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[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法-CN202311219550.8在审
发明人：母凤文;高文琳;郭超 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法，所述等离子刻蚀装置在刻蚀仓内部设置有加热盘、射频线圈以及位于两者之间的且具有贯穿上下表面的孔的多孔挡板；所述装置通过使等离子体穿过多孔挡板再轰击到待刻蚀物上，来调整并优化等离子的刻蚀强度和作用，平衡刻蚀中心与刻蚀边缘的刻蚀效果，使刻蚀更加平稳而均匀，进而可以精准控制刻蚀过程，在有效去除刻蚀目标的同时，防止过度刻蚀，有效保护衬底。进一步地，本发明通过配有翻转机构和/或伸缩机构来控制多孔挡板，实现其对等离子体阻挡作用的打开或关闭，进而可以选择性地使用多孔挡板或不使用多孔挡板来进行刻蚀，以形成更加灵活且具有针对性的刻蚀工艺过程。
一种等离子体刻蚀装置方法

[发明专利]一种低电阻的碳化硅基板及其制备方法和应用-CN202310913102.1有效
发明人：黄秀松;郭超;母凤文 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻的碳化硅基板及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅基板包括掺杂N元素的碳化硅和游离碳，所述游离碳随机分布于所述碳化硅内部；所述N元素的掺杂浓度大于5×1020atoms/cm3；所述碳化硅基板的电阻率小于10mΩ·cm。本发明制备了一种低电阻的碳化硅基板，微观组织为掺杂N元素的碳化硅和游离碳的复合结构，该碳化硅基板不仅满足了电阻率小于10mΩ·cm的要求，而且组织均匀性好，可满足作为复合碳化硅晶圆的支撑层等应用环境。
一种电阻碳化硅及其制备方法应用

[发明专利]一种FD-SOI衬底的制备方法及SOI器件-CN202311118837.1在审
发明人：邢永禄;母凤文;郭超 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种FD‑SOI衬底的制备方法及SOI器件，所述制备方法包括：提供衬底a；提供依次经第一热氧氧化处理和离子注入的衬底b；将衬底a和衬底b进行键合，之后进行裂片，得到FD‑SOI结构衬底；对FD‑SOI结构衬底依次进行第二热氧氧化、酸蚀、抛光和离子束刻蚀，得到含顶膜的FD‑SOI衬底；本发明提供的FD‑SOI衬底的制备方法，通过对制备过程进行设计，并借助特定的参数控制，实现了高质量顶膜FD‑SOI衬底中高质量顶膜的制备，制备所得顶膜厚度可达FD‑SOI顶膜的要求，膜厚均匀性≤10Å，粗糙度Ra≤0.2nm。
一种 fd soi 衬底制备方法器件

[实用新型]气相沉积装置-CN202322381334.5有效
发明人：姜耀天;郭超;母凤文 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型属于薄膜制备技术领域，公开了气相沉积装置，其包括：炉体、旋转轴、传动组件以及驱动件。炉体内具有炉腔，炉腔内具有供气流穿过的流道；旋转轴转动连接于炉腔内并垂直穿设于流道，旋转轴位于流道内的部分设有多个衬底；传动组件设置于炉体并与旋转轴连接；驱动件与传动组件连接以通过传动组件驱动旋转轴带动多个衬底旋转。以此该气相沉积装置在使用时，不仅能够一次性对多个衬底进行镀膜，而且每个衬底表面镀膜的厚度也能保持一致。
沉积装置

[实用新型]一种复合半导体衬底结构-CN202320687963.8有效
发明人：母凤文;郭超 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种复合半导体衬底结构，所述复合半导体衬底结构包括：支撑衬底、单晶硅层以及碳化硅层；所述单晶硅层设置于所述支撑衬底和碳化硅层之间；所述支撑衬底和单晶硅层之间设置有键合界面层；所述键合界面层的厚度为0nm～5μm，且不为0nm。本实用新型提供的复合半导体衬底结构提高了由氧化镓或氮化镓材料制成的半导体器件的性能和可靠性。
一种复合半导体衬底结构

