“掺杂区域”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1171303个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体元件-CN201710276690.7在审
发明人：詹景琳 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括基底、第一掺杂区、第二掺杂区、隔离结构与栅极结构。基底包括第一区及与第一区相连的第二区。第一掺杂区具有第一导电型，位于基底中且包括第一螺旋状区域及块状区域。第二掺杂区具有第一导电型，位于基底中且包括第二螺旋状区域及外围区域。隔离结构设置于第一掺杂区与第二掺杂区之间。栅极结构设置于第一掺杂区与第二掺杂区之间且覆盖部分的基底及部分的隔离结构。
掺杂区基底隔离结构半导体元件螺旋状区域栅极结构导电型第一区块状区域外围区域覆盖

[发明专利]用于制作半导体结构的方法-CN200710086141.X无效
发明人： D·奇达姆巴拉奥;S·H·杰恩;W·K·亨森;K·里姆 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-03-02 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：可以通过在约0.1到约10毫秒的时间段中在约1050℃到约1400℃的温度使对应的锑掺杂非晶化区域退火，在半导体衬底之内形成薄片电阻稳定的重新结晶的锑掺杂区域。优选地，使用激光表面处理。此外，锑掺杂区域可以利用磷掺杂剂和砷掺杂剂中的至少一个进行共掺杂。锑掺杂剂和激光表面处理提供了另外在独自地形成磷和/或砷掺杂区域时所没有的薄片电阻稳定性。
用于制作半导体结构方法

[实用新型]金属氧化物场效应晶体管器件和电子设备-CN202022645154.X有效
发明人： M·G·萨吉奥;E·扎内蒂;A·瓜尔内拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：MOSFET器件的源极端子包括掺杂区域和金属层，掺杂区域在半导体主体的第一面处延伸，并且金属层电耦合到该掺杂区域的金属层。漏极端子在半导体主体的第二面处延伸。掺杂区域包括第一子区域和第二子区域，第一子区域具有第一掺杂水平和第一深度，并且第二子区域具有第二掺杂水平和第二深度的第二子区域。第二掺杂水平和第二最大深度中间的至少一项具有比第一掺杂水平和第一最大深度的相应值高的值。金属层唯一地通过第二子区域与源极端子电接触。根据本公开，提供了改善的金属氧化物场效应晶体管器件。
金属氧化物场效应晶体管器件电子设备

[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202310155830.0在审
发明人：刘长明 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，其中，所述太阳能电池包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底的后表面的隧穿层；位于所述隧穿层的至少部分表面的掺杂阻挡层；位于所述掺杂阻挡层表面的掺杂导电层，所述掺杂导电层包括交替设置的轻掺杂导电区域及重掺杂导电区域，其中，所述轻掺杂导电区域包括N层层叠设置的多晶硅层，且至少两层多晶硅层之间设有纳米氧化硅层，N≥3；位于所述轻掺杂导电区域表面的第一钝化层；以及与所述重掺杂导电区域一一对应且接触的第一电极。
太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]太阳能电池结构与其制造方法-CN201110032663.8有效
发明人：柳彦志;陈威有;李济群;林建宏 -专利权人：茂迪股份有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：此射极层是包含高掺杂区域和低掺杂区域。高掺杂区域包含高掺杂指部，这些高掺杂指部之间是由低掺杂区域作间隔设置。然后，对位形成设于高掺杂指部上的指状电极，以及至少一汇流电极被形成于射极层上，其中汇流电极是与指状电极交叉设置，且与高掺杂指部及低掺杂区域上下对应。
太阳能电池结构与其制造方法

[实用新型]高电子迁移率晶体管-CN201920107121.4有效
发明人： F·尤克拉诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管，包括：半导体异质结构；第一掺杂栅极区域，在异质结构之上延伸并且包含P型的掺杂剂杂质；第二掺杂栅极区域，具有与第一掺杂栅极区域接触的第一侧和与异质结构接触的第二侧，第二掺杂栅极区域包含P型的掺杂剂杂质，其中异质结构包括：第一部分，在第二掺杂栅极区域的第二侧处延伸，并且具有第一浓度的P型的掺杂剂杂质；以及第二部分，与第一部分横向地延伸，并且具有低于第一浓度的第二浓度的P型的掺杂剂杂质。
栅极区域掺杂剂杂质掺杂异质结构高电子迁移率晶体管延伸半导体异质结构

[其他]半导体装置-CN201490001492.X有效
发明人：奥野高广 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：主掺杂区域(2)设置于主部(PM)，为第2导电型，且具有一个面积。多个副掺杂区域(1)彼此分离，分别设置于角部(PC)中的至少2个角部，且与主掺杂区域(2)分离，该多个副掺杂区域为第2导电型，且具有小于所述一个面积的总面积。主电极(6)在表面(SF)上与主掺杂区域(2)邻接，且与副掺杂区域(1)分离。周边电极(41)与各副掺杂区域(1)邻接。
半导体装置

