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[发明专利]用于区分硅基板上的一组高掺杂区域与一组轻掺杂区域的方法-CN201080037041.8无效
发明人： M·克尔曼;G·斯卡尔德拉 -专利权人：英诺瓦莱特公司
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种区分硅基板上的一组高掺杂区域与一组轻掺杂区域的方法。所述方法包括提供硅基板，该硅基板被构造成具有该组轻掺杂区域和该组高掺杂区域。所述方法也包括用传感器来测量该组轻掺杂区域和该组重掺杂区域的波长吸收，其中对于约1100nm以上的任何波长，轻掺杂区域中的波长的吸收百分比基本上小于重掺杂区域中的波长的吸收百分比。
用于区分硅基板上一组掺杂区域方法

[发明专利]MOS器件的制作方法-CN201811616180.0有效
发明人：吴振华;郭鸿;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该制作方法包括以下步骤：在衬底上形成栅极，在衬底的第一区域和第三区域中形成第一重掺杂区，并去除位于第三区域中的部分第一重掺杂区，第三区域中剩余的第一重掺杂区构成第一源区部，第一区域中的第一重掺杂区构成漏区，衬底的第二区域构成沟道区；在被去除的第三区域中形成第二重掺杂区，第二重掺杂区与第一源区部接触，且第二重掺杂区与第一重掺杂区的掺杂类型相反；去除第一源区部中与第二重掺杂区接触的部分以形成隔离区域，剩余的第一源区部构成第二源区部，在隔离区域中形成分别与第二源区部和第二重掺杂区接触的金属区域，第二源区部、金属区域以及第二重掺杂区构成源区。
mos 器件制作方法

[发明专利]具有恒定电容的MEMS器件-CN201510083334.4有效
发明人： C·F·李;R·C·格金;P·L·菲兹格拉德 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：所述设备还具有处于衬底内的输入掺杂区域和处于衬底内的输出掺杂区域。所述输入掺杂区域和输出掺杂区域通过衬底电隔离，即，它们之间的电阻遏制了两个掺杂区域之间的不可忽略的电流的流动。所述输入掺杂区域与输入节点形成了输入电容，而所述输出掺杂区域与输出节点形成了输出电容。
具有恒定电容 mems 器件

[发明专利]X射线阵列传感器、探测器及其制作方法-CN202010677646.9有效
发明人：殷华湘;许高博;翟琼华;傅剑宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：该X射线阵列传感器包括：半导体衬底；具有相反掺杂离子类型的位于半导体衬底下表面处的第一掺杂区域和上表面处的第二掺杂区域阵列，第二掺杂区域阵列包括间隔设置的至少两个第二掺杂区域；与第二掺杂区域交替设置的隔离覆盖结构，该结构与相邻的两个第二掺杂区域的连线相交，并且每个第二掺杂区域的上表面由两侧的隔离覆盖结构限定出第二开口；以及位于第二开口中的pin接触电极。能够减少耗尽电场的横向扩展，削弱表面反型漏电，从而大幅提升上述传感器中由第二掺杂区域、半导体衬底和第一掺杂区域和pin接触电极构成的像素单元的耗尽电压与工作电压，可以通过增加工作电压来增加信号的响应速度
射线阵列传感器探测器及其制作方法

[发明专利]高表面掺杂浓度形成工艺和由此形成的结构-CN201811178757.4在审
发明人：陈佳政;陈亮吟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文涉及高表面掺杂浓度形成工艺和由此形成的结构，所公开的实施例大体涉及形成在源极/漏极区域的上表面处具有高表面掺杂浓度的源极/漏极区域，导电特征可形成至该处。有源区包括源极/漏极区域。源极/漏极区域包括在源极/漏极区域的上表面处的表面掺杂区域，并且包括具有源极/漏极掺杂浓度的源极/漏极区域的剩余部分。表面掺杂区域包括在靠近源极/漏极区域的上表面处的峰值掺杂浓度。峰值掺杂浓度比源极/漏极掺杂浓度大至少一个数量级。导电特征在源极/漏极区域的上表面处接触源极/漏极区域。
源极/漏极区域掺杂上表面源区导电特征高表面表面掺杂区域源极/漏极电介质层漏极区域靠近源浓度比衬底穿过

[发明专利]光电子部件-CN201680066927.2有效
发明人：余国民;H.阿贝依阿素;D.勒奥瑟;K.马苏达;A.特里塔;A.兹科依耶 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种包括波导的光电子部件，波导包括光学有源区域(OAR)，OAR具有上表面和下表面；下部掺杂区域，其中下部掺杂区域位于OAR的下表面的至少一部分处和/或与之相邻，并且以第一方向从OAR侧向向外延伸；上部掺杂区域，其中上部掺杂区域位于OAR的上表面的至少一部分处和/或与之相邻，并且以第二方向从OAR侧向向外延伸；和位于下部掺杂区域与上部掺杂区域之间的本征区域。
光电子部件

[发明专利]三极管-CN201310456663.X有效
发明人：郑志男 -专利权人：天钰科技股份有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种三极管，包括第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。
三极管

[发明专利]三极管-CN201310456033.2有效
发明人：郑志男 -专利权人：天钰科技股份有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种三极管，包括第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域之间形成一导电通道。
三极管

