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[发明专利]铝-锡浆料及其在制造可焊电导体中的用途-CN201580030384.4有效
发明人： E·罗戈吉纳;G·王;E·戴;M·克尔曼 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种浆料组合物，所述浆料组合物包含分散于有机介质中的Al和Sn，并涉及提供可焊电极的浆料组合物。本发明还涉及由所述浆料组合物形成的电极以及半导体器件，并且具体地涉及包括此类电极的太阳能电池。提供可焊电极的浆料组合物尤其可用于形成太阳能电池背面可焊电极。
浆料及其制造可焊电导体中的用途

[发明专利]高保真度掺杂浆料及其方法-CN201180058799.4有效
发明人： E·V·罗戈吉纳;M·克尔曼;G·斯卡尔德拉 -专利权人：英诺瓦莱特公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了高保真度掺杂剂浆料。所述高保真度掺杂浆料包含溶剂、分散到所述溶剂中的一组非玻璃基质颗粒和掺杂剂。
保真度掺杂浆料及其方法

[发明专利]用于制造具有选择性掺杂的背面的光伏电池的方法-CN201380056777.3有效
发明人： G·斯卡尔德拉;M·克尔曼;E·V·罗戈吉纳;D·波普拉夫斯基;E·泰;G·王 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种用于制造具有局部扩散的背面的光伏电池的方法，所述方法包括以下步骤(a)提供掺杂的硅基板，所述基板包括面向阳光的正面和背面；(b)在所述正面和所述背面上形成二氧化硅层；(c)以图案形式将含硼掺杂浆料沉积在背面上，所述含硼浆料包含硼化合物和溶剂；(d)以图案形式将含磷掺杂浆料沉积在背面上，所述含磷掺杂浆料包含磷化合物和溶剂；(e)在一定环境中将所述硅基板加热至第一温度并持续第一时间段以便使硼和磷局部扩散到所述硅基板的背面中。
用于制造具有选择性掺杂背面电池方法

[发明专利]形成具有含硅颗粒的多掺杂结的方法-CN201180006269.5有效
发明人： G·斯卡尔德拉;阚世海;M·克尔曼;D·波普拉夫斯基 -专利权人：英诺瓦莱特公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了在基板上形成多掺杂结的方法。所述方法包括提供掺入有硼原子的基板，所述基板包括基板正表面。所述方法还包括将油墨以油墨图案沉积在所述基板正表面上，所述油墨包含一组含硅颗粒和一组溶剂。所述方法还包括将所述基板在烘焙环境中加热至第一温度并持续第一时间段以形成致密膜油墨图案。所述方法还包括在第二温度下将所述基板暴露于具有沉积环境的扩散炉中的掺杂剂源并持续第二时间段，所述沉积环境包含POCl3、N2载气、主要N2气体和反应性O2气体，其中PSG层在所述基板正表面和所述致密膜油墨图案上形成；以及在驱入环境中将所述基板加热至第三温度；其中具有第一薄层电阻的第一扩散区域在被所述致密膜油墨图案覆盖的基板正表面下形成，并且具有第二薄层电阻的第二扩散区域在未被所述致密膜油墨图案覆盖的基板正表面下形成，并且其中所述第一薄层电阻基本上小于所述第二薄层电阻。
形成具有颗粒掺杂方法

[发明专利]使用一组硅纳米颗粒流体以原位控制一组掺杂剂扩散分布的方法-CN201080052640.7无效
发明人： E·罗戈吉纳;D·泊普拉维斯基;M·克尔曼;D·克赖;G·斯卡尔德拉;M·伯罗斯 -专利权人：英诺瓦莱特公司
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：本发明公开了形成多掺杂结的方法。所述方法包括提供第一基板和第二基板。所述方法还包括将第一油墨沉积在所述第一基板和所述第二基板中的每一个的第一表面上，所述第一油墨包含第一组纳米颗粒和第一组溶剂，所述第一组纳米颗粒包含第一浓度的第一掺杂剂。所述方法还包括将第二油墨沉积在所述第一基板和所述第二基板中的每一个的第二表面上，所述第二油墨包含第二组纳米颗粒和第二组溶剂，所述第二组纳米颗粒包含第二浓度的第二掺杂剂。
使用一组纳米颗粒流体原位控制掺杂扩散分布方法

