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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210108852.7在审
发明人：纪世良;赵振阳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，包括：待刻蚀层，包括第一区和第二区、位于待刻蚀层上的第一核心层、位于第一核心层上的第一过渡结构以及位于第一区上第一过渡结构上的若干第一核心结构；在第二区上的第一过渡结构内形成开口；在第一核心结构侧壁表面形成第一侧墙；在开口内形成第二侧墙，所述第二侧墙填充满所述开口；以所述第一侧墙和第二侧墙为掩膜刻蚀所述第一过渡结构和第一核心层，在第一区上形成分立的若干第二核心结构，在第二区上形成分立的若干第三核心结构；在第二核心结构侧壁表面和第三核心结构侧壁表面形成第三侧墙；以所述第三侧墙为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种电容器孔制造方法及DRAM制造方法-CN202011219639.0在审
发明人：具德滋;周娜;李俊杰;李琳;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上方顺序形成刻蚀停止层和待刻蚀层；刻蚀第三支撑层并过刻蚀第二模制层，以形成第一沟槽；通过沉积工艺在第一沟槽上方形成侧墙材料层；对第一沟槽的底面处的侧墙材料进行开口刻蚀，其中，通过剩余的侧墙材料限定电容器孔的尺寸；以顶部覆盖的侧墙材料层为掩模，对第一沟槽的底部的第二支撑层、第一模制层和第一支撑层进行刻蚀，直到刻蚀停止层停止。
一种电容器制造方法 dram

[发明专利]一种含铝材料的ICP刻蚀方法-CN201810262816.X在审
发明人：祝希;刘志峰;赵亮 -专利权人：湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及半导体行业的一种干法刻蚀，特别涉及一种含铝材料的ICP刻蚀方法，包括如下步骤：1）提供含铝材料的半导体芯片，对其表面进行清洗；2）采用化学气相沉积CVD方法在半导体芯片上生长一层掩膜层；3）在上述掩膜层上涂覆光刻胶并且制作出待刻蚀图形；4）采用RIE刻蚀掩膜层；5）去除RIE刻蚀后掩膜层表面的光刻胶；6）将经步骤5）处理后的半导体芯片放入ICP刻蚀设备中进行ICP刻蚀；ICP刻蚀的刻蚀条件为：刻蚀温度为20~60℃，刻蚀功率为1000~1500W，射频功率为50~200W，腔体压力为2~8mTorr，刻蚀气体为Cl2、H2、CH4的混合气体。本发明提供的含铝材料的ICP刻蚀方法解决了含铝材料的ICP刻蚀过程容易出现刻蚀速率慢、均匀性不好、形貌较差、表面不平坦、聚合物较多等问题。
含铝材料半导体芯片掩膜层刻蚀光刻胶化学气相沉积形貌半导体行业刻蚀掩膜层干法刻蚀混合气体刻蚀功率刻蚀气体刻蚀条件刻蚀图形腔体压力射频功率聚合物均匀性放入去除涂覆清洗平坦生长

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器结构及其制造方法、滤波器以及双工器-CN201911265618.X在审
发明人：唐兆云;赖志国;杨清华;王家友;唐滨 -专利权人：北京汉天下微电子有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法，包括：确定待形成的薄膜体声波谐振器之间的连接方式；刻蚀基底形成凹槽并在凹槽内填充牺牲层；形成覆盖基底的叠层结构并对叠层结构进行刻蚀，在每一凹槽上方形成叠层单元以及在待形成的以第一连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的叠层单元之间形成第一连接部；对刻蚀叠层结构所形成的区域进行填充以形成填充结构；在叠层单元上形成第一上电极以及在待形成的以第二连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的第一上电极之间形成第二连接部；刻蚀第一连接部；去除填充结构以及牺牲层
一种薄膜声波谐振器结构及其制造方法滤波器以及双工器

[发明专利]一种图案化方法-CN201710773924.9在审
发明人：张高升;刘聪;沈剑平;贺晓平;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种图案化方法，该方法在第一对硬掩模层进行刻蚀，形成图案化的第一硬掩模层后，采用腐蚀性酸液清洗该图案化的第一硬掩模层。如此，就可以将第一硬掩模层刻蚀过程中产生的副产物从图案化后的第一硬掩模层表面清洗掉，该清洗掉刻蚀副产物的第一硬掩模层表面有利于后续待刻蚀材料层的沉积，从而能够在图案化后的第一硬掩模层的侧壁上形成台阶覆盖率较好的侧墙，使得侧墙顶部厚度与底部厚度相当，使得侧墙联线横截面面积均匀，而且去除掉与侧墙接触的无定型碳硬掩模层之后，侧墙也不很难倾斜，因此当以该侧墙为掩蔽时，最终能够在待刻蚀材料层形成质量较好的图形，从而有利于提高产品的良率
一种图案方法

