“唐兆云”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果169个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种体声波谐振器组件、制备方法以及通信器件-CN202110926424.0有效
发明人：丁焱昆;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波谐振器组件、制备方法以及通信器件。该体声波谐振器组件包括：基板，基板的表面或者内部设置有至少一个声反射结构；至少一个谐振单元，所述谐振单元位于所述基板的表面，所述谐振单元在垂直于所述基板的厚度方向上的尺寸小于所述谐振单元在平行于所述基板的厚度方向上的尺寸；谐振单元在基板的投影与声反射结构在基板的投影至少部分重合，声反射结构用于防止谐振单元的横波泄漏至基板。本发明实施例提供的技术方案在提升器件牢固性的基础上，减小了体声波谐振器组件以及通信器件在垂直于基板厚度方向的尺寸，并且通过声反射结构防止了谐振单元的横波泄漏至基板。
一种声波谐振器组件制备方法以及通信器件

[发明专利]一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备-CN202110954797.9有效
发明人：王矿伟;杨清华;唐兆云;赖志国;吴明;王家友;钱盈 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备，包括：提供第一衬底，第一衬底的一侧具有谐振结构，谐振结构包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的压电层；在第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件，第一导电件与第一电极电连接，第二导电件与第二电极电连接；提供封装基板，封装基板的一侧具有第一连接端、第二连接端和第二封装件；将第一衬底与封装基板贴合，并使第一导电件与第一连接端电连接，使第二导电件与第二连接端电连接，使第一封装件与第二封装件固定连接形成环状封装挡墙，从而不需要先采用第二衬底对第一衬底进行封装后，再与封装基板电连接，进而可以简化工艺流程，降低生产周期和成本。
一种声波谐振器及其封装方法电子设备

[发明专利]滤波器封装结构及其制造方法-CN201911245331.0有效
发明人：王家友;唐滨;唐兆云;赖志国;杨清华 -专利权人：北京中科汉天下电子技术有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03H3/007 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振器封装结构，包括：谐振空腔，位于衬底中；压电膜，位于衬底上并覆盖谐振空腔；焊垫，位于衬底上且连接压电膜；沉积或涂布工艺制备的键合层，位于衬底之上并至少覆盖焊垫；有机材料的封盖层，位于键合层上。依照本发明的谐振器封装结构，采用沉积工艺制备的键合层替代Si盖板而取消了Au‑Au键合，再结合有机封盖层以降低成本、简化工艺并提高了封装可靠性。
滤波器封装结构及其制造方法

[发明专利]三维体声波谐振器及其制造方法-CN202010314200.X有效
发明人：吴明;唐兆云;杨清华;赖志国;王家友 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维(3D)体声波(BAW)谐振器，包括：压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间垂直且水平分布的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间具有多个第一空腔，水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个第一空腔的顶面和底面；电极互连层，沿第三空腔侧面依次连接所述多个电极层。依照本发明的3D BAW谐振器及其制造方法，采用CMOS兼容工艺制造了其中多个空腔包围压电膜的立体谐振器，减小了体积、增加了集成度，降低了成本。
三维声波谐振器及其制造方法

[发明专利]堆栈式体声波谐振器及其制造方法-CN202010314204.8有效
发明人：吴明;唐兆云;杨清华;赖志国;王家友 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种堆栈式体声波谐振器及其制造方法，包括压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔，水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个压电膜的顶面和底面；多个电极互连层，沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层；驱动晶体管，位于盖帽层中，驱动晶体管的漏极电连接顶部压电膜的顶部电极层。本发明的堆栈式BAW谐振器及其制造方法，采用CMOS兼容工艺制造了多个空腔包围压电膜的立体谐振器，并利用再布线层将多个芯片接合在一起，减小了体积、增加了集成度，降低了成本。
堆栈声波谐振器及其制造方法

[发明专利]谐振器及其制造方法-CN201910851524.4有效
发明人：唐滨;王家友;王友良;赖志国;唐兆云;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振器，包括：第一电极，位于基板上；压电层，位于第一电极上；第二电极，位于压电层上；框架，位于第一电极下方或上方和/或第二电极上方或下方，框架的厚度沿垂直方向渐变。依照本发明的谐振器，利用倾斜缓变的框架，以简单的制作工艺高效地提升了FBAR器件的Q值，提高了工艺兼容性和谐振器结构的稳定性。
谐振器及其制造方法

[发明专利]体声波谐振器及其制造方法-CN202010313604.7有效
发明人：吴明;唐兆云;杨清华;赖志国;王家友 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种BAW谐振器，包括：压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔，水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个压电膜的顶面和底面；多个电极互连层，沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层；接触区，位于盖帽层中以电连接顶部压电膜的顶部电极层。依照本发明的BAW谐振器及其制造方法，采用CMOS兼容工艺制造了其中多个空腔包围压电膜的立体谐振器，并在盖帽层中通过离子深注入形成电连接压电膜顶部电极的接触区，减小了封装体积，降低了界面电阻。
声波谐振器及其制造方法

[发明专利]三维体声波谐振器及其制造方法-CN202010314203.3有效
发明人：吴明;唐兆云;杨清华;赖志国;王家友 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维(3D)体声波(BAW)谐振器，包括：压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间垂直且水平分布的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间具有多个第一空腔，水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个第一空腔的顶面和底面；电极互连层，沿第三空腔侧面依次连接所述多个电极层；多个焊垫，至少部分地插入第三空腔中以电连接各个电极互连层。依照本发明的3DBAW谐振器及其制造方法，采用CMOS兼容工艺制造了其中多个空腔包围压电膜的立体谐振器，减小了体积、增加了集成度，降低了成本。
三维声波谐振器及其制造方法