[发明专利]多模光纤-CN201610059735.0有效
发明人：盐崎学;米泽和泰;榎本正 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G02B6/028 文献下载
摘要：在GI‑MMF的实例中，芯部的整个区域掺杂有Ge，并且芯部的一部分掺杂有P。即，掺Ge区域与芯部的整个区域一致，并且掺Ge区域由掺杂有Ge和P的部分掺P区域和掺杂有Ge但有意未掺杂P的未掺P区域构成。
光纤

[发明专利]静电放电保护装置-CN200310104636.2无效
发明人：陈伟梵;林锡聪 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电放电(ESD)保护装置，具有第一导电性的半导体本体，在半导体本体形成的第二导电性的第一掺杂区域，在半导体本体形成的第二导电性的第二掺杂区域，在第一掺杂区域及第二掺杂区域间形成的通道区域，在第一掺杂区域上形成的数个接触窗
静电放电保护装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710320448.5有效
发明人：林文新;林鑫成;吴政璁;胡钰豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，其半导体装置包括一半导体基底、一第一阱、一第二阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区以及一第四掺杂区。半导体基底具有一第一导电型。第一阱具有一第一区域以及一第二区域。第一区域的掺杂浓度高于第二区域的掺杂浓度。第二阱具有第一导电型，并形成于第一区域之中。第一掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。第二导电型不同于第一导电型。第二掺杂区具有第一导电型，并形成于第二阱之中。第三掺杂区具有第一导电型，并形成于第二区域之中。第四掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]传感器和光刻设备-CN201380060745.0有效
发明人： S·尼蒂亚诺维;H·科克;M·威伦斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种背照式传感器，包括支撑衬底、半导体层和p型掺杂保护材料层，半导体层包括光电二极管，光电二极管包括p型掺杂半导体区域和设置在半导体层的第一表面处的n型掺杂半导体区域，其中耗尽区域被形成在n型掺杂半导体区域和p型掺杂半导体区域之间，p型掺杂保护材料层设置在半导体层的第二表面上，其中半导体层的第一表面被固定到支撑衬底的表面。
传感器光刻设备

[发明专利]一种半导体器件及制造方法-CN202310147038.0在审
发明人：姚佳欣;魏延钊;殷华湘;张青竹 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及制造方法，半导体器件包括衬底，衬底具有掺杂类型不同的第一掺杂区域和第二掺杂区域，第一掺杂区域上设置有堆叠的多个第一半导体层，多个第一半导体层之间具有第一间隙，第二掺杂区域上设置有堆叠的多个第二半导体层由于位于第一掺杂区域的第一偶极子层的极性，与位于第二掺杂区域的第二偶极子层的极性相反，在第一掺杂区域和第二掺杂区域可以形成不同的器件阈值，实现多阈值集成，可以精确调控半导体器件阈值，提高器件性能。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]分离栅快闪存储单元及其制造方法-CN02156323.3无效
发明人：杨青松;吕联沂;陈炳勳;徐清祥 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2002-12-13 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非易失性存储单元，其包括：一半导体衬底；一井区域，其由一第一类掺杂剂注入而形成于该半导体衬底中；一第一掺杂区域，其由以一第二类掺杂剂注入而形成于该半导体衬底中；一第二掺杂区域，其被形成但与该第一掺杂区域有所间隔，并以一第二类掺杂剂注入而形成于该半导体衬底中，该第二掺杂区域还包括一以该第一类掺杂剂注入的第三区域；一第一介电层，其被设置于该半导体衬底上；一浮极，其被设置于第一介电层上，并延伸于该井区域与第二掺杂区域的一部分上
分离闪存单元及其制造方法

[发明专利]晶体管结构-CN201710109572.7有效
发明人： S·阿萨纳西乌;P·加利 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管包括覆盖有绝缘栅的第一导电类型的准本征区域。该准本征区域在两个第二导电类型的第一掺杂区域之间延伸。主电极设置在这两个第一掺杂区域中的每一者上的。第二导电类型的第二掺杂区域被定位成与该准本征区域接触，但是与这两个第一掺杂区域电分离且物理分离一定距离。控制电极设置在该第二掺杂区域上。
晶体管结构

[实用新型]晶体管及电子电路-CN201720182971.1有效
发明人： S·阿萨纳西乌;P·加利 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管包括覆盖有绝缘栅的第一导电类型的准本征区域。该准本征区域在两个第二导电类型的第一掺杂区域之间延伸。主电极设置在这两个第一掺杂区域中的每一者上的。第二导电类型的第二掺杂区域被定位成与该准本征区域接触，但是与这两个第一掺杂区域电分离且物理分离一定距离。控制电极设置在该第二掺杂区域上。
晶体管电子电路

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top