[实用新型]晶圆边缘清洗设备-CN201921908668.0有效
发明人：张玉静 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型实施方式提供了一种晶圆边缘清洗设备，晶圆边缘清洗设备包括：晶圆载板，用于承载晶圆，晶圆边缘具有至少一层待清洗的膜层；第一清洗单元，用于采用湿法刻蚀工艺清洗晶圆边缘；第二清洗单元，用于采用干法刻蚀工艺清洗晶圆边缘；控制模块，用于基于当前待清洗的膜层的属性，调用与属性相对应的第一清洗单元或第二清洗单元对晶圆边缘进行清洗。将目前对晶圆边缘的清洗设备进行改进，采用干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺相结合的方式对晶圆边缘进行清洗，对待清洗的膜层进行的具有针对性的清洗。
边缘清洗设备

[发明专利]TiN复合硬掩膜、用于形成互连层结构的硬掩及互连层的制作方法-CN201410127662.5有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请公开了一种TiN复合硬掩膜、用于形成互连层结构的掩膜及互连层的制作方法。该TiN复合硬掩膜包括至少一组掩膜组件，其中掩膜组件包括：第一掩模层，靠近待刻蚀器件表面设置；第二掩模层，设置在第一掩模层远离待刻蚀器件的一侧；第二掩模层为氮化钛层，第一掩模层的硬度低于第二硬掩层的硬度通过将氮化钛层设置在上方，以提高TiN复合硬掩膜的硬度，进而有利于在刻蚀过程为半导体器件提供保护，同时通过降低TiN的层厚，减少抛光时TiN碎片的数量，进而减少TiN残留物。
tin 复合硬掩膜用于形成互连结构制作方法

[发明专利]二极管的制造方法-CN201410314806.8有效
发明人：赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种二极管的制造方法，包括：在外延层中形成N型区；在所述外延层和N型区的表面形成氧化层；对所述氧化层进行刻蚀，以将所述外延层中待形成沟槽部分和待形成P型区部分表面的氧化层去除；对所述待形成沟槽部分进行刻蚀，以形成沟槽；在所述待形成P型区部分形成P型区；在形成有所述N型区和所述P型区的外延层上形成介质层和金属层，以形成所述二极管。
二极管制造方法

[发明专利]双压印方法-CN201010612440.4有效
发明人：张海洋;王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双压印方法，该方法包括：在待刻蚀薄膜上形成金属硬掩膜层；采用第一模具对金属硬掩膜层进行压印，压印后的金属硬掩膜层为第一压印图案；在第一压印图案和暴露出来的待刻蚀薄膜之上旋涂深紫外氧化物，并进行硬性烘烤处理；采用第二模具对深紫外氧化物进行压印，压印后的深紫外氧化物为第二压印图案；以第二压印图案作为掩膜，对位于其下的第一压印图案刻蚀，然后将第二压印图案去除，刻蚀后的第一压印图案为第三图案；以第三图案作为掩膜，对待刻蚀薄膜刻蚀。
压印方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010409155.6在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成若干核心层，相邻的核心层之间具有第一沟槽；形成侧墙材料层和第一牺牲层，侧墙材料层位于核心层的侧壁以及待刻蚀层的顶部表面，第一牺牲层位于侧墙材料层的侧壁和顶部表面；去除核心层，在侧墙材料层和第一牺牲层内形成第一开口。由于侧墙材料层形成于第一开口之前，因此在后续形成的相邻的所述第一导电层之间的末端距离即相邻所述核心层之间的末端距离，与预期目标相符。另外，由于相邻的所述第一导电层之间的末端距离与预期目标相符，使得对应的所述第一导电层的长度增加，在进行金属线间的连接工艺时，使得连接所述第一导电层的导电插塞的位置具有更好的自由度。
半导体结构形成方法

