|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 93个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN202010042708.9有效
-
张璐;吴智鹏;韩凯;杨川;许波;殷姿
-
长江存储科技有限责任公司
-
2020-01-15
-
2023-10-17
-
H10B41/35
- 公开了一种3D存储器件及其制造方法，包括衬底；位于所述衬底上方的第一栅叠层结构和第二栅叠层结构；贯穿所述第一栅叠层结构和第二栅叠层结构的多个沟道柱；以及位于栅线缝隙中的源极导电通道，所述源极导电通道包括贯穿所述第一栅叠层结构的第一导电通道和贯穿所述第二栅叠层结构的第二导电通道，所述第一导电通道在沿所述衬底表面的方向上不连续，所述第二导电通在沿所述衬底表面的方向上连续且与所述第一导电通道连接。本申请的3D存储器件的源极导电通道中不连续的第一导电通道降低了底部受到的应力，防止了因应力过大导致的源极导电通道的倾斜和塌缩，提高了3D存储器件的良率和可靠性。
- 存储器件及其制造方法
|