[发明专利]一种功率器件的制备方法及功率器件-CN202310733439.4在审
发明人：管国栋;孙江涛 -专利权人：马鞍山市槟城电子有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该方法应用于对作为功率器件衬底的晶圆进行选择性掺杂的场景；该方法包括：提供一晶圆；采用丝网印刷工艺在晶圆的表面印刷可剥胶形成掩膜层；其中，掩膜层具有镂空状的图案区域，晶圆的表面具有掺杂区域；图案区域的垂直投影与掺杂区域对应；采用磁控溅射工艺在掩膜层的表面形成掺杂层；其中，掺杂层包括部分落入掺杂区域内的掺杂层以及覆盖在掩膜层的表面的掺杂层；将掩膜层由晶圆的表面剥离，保留落入掺杂区域内的掺杂层；对晶圆进行高温再扩散，以在掺杂层的作用下在掺杂区域内形成
一种功率器件制备方法

[实用新型]FRD器件-CN201822230344.8有效
发明人：赵承杰;周炳;陈雨雁;许新佳;夏凯 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种FRD器件，其由外延层、P型掺杂层、N型掺杂层、金属层、钝化层组成；P型掺杂层形成于外延层正面的中间区域，且P型掺杂层位于中间区域的底面为凹陷设置的弧形面的凹槽中，N型掺杂层形成于外延层正面的边缘区域，且N型掺杂层位于边缘区域的纵深方向设置的凹槽中，钝化层形成于外延层正面的场氧区域，且钝化层位于P型掺杂层、N型掺杂层所在区域之间的位置，金属层层叠地形成于外延层上P型掺杂层、N型掺杂层、钝化层的上方，并与P型掺杂层、N型掺杂层相接触。本实用新型由外延层、P型掺杂层、N型掺杂层、金属层、钝化层组成，仅需要进行三层光刻，其简化器件的结构，降低器件的生产成本，有利于器件的产业化。
外延层钝化层本实用新型边缘区域中间区域金属层场氧区域降低器件所在区域纵深方向产业化凹陷底面光刻三层生产成本金属

[发明专利]发光二极管-CN201711172865.6有效
发明人： A·P·雅各布;S·班纳;D·纳亚克 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：方法包括：在衬底材料上形成具有掺杂芯区域的鳍结构；通过包覆鳍结构的第一鳍结构的掺杂芯区域而保护鳍结构的第二鳍结构和第三鳍结构的掺杂芯区域形成第一颜色发射区域；通过包覆第二鳍结构的掺杂芯区域而保护第一鳍结构和第三鳍结构的掺杂芯区域形成第二颜色发射区域；以及通过包覆第三鳍结构的掺杂芯区域而保护第一鳍结构和第二鳍结构的掺杂芯区域形成第三颜色发射区域。
发光二极管

[发明专利]用于压电电阻器传感器的N型注入电屏蔽件-CN201910515652.1有效
发明人： M·拉玛扎尼 -专利权人：迈来芯科技有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：该传感器至少包括被设置在柔性结构上的感测元件，该柔性结构诸如膜或悬臂等等，该感测元件包括至少一个压电电阻器，该压电电阻器至少包括柔性结构的掺杂有第一类型的掺杂剂原子的第一区域。柔性结构还包括该柔性结构内的第二掺杂区域，该第二掺杂区域至少部分地与第一掺杂区域重叠，由此形成屏蔽件，用于屏蔽感测元件免受外部电场干扰，其中，第二掺杂区域的掺杂剂原子具有与第一掺杂区域的掺杂剂原子的类型相反的第二类型，以供在该第一掺杂区域与第二掺杂区域之间的重叠区域处在柔性结构内生成电荷耗尽层。
用于压电电阻器传感器注入屏蔽

[发明专利]一种太阳能电池的制备工艺-CN201811207806.2有效
发明人：陈孝业;蒋秀林 -专利权人：晶澳太阳能有限公司;晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：S1：在硅基体的至少一个表面上设置本征硅层；S2：在所述本征硅层上设置掺杂源层；S3：使与所述本征硅层预设区域对应位置处的所述掺杂源层的掺杂源分解出掺杂离子并使所述掺杂离子进入所述本征硅层的预设区域，在所述本征硅层的预设区域形成掺杂区域，同时在所述掺杂区域上形成有含掺杂源的氧化硅保护层；S4：去除所述本征硅层上设置有掺杂源层的未掺杂区域，在所述硅基体的至少一个表面上形成局部掺杂硅层。该工艺利用激光完成局部掺杂多晶硅层或非晶硅层，工艺简洁可行。
一种太阳能电池制备工艺

[发明专利]近红外探测器及其制备方法-CN202310841341.0在审
发明人：成毅凡;李明明;宋志刚;李树深 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种近红外探测器件，包括：衬底，包括掺杂区域和非掺杂区域，所述衬底的材料包括锑化镓，所述掺杂区域设置于衬底表面，并从衬底表面向下延伸至第一深度，所述掺杂区域所掺杂的离子包括锗和/或硅离子，所述非掺杂区域为所述衬底去除所述掺杂区域的剩余部分
红外探测器及其制备方法

[发明专利]光电探测器件-CN202211032059.X在审
发明人：黄根;周琳;崔颂;李成;孔德玺;陈紫霄;蔡寿金;程锦;张洁;彭志良;王迎姿;庞净 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器件，包括：PN结层，所述PN结层包括层叠设置的P型掺杂层与N型掺杂层；所述PN结层具有中心区域与边缘区域，所述边缘区域围绕所述中心区域设置，所述中心区域的掺杂浓度大于所述边缘区域的掺杂浓度通过将中心区域的掺杂浓度大于边缘区域的掺杂浓度，可以改变电场的分布，使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，表面漏电流也会得到改善，边缘电场的降低可以有效避免器件发生边缘击穿，保证了非晶硅器件的稳定运行
光电探测器件

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