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[发明专利]微机电系统开关及其制造方法-CN202280000242.3在审
发明人：李月;冯昱霖;肖月磊;曹雪;常文博;韩基挏;吴艺凡;周毅;王立会;魏秋旭;安齐昌;曲峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微机电系统开关及其制造方法，该微机电系统开关包括绝缘基底、驱动电极、第一绝缘层、第一信号传输线和第二信号传输线，其中，绝缘基底的第一表面形成有第一区域，且第一区域相对于第一表面更靠近绝缘基底背离第一表面的表面，驱动电极设置于第一区域；第一绝缘层完全覆盖驱动电极；第一信号传输线设置于第一绝缘层背离绝缘基底一侧的表面；第二信号传输线包括连为一体的信号传输段和悬臂段，信号传输段设置于绝缘基底的第一表面，悬臂段悬置于第一信号传输线背离绝缘基底一侧。本发明提供的微机电系统开关及其制造方法，不仅可以简化开关结构、降低工艺复杂程度，而且可以减少悬臂变形和断裂的几率，提高悬臂的可靠性。
微机系统开关及其制造方法

[发明专利]一种基于RF MEMS开关的多刀多掷开关-CN202110502070.7有效
发明人：吴倩楠;张世义;王姗姗;余建刚;李孟委 -专利权人：中北大学;南通高等研究院
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于RF MEMS开关的多刀多掷开关，包括：衬底；设置在衬底上且级联的两个MEMS单刀多掷开关；MEMS单刀多掷开关包括若干信号线、地线、若干上电极、若干驱动电极、功分器和若干空气桥。该多刀多掷开关通过将两个MEMS单刀多掷开关级联，不仅可以减小器件的插入损耗，提高了器件的隔离度，减小了器件的尺寸，扩宽了器件的工作频率，而且可以实现多通道信号的选通功能。
一种基于 rf mems 开关多刀多掷

[发明专利]具有MEMS继电器的开关设备-CN202310293447.1在审
发明人： F·莫洛克;T·巴赫;Y·Z·博杜尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种开关设备(1)，包括：第一MEMS继电器(2)，所述第一MEMS继电器具有两个开关接通部(3，4)和至少一个控制接通部(5)，其中，所述开关接通部(3，4)之间的电连接能够通过向所述控制接通部施加控制信号来切换，其中，所述第一MEMS继电器(2)的开关接通部布置在电流路径(12)中；开关逻辑(6)，所述开关逻辑与所述第一MEMS继电器(2)的所述控制接通部(5)耦合，以便通过所述控制信号切换第一MEMS继电器(2)。
具有 mems 继电器开关设备

[发明专利]一体式高冲击石英微开关-CN202310649193.2有效
发明人：张照云;刘显学;杨杰;谢晋 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子机械系统技术领域，公开了一种一体式高冲击石英微开关。基于熔石英基片一体成型的石英微开关主体，石英微开关主体包括基座、悬臂梁、质量块、下极板、下极板悬臂梁和下极板质量块。质量块通过悬臂梁连接至基座的上端，下极板连接至基座的下端，下极板质量块通过下极板悬臂梁连接至下极板。质量块上设有第一金属层，下极板质量块上设有第二金属层。其中，质量块被构造成可在惯性作用下向下极板质量块移动，当质量块上的第一金属层与下极板质量块的第二金属层未接触时，石英微开关保持断开；当质量块上的第一金属层与下极板质量块的第二金属层接触时，石英微开关导通。该开关结构和加工工艺简单，且导通时间长、可靠性高。
体式冲击石英开关

[发明专利]一体式石英微开关-CN202310649277.6有效
发明人：杨杰;刘显学;张照云;谢晋 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子机械系统技术领域，公开了一种一体式石英微开关。包括基于熔石英基片一体成型的石英微开关主体，石英微开关主体包括下极板、质量块、悬臂梁和基座。质量块的一端被构造成第一悬空端，质量块的另一端连接悬臂梁的一端，悬臂梁的另一端连接基座的上端，基座的下端连接下极板的一端，下极板的另一端被构造成第二悬空端。质量块的下表面设有第一金属层，下极板的上表面设有第二金属层。当质量块的下表面的第一金属层与下极板上表面的第二金属层未接触时，石英微开关保持断开。当质量块的下表面的第一金属层与接触下极板的上表面的第二金属层接触时，石英微开关导通。该开关结构简单、加工工艺简单且可靠性高。
体式石英开关