[发明专利]晶边刻蚀方法和半导体器件制造方法-CN201810583120.7有效
发明人：张海洋;郑二虎;钟伯琛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶边刻蚀方法和半导体器件制造方法，所述晶边刻蚀方法，先通过旋转晶圆来对晶圆上的待晶边刻蚀的膜层的晶边区域进行多次干法刻蚀，使所述膜层的晶边的均匀性达到要求，避免晶边非均匀性而导致的晶圆翘曲问题，再对所述膜层的晶边区域进行湿法清洗，可以进一步的去除所述干法刻蚀造成的膜层不对称性以及残留缺陷，从而更好地改善膜层在晶片边缘造成的缺陷、击穿以及应力过剩等问题，提高了最终制造的半导体器件的良率；进一步地，当所述晶圆的正面上有待晶边刻蚀的上膜层且背面上有待晶边刻蚀的下膜层时，所述干法刻蚀和湿法刻蚀的叠加效果可以使得刻蚀后的上膜层和下膜层的晶边区域关于晶圆对称。
刻蚀方法半导体器件制造

[发明专利]一种半导体器件的刻蚀方法以及三维存储器-CN201910533619.1有效
发明人：许波;杨川;谢柳群;殷姿 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的刻蚀方法以及三维存储器，其中，所述刻蚀方法包括：提供待刻蚀的半导体结构，所述半导体结构至少包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的叠层结构以及位于所述叠层结构内部的第一导电柱，所述第一导电柱与所述半导体衬底导电连接；形成包覆所述半导体衬底的绝缘层，以使所述半导体衬底表面不具有外露区域；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述叠层结构，形成深入所述叠层结构内部的狭缝。如此，保证了干法刻蚀工艺按照预期方向进行，提高了器件的良率和工作稳定性。
一种半导体器件刻蚀方法以及三维存储器

[发明专利]制备钙钛矿电池的方法及其用途-CN202210715966.8在审
发明人：常洲;冯治华;孙朋超;邵君;锁真阳;简成杰 -专利权人：无锡极电光能科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：该方法包括：对底电极层进行P1激光刻蚀，并标记P2刻蚀和P3刻蚀定位点；形成第一载流子传输层、钙钛矿光响应层和第二载流子传输层并基于P2刻蚀定位点进行P2激光刻蚀；形成顶电极层并基于P3刻蚀定位点进行P3激光刻蚀，得到具有串联结构的钙钛矿电池组件，P1激光刻蚀、P2激光刻蚀和P3激光刻蚀中分别独立地利用分光系统对激光光源发射出的激光进行分光处理，以得到多条相互平行且垂直于待刻蚀层的子光束，同时可结合聚焦刻蚀工艺利用多条子光束形成同一刻蚀线或多条间隔布置的刻蚀线采用该方法可精确控制P1、P2和P3线的线宽，降低钙钛矿电池的死区面积，提高光电转换效率，简化刻蚀工艺，提高生产效率。
制备钙钛矿电池方法及其用途

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201710736777.8有效
发明人：班圣光;曹占锋;姚琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该阵列基板的制备方法包括采用刻蚀工艺在衬底的一侧形成含硅材料膜层的步骤，衬底通过顶针设于刻蚀腔室内，在形成含硅材料薄膜层之前，还包括：在衬底待形成含硅材料薄膜层的另一侧形成刻蚀保护层，刻蚀保护层使得衬底背面对应着顶针区的刻蚀速率与对应着非顶针区的刻蚀速率一致该阵列基板一方面将现有的阵列基板的9Mask工艺减少使用一道掩模板成为8Mask工艺，能够有效的降低制备过程中的工艺难度；另一方面，通过在玻璃衬底的背面沉积一层SiNx来消除刻蚀不均引起的差异，进而消除刻蚀其中的刻蚀保护层特别适用于消除含硅材料刻蚀工艺中的衬底背面的刻蚀差异。
阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]一种光刻方法-CN202310149749.1在审
发明人：宋桢;韦亚一;张利斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种光刻方法，该方法包括：获取待刻蚀结构，待刻蚀结构之上具有光刻涂层，光刻涂层包括交互堆叠的第一介质层和具有目标厚度的光刻胶层，且光刻涂层中第一介质层的数量比光刻胶层多一层，第一介质层的折射率小于光刻胶层的折射率；根据预设波长的光和具有目标尺寸数据的掩模版，对光刻涂层进行曝光；去除光刻胶层之上的第一介质层，并对光刻胶层进行显影，得到具有周期性结构的目标光刻胶层，目标光刻胶层用于对待刻蚀结构进行刻蚀。通过上述方法，能够让预设波长的光在光刻胶层中实现了超高分辨率的规则的周期性成像效果，从而可以实现超高分辨率的光刻。
一种光刻方法