[发明专利]用于区分硅基板上的一组高掺杂区域与一组轻掺杂区域的方法-CN201080037041.8无效
发明人： M·克尔曼;G·斯卡尔德拉 -专利权人：英诺瓦莱特公司
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种区分硅基板上的一组高掺杂区域与一组轻掺杂区域的方法。所述方法包括提供硅基板，该硅基板被构造成具有该组轻掺杂区域和该组高掺杂区域。所述方法还包括用电磁辐射源来照射硅基板，所述电磁辐射源发射出约1100nm以上波长的光。所述方法也包括用传感器来测量该组轻掺杂区域和该组重掺杂区域的波长吸收，其中对于约1100nm以上的任何波长，轻掺杂区域中的波长的吸收百分比基本上小于重掺杂区域中的波长的吸收百分比。
用于区分硅基板上一组掺杂区域方法

[发明专利]在流通式等离子反应器中生产IV族元素纳米颗粒的方法和装置-CN200880106420.0有效
发明人： X·李;C·阿尔肯塔拉;M·克尔曼;E·罗戈吉纳;E·希夫;M·特里;K·范霍伊斯登 -专利权人：创新发光体公司
申请日： 2008-05-01 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： B01J12/00 文献下载
摘要：公开了用于由前体气体生产IV族元素半导体纳米颗粒的集合的等离子处理装置。装置包括外介电管，外管包括外管内表面和外管外表面，其中外管内表面具有外管内表面蚀刻速率。装置还包括内介电管，内介电管包括内管外表面，其中外管内表面和内管外表面限定出环形通道，而且其中内管外表面具有内管外表面蚀刻速率。装置还包括第一外电极，第一外电极具有布置在外管外表面上的第一外电极内表面。装置还包括第一中心电极，第一中心电极被布置在内介电管内部，第一中心电极还被设计成在第一RF能量源施加到第一外电极和第一中心电极中一个时被连接到第一外电极上；和在第一外电极和中心电极之间限定的第一反应区。
流通等离子反应器生产 iv 元素纳米颗粒方法装置

[发明专利]IV族纳米粒子及其膜-CN200780051477.0无效
发明人： M·克尔曼;X·李;P·于;K·范霍伊斯登;D·尤尔伯格斯 -专利权人：创新发光体公司
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：提供了一组纳米粒子。所述纳米粒子组的每个纳米粒子包括以基本上球形排列的一组IV族原子。所述纳米粒子组的每个纳米粒子进一步具有：约1.0至约2.0的球形度；约4nm至约100nm的直径；和小于所述IV族原子组的熔化温度的烧结温度。
iv 纳米粒子及其

[发明专利]在Ⅳ族半导体基底上形成外延层的方法-CN200780045929.4无效
发明人： D·波普拉夫斯基;F·莱米;M·克尔曼;A·梅泽 -专利权人：创新发光体公司
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明公开在腔体中形成外延层的方法。该方法包括将IV族半导体基底置于腔体中；并沉积纳米颗粒墨，所述纳米颗粒墨包括IV族纳米颗粒组和溶剂，其中形成多孔坯块。该方法也包括利用加热装置加热该多孔坯块至大约100℃到大约1100℃之间的温度，并且加热大约5分钟到大约60分钟的时间，其中形成外延层。
半导体基底形成外延方法

[发明专利]宝石抛光设备及抛光方法-CN200680007441.8无效
发明人： M·克尔曼;M·穆阿利姆 -专利权人：以色列钻石研究院
申请日： 2006-02-28 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种用于抛光由具有垂直于抛光面(110)的预定轴线(160)的保持柄(100)所保持的钻石的方法。在钻石(122)的每个刻面的抛光结束时，轴线(160)返回其初始的空间位置。
宝石抛光设备方法

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