[发明专利]碳化硅气相沉积装置及碳化硅气相沉积方法-CN202311000897.3在审
发明人：姜耀天;郭超;母凤文 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅气相沉积装置及碳化硅气相沉积方法，属于气相沉积技术领域。碳化硅气相沉积装置包括反应室，内设有反应腔，反应室相对设置有第一端口和第二端口，第一端口和第二端口均与反应腔连通；进气装置，设置于第一端口处，进气装置包括进气盘和转动设置于进气盘的分流盘，进气盘与第一端口密封连接，进气盘上设置有多个进气腔，分流盘上周向均布有多个分气孔，分流盘远离进气盘的一端设置有至少两个分隔环，分隔环将反应腔的底部分隔为多个环形腔，进气腔通过分气孔与对应的环形腔连通。本发明使反应腔内的气流流速相同且均匀，提高涂层表面质量，保证厚度均匀。
碳化硅沉积装置方法

[发明专利]一种改善压电薄膜厚度均匀性的方法及压电衬底与应用-CN202311007183.5在审
发明人：高文琳;郭超;母凤文 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种改善压电薄膜厚度均匀性的方法及压电衬底与应用，所述方法包括：（1）在硅衬底的抛光表面生长二氧化硅层，得到第一衬底；（2）在单晶衬底的表面进行离子注入，得到含有缺陷层的第二衬底；（3）将第一衬底与第二衬底进行异质键合，得到复合衬底；（4）复合衬底经过高温处理及静置后沿着缺陷层裂开，得到压电衬底半成品；（5）将压电衬底半成品依次进行化学机械抛光和离子束蚀刻，得到压电衬底；所述压电衬底中压电薄膜的表面粗糙度≤0.2nm，厚度≤10A。本发明提供的方法改善了压电薄膜的厚度均匀性，降低了压电薄膜的表面粗糙度，保证了光刻影像传递的精确度和分辨率，同时简化了工艺流程，有利于大规模推广应用。
一种改善压电薄膜厚度均匀方法衬底应用

[实用新型]晶圆托盘组件及键合设备-CN202322001181.7有效
发明人：陈泽铨;郭超;母凤文 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备技术领域，公开了一种晶圆托盘组件及键合设备。该晶圆托盘组件包括金属托盘、金属垫块和限位挡针，金属垫块设于金属托盘上，晶圆置于金属垫块上，金属垫块与晶圆接触的端面设有绝缘层；限位挡针通过安装座固定于金属托盘上，限位挡针设于金属垫块的一侧且位于晶圆的外周侧，限位挡针的高度高于金属垫块的高度，限位挡针用于防止晶圆偏移。本实用新型提供的键合设备包括上述的晶圆托盘组件。本实用新型提供的晶圆托盘组件，通过设置金属托盘，提高了晶圆托盘组件整体的机械强度和导电性；金属托盘上设置带有绝缘层的金属垫块，晶圆置于绝缘层上，通过设置金属垫块，防止外部件在吸附晶圆时，金属托盘被同时吸附。
托盘组件设备

[发明专利]一种复合衬底的制备方法-CN202211587497.2有效
发明人：母凤文;郭超;谭向虎 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合衬底的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：（1）单晶衬底作为籽晶，在其中一个表面生长晶体层，得到单晶衬底与晶体层组成的复合晶体层结构；（2）激光照射所述复合晶体层结构，在所述复合晶体层结构的单晶衬底内部形成改质面；施加外力，将单晶衬底沿着改质面断开，得到复合衬底。本发明所述制备方法通过在高质量单晶衬底上生长低质量晶体层，之后采用激光冷裂切割处理，复合衬底的制备效率高且质量好，应用范围广。
一种复合衬底制备方法

[实用新型]沉积炉衬底固定治具-CN202321686277.5有效
发明人：姜耀天;郭超;母凤文 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型属于化学气相沉积设备技术领域，公开了沉积炉衬底固定治具。沉积炉衬底固定治具包括沉积腔体和至少一个固定线组，沉积腔体用于容置待沉积的衬底，沉积腔体内流通有沉积气流，沉积腔体上设置有至少一组贯穿孔，一组贯穿孔包括四个贯穿孔，每两个贯穿孔相对设置于沉积腔体的相对两侧。一个固定线组包括两根固定线，固定线能够穿过沉积腔体上相对的两个贯穿孔并能够锁定于沉积腔体上，衬底的外周面上设置有两个固定槽，两根固定线分别限位于两个固定槽内以对衬底进行夹持固定。该沉积炉衬底固定治具不与衬底两侧的沉积位置相接触，且不影响衬底两侧的沉积气流的流通。
沉积炉衬固定

