少两个子腔室的反应腔室；总气体管道，第一端连接所述远程等离子体源；至少两个子气体管道，所述子气体管道的第一端均连接所述总气体管道的第二端，所述子气体管道的第二端分别连接所述子腔室，所述子气体管道与所述子腔室一一对应；以及调节阀，设置于每个所述子气体管道上，以控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量。本实用新型通过在每个子气体管道上设置调节阀从而调节控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量，以避免子腔室的清洁率差异过大，从而防止子腔室清洁过度或子腔室内的颗粒过多，避免形成缺陷，从而提高了良率。
- 反应清洁装置
|