[发明专利]一种高冲击石英微开关-CN202310649293.5有效
发明人：刘显学;张照云;杨杰;谢晋 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子机械系统技术领域，公开了一种高冲击石英微开关。包括由下至上通过键合连接的下极板、中间极板和上盖板。其中，中间极板包括中间基板和设置于中间基板下表面的中间电极层。中间基板包括中间边框、第一质量块和第一悬臂梁。中间电极层包括质量块电极层，质量块电极层设置于第一质量块的下表面。下极板包括下基板和设置于下基板的上表面的第二电极层。下基板包括下边框、第二质量块和第二悬臂梁。第二电极层包括设置于第二质量块上表面的导通电极层，导通电极层与质量块电极层相对设置。下基板、上盖板和中间基板的材质均为熔石英；当质量块电极层与导通电极层接触时，第一电极层和第二电极层导通。该开关导通时间长，可靠性高。
一种冲击石英开关

[发明专利]MEMS开关继电器及其控制方法与功率设备-CN202310354134.2在审
发明人：罗涛;赖彬;胡小情;景遐明 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种MEMS开关继电器以及控制方法和功率设备，MEMS开关继电器包括源极、漏极、永磁薄膜、电感线圈、悬梁臂、锚和基板；源极与漏极沿第一方向依次设置于基板的第一表面；悬梁臂的固定端通过锚与源极连接，所述悬梁臂悬空设置于所述基板的第一表面；所述永磁薄膜表贴于所述悬梁臂的表面，且位于所述悬梁臂靠近所述基板的一面；所述电感线圈包括绕组与磁芯，所述电感线圈与所述永磁薄膜相对设置，所述电感线圈设置于所述基板靠近所述悬梁臂的一侧，且位于所述基板的内，所述磁芯与所述永磁薄膜之间在第二方向上形成磁场空间，所述第二方向与第一方向相互垂直。该MEMS开关继电器可以降低驱动电压，同时也可以提高隔离电压。
mems 开关继电器及其控制方法功率设备

[发明专利]MEMS开关继电器及其控制方法与功率设备-CN202310312070.X在审
发明人：罗涛;胡小情;赖彬;景遐明 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种MEMS开关继电器以及控制方法和功率设备，MEMS开关继电器包括源极、漏极、栅极、电感线圈、悬梁臂、锚和基板；源极、栅极与漏极沿第一方向依次设置于基板的第一表面，源极与栅极之间用于连接第一电源以产生静电力；悬梁臂的固定端通过锚与源极连接，所述悬梁臂悬空设置于所述基板的第一表面；电感线圈位于基板内，且设置于基板靠近栅极的一侧，电感线圈用于连接第二电源以产生磁场力。通过在静电型MEMS开关继电器中增加电感线圈，可以降低驱动电压，同时也可以提高隔离电压。
mems 开关继电器及其控制方法功率设备

[发明专利]微机电系统开关及其制备方法、电子装置-CN202310251870.5在审
发明人：郭景文;曹子博 -专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：一种微机电系统开关及其制备方法、电子装置。微机电系统开关包括：基底及偏置线；位于偏置线远离基底一侧的共面波导层，共面波导层包括与偏置线连接的偏置电极；位于共面波导层远离基底一侧的第二隔离层，第二隔离层包括位于第一地线、第二地线和波导传输线之间的凹槽；第二隔离层在基底上的正投影与偏置电极在基底上的正投影不交叠；位于第二隔离层远离基底一侧的膜桥，膜桥包括第一支撑部、第二支撑部和沿水平方向设置的桥体，桥体的两端分别和第一支撑部、第二支撑部连接，第二支撑部与偏置电极连接；第一支撑部位于第一地线的正上方，第二支撑部位于第二地线的正上方。
微机系统开关及其制备方法电子装置

[发明专利]基于结构超滑的电极开关-CN202011087865.8有效
发明人：郑泉水;吴章辉;向小健 -专利权人：深圳清华大学研究院;清华大学
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于结构超滑的电极开关，包括基底、驱动部件以及滑动部件，驱动部件包括设于基底内部的第一电极件以及设于基底外部的第二电极件，第二电极件与所有第一电极件在垂直方向上均具有正对面积，滑动部件设于第一电极件和第二电极件之间，且基底和滑动部件超滑接触。滑动部件设置在第一电极件和第二电极件之间，使得滑动部件的两侧可以形成压差，驱动滑动部件能够在基底上往复运动，进而实现开关的效果，且第二电极件设置在基底的外部，可以直接在第一电极件和第二电极件之间形成电场，能够实现较低的驱动电压及实现滑动部件的驱动。
基于结构电极开关