[实用新型]一种利用雾化学气相沉积生长氧化物薄膜的装置系统-CN202320390168.2有效
发明人：梁爽;郭超;母凤文 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种利用雾化学气相沉积生长氧化物薄膜的装置系统，包括进料及雾化单元、混合装置、反应装置和真空发生装置；所述进料及雾化单元包括相互并联的至少2套进料及雾化组件，每套进料及雾化组件包括相互串联的进料装置和雾化装置，且所述雾化装置连接于混合装置；所述进料装置和雾化装置的底部分别独立地设置有称重传感装置；所述进料装置和雾化装置之间设置有料液启停装置，所述雾化装置的侧壁设置有液位传感装置，且所述液位传感装置电连接于所述料液启停装置。本实用新型提供的装置系统提升了雾化效率的稳定性，增强了装置的实时反馈功能，改善了反应区域内气体流场的均匀性与衬底受热均匀性，进而提高了成膜效率与质量。
一种利用雾化学气相沉积生长氧化物薄膜装置系统

[发明专利]一种AlScN薄膜衬底及其制备方法与应用-CN202310449075.7在审
发明人：母凤文;刘洋 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N30/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域。本发明提供了一种AlScN薄膜衬底及其制备方法与应用，通过在生长衬底上先制备剥离层，再制备AlScN薄膜，在目标衬底上制备第一中间层，将第一中间层与AlScN薄膜进行键合，得到复合体；或在AlScN薄膜上制备与第一中间层材质完全相同的第二中间层，通过第一中间层与第二中间层的键合并融合，得到复合体；去除复合体中的生长衬底及剥离层后，即得AlScN薄膜衬底；所述制备方法避免了直接在目标衬底上制备AlScN薄膜所引起的晶格失配及内应力大等问题，可利用多种有效的键合‑剥离方式完成AlScN薄膜的转移，更加简便易行，尤其适用于高Sc掺杂、高质量的AlScN薄膜衬底的制备。
一种 alscn 薄膜衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅石墨复合坩埚及其制备方法与应用-CN202310280787.0有效
发明人：黄秀松;郭超;母凤文 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅石墨复合坩埚及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：（1）含氧气氛下热处理石墨坩埚的内腔；（2）热处理完成后，内腔表面涂覆含硅浆料，烘干固化，得到含硅涂层；（3）真空环境下加热石墨坩埚，冷却后，得到所述碳化硅石墨复合坩埚。本发明制备得到的碳化硅石墨复合坩埚可以作为TSSG法生长SiC单晶的容器和Si源，能够稳定生长过程中Si元素的含量，适合长时间稳定生长SiC单晶。
一种碳化硅石墨复合坩埚及其制备方法应用

[发明专利]一种真空紫外光辅助雾化气相沉积装置及雾化气相沉积方法-CN202310552763.6在审
发明人：母凤文;郭超 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供了一种真空紫外光辅助雾化气相沉积装置及雾化气相沉积方法。所述反应腔室开设有气体入口和气体出口，所述反应腔室通过所述气体入口连接有雾化装置；所述反应腔室的顶部设置有真空紫外透过窗，所述真空紫外透过窗远离所述反应腔室的一侧设置有真空紫外光源，所述真空紫外光源的发射端朝向所述真空紫外透过窗；所述反应腔室的底部设置有样品台，所述样品台的顶面位于所述反应腔室的内腔中。本发明将真空紫外光源与雾化气相沉积装置结合，以实现无损伤或低损伤的低温化学气相沉积，能大大提高沉积薄膜的质量。
一种真空紫外光辅助雾化沉积装置方法

[发明专利]一种改良石墨坩埚及其制备方法与应用-CN202310280783.2有效
发明人：黄秀松;郭超;母凤文 -专利权人： 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种改良石墨坩埚及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：含氧气氛下热处理石墨坩埚的内腔，得到所述改良石墨坩埚。本发明提供的改良石墨坩埚的内壁为孔隙结构；沿远离改良石墨坩埚中心轴的方向，所述孔隙结构的孔隙率逐渐降低。内壁最内层的孔隙结构使石墨与含硅的合金溶液接触的表面积增加，提高了碳元素溶解到含硅的合金溶液中的速度，从而提高了SiC单晶生长的速度。
一种改良石墨坩埚及其制备方法应用

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