[发明专利]一种谐振器的制作方法-CN202110235858.6有效
发明人：王友良;魏涛;王家友;赖志国;唐兆云;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03B5/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种谐振器的制作方法。该方法包括：依次形成第一电极层、压电层和第二电极层；在第二电极层远离压电层的一侧形成牺牲层；牺牲层包括第一凹槽，第一凹槽的深度等于牺牲层的厚度，第一凹槽包括第一区域和第二区域，沿与第一凹槽的延伸方向垂直的方向，第一区域和第二区域并排排列；在牺牲层远离第二电极层的一侧形成框架层，框架层覆盖牺牲层以及第一凹槽；去除牺牲层表面的框架层、位于第一区域的框架层以及位于第一区域的部分第二电极层，以在第二区域形成框架结构，在第一区域形成位于第二电极层上的第二凹槽；第二凹槽的深度小于第二电极层的厚度；去除牺牲层。本发明实施例避免了光刻胶残留，提升了谐振器性能。
一种谐振器制作方法

[发明专利]兼容CMOS工艺的体声波谐振器及其制造方法-CN202010314202.9有效
发明人：吴明;唐兆云;杨清华;赖志国;王家友 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N39/00 文献下载
摘要：一种兼容CMOS工艺的体声波谐振器及其制造方法，该谐振器包括：压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔，水平第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个压电膜的顶面和底面；多个电极互连层，沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层；驱动晶体管位于盖帽层中，漏极电连接顶部压电膜的顶部电极层；驱动晶体管的源极和漏极上具有欧姆接触层。本发明采用CMOS兼容工艺，并通过离子深注入形成电连接压电膜顶部电极的驱动电路，减小了封装体积，降低了界面电阻。
兼容 cmos 工艺声波谐振器及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202310146401.7在审
发明人：华文宇;蓝天;刘藩东;唐兆云 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，用于解决由于半导体存储单元密度不断增大而导致芯片可靠性下降的问题。半导体结构包括：衬底，包括呈阵列排布的多个晶体管；位于所述衬底内部的隔离结构，所述隔离结构位于相邻的任意两排所述晶体管之间；其中，所述隔离结构包括第一子部、第二子部和第三子部，所述第一子部和所述第三子部位于所述第二子部的两侧，其中，所述第一子部的下表面和所述第三子部的下表面低于所述第二子部的下表面。利用上述位于晶体管之间的隔离结构，能够有效减小存储单元间的相互影响，提高半导体结构的可靠性。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]双工器及其制作方法、多工器-CN202110181222.8有效
发明人：吴明;唐兆云;王家友;赖志国;王矿伟;唐滨;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种双工器及其制作方法、多工器，通过将发射滤波器和接收滤波器集成在同一衬底上，可以提高双工器的集成度，减小双工器的尺寸。发射滤波器和接收滤波器可以在同一衬底上同时制作，可以共用膜层结构，进一步提高双工器的集成度，进一步减小双工器的尺寸，有利于降低双工器的制作成本。发射滤波器和接收滤波器共用一个密封圈结构，可以减少密封圈的占用面积；发射滤波器和接收滤波器都被密封圈的外围密封框体所环绕，发射滤波器和接收滤波器的结构也可以更加紧凑，有利于进一步减小双工器的尺寸。
双工器及其制作方法多工器

[发明专利]滤波器及其制造方法-CN202110749852.0有效
发明人： 唐兆云;杨清华;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种滤波器，包括：衬底，一个或多个谐振器，其特征在于，衬底上设有围绕所述一个或多个谐振器的堤坝结构，所述堤坝结构伸入衬底内部。此外，本公开内容还涉及一种滤波器的制造方法，包括如下步骤：提供衬底，在衬底上形成一个或多个谐振器；在衬底上形成一个堤坝结构，所述堤坝结构围绕所述一个或多个谐振器设置，且堤坝结构伸入衬底内部。
滤波器及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202310140258.0在审
发明人：华文宇;蓝天;刘藩东;唐兆云 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；多个晶体管结构，位于所述衬底内，且沿第一方向和第二方向阵列排布，其中，所述第一方向和所述第二方向为平行于所述衬底平面的方向，且互相垂直；第一电荷引出结构，位于沿所述第一方向排布的相邻的两个所述晶体管结构之间的衬底内，且沿所述第二方向延伸；第二电荷引出结构，位于所述第一电荷引出结构下方的衬底内，与所述第一电荷引出结构电连接。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种谐振器及其制作方法-CN201910126149.7有效
发明人： 唐兆云;霍宗亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种谐振器及其制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成至少一个第一凹槽，并在第一凹槽内填充待刻蚀材料；在衬底表面形成压电结构层，压电结构层包括依次位于衬底表面的种子层、下电极、压电层和上电极；对每个压电区四周的压电结构层进行刻蚀形成第二凹槽，每个压电区的压电结构层对应覆盖一个第一凹槽；在第二凹槽内填充待刻蚀材料，并在衬底表面形成与各个压电区的上电极电连接的互连电极；去除待刻蚀材料，在第一凹槽对应的区域形成第一空腔，在第二凹槽对应的区域形成第二空腔。由于每个压电区的压电结构层四周都具有第二空腔，而能量在介质与空气的界面会被反射回来，因此，可以最大程度的减少能量的损失，提升谐振器的Q值。
一种谐振器及其制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
下一页»
尾页
共 169 条