[发明专利]一种三明治接触结构MEMS开关及其制备方法-CN202310080199.2在审
发明人：余志伟 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种三明治接触结构MEMS开关及其制备方法，开关结构包括：第一支撑部，具有U型槽结构；可动电极，包括固定端和可动端，其中，固定端与第一支撑部的U型槽的内底面之间设置有绝缘层，可动端远离固定端并相对于绝缘层悬空；第二支撑部，具有平面结构，平面结构的一面具有绝缘层；驱动电极和接触电极，二者相互平行的设置于平面结构的绝缘层上；第一支撑部的U型槽开口倒扣于第二支撑部上，并使得可动电极的可动端的接触面正对于驱动电极和接触电极的接触面，且驱动电极位于接触电极和可动电极的固定端之间。本发明将MEMS开关设计为可拆分的两部分，使其能够通过分开制备而大大降低制备难度，且结构上有助于降低封装难度。
一种三明治接触结构 mems 开关及其制备方法

[发明专利]基于X波段的串联接触式射频MEMS开关及其制作方法-CN202211429912.1有效
发明人：宋戈;冯辉;李明月;陈达;刘一剑 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明属于射频MEMS开关技术领域，具体公开了一种基于X波段的串联接触式射频MEMS开关及其制作方法。其中，为了解决高驱动电压与可靠性之间的矛盾，本发明设计了一种具有五段式弹簧弯曲结构的可移动电极，其等效弹簧系数较小，因而该可移动电极在保证射频性能的情况下能够有效地减小驱动电压。此外，为了抑制趋肤效应的影响，本发明优化了可移动电极的中心梁结构，在中心梁上增加了触点且合理设计了内外触点的宽度，在提升S参数性能的同时，在一定程度上抑制了趋肤效应。由于本发明射频MEMS开关是基于微带线结构的射频MEMS开关，因此与共面波导结构相比，易于集成，且制造工艺简单。
基于波段串联接触射频 mems 开关及其制作方法

[发明专利]电子模块-CN202180046070.9在审
发明人： O.拉布;M.施瓦尔茨;S.基尔 -专利权人：西门子股份公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：电子模块具有至少一个具有衬底的MEMS开关和至少一个半导体构件，其中至少一个半导体构件利用衬底形成并且与MEMS开关连接。
电子模块

[发明专利]高隔离度低启动电压串联接触式双臂悬梁MEMS开关-CN202211378948.1在审
发明人：陈柏池;林铭团;郭岳儒;龙世新;袁博秋;查淞 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高隔离度低启动电压串联接触式双臂悬梁MEMS开关，包括衬底、及第一CPW传输线、第二CPW传输线、第三CPW传输线、第一悬臂开关结构与第二悬臂开关结构，第三CPW传输线设在衬底上且位于第一CPW传输线与第二CPW传输线之间的位置；第一悬臂开关结构的一端与第一CPW传输线相连，另一端与第三CPW传输线的一端相连；第二悬臂开关结构的一端与第二CPW传输线相连，另一端与第三CPW传输线的另一端相连。本发明应用于微电子机械领域，通过降低上电极和驱动电极的间隙有效降低驱动电压的同时，还通过串联单悬臂开关两级级联的方式实现了高隔离度，使MEMS开关能更好地支撑射频系统的应用。
隔离启动电压串联接触双臂悬梁 mems 开关

[发明专利]一种平面单位移驱动的双稳态MEMS开关-CN202110463726.9有效
发明人：唐彬;陶启;兰泽华;代俊;王晓红;廖运来;唐自励 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面单位移驱动的双稳态MEMS开关，该双稳态MEMS开关包括衬底、固定端、弹性梁和T型触发执行器，其中固定端包括第一固定端、第二固定端和第三固定端；弹性梁包括两个L型弹性梁和两个V型弹性梁。本发明公开的双稳态MEMS开关通过位移驱动装置驱动T型触发执行器，利用弹性梁的形变和位移实现电路通电与断电。本发明公开的平面单位移驱动的双稳态MEMS开关，输入驱动少，结构简单，容易控制，响应速度快，具备自锁功能，可靠性高，本发明的双稳态MEMS开关可用于电路开关也可作为位移开关，通用性强。
一种平面位移驱动双稳态 mems 开关

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