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[发明专利]气体供给单元-CN201910922349.3有效
发明人：李洪宰 -专利权人： TES股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种气体供给单元，包括：背板，设置于腔室内部；簇射头，与所述背板的下部隔开设置并朝向所述腔室内部供给工艺气体或清洗气体；挡板单元，设置于所述背板与所述簇射头之间，通过中央部区域供给工艺气体并通过周边区域供给所述工艺气体或所述清洗气体；以及工艺气体供给源与清洗气体供给源，所述工艺气体供给源朝向所述挡板单元供给所述工艺气体，所述清洗气体供给源朝向所述挡板单元供给所述清洗气体。在执行针对大面积基板的各种处理工艺的基板处理装置中，在根据沉积工艺或清洗工艺而向基板处理装置的内部供给各种气体的情况下，气体供给单元可使气体均匀地在基板处理装置的内部分散。
气体供给单元

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201580038502.6有效
发明人：藤长徹志;井堀敦仁;松本昌弘;谷典明;岩井治宪 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：基板处理装置(10)具备：等离子生成部，其在配置基板(1)的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部(20)，其隔着冷却空间(55)与基板相对，并具有向冷却空间供给工艺气体的供给口(26)；工艺气体供给部(30)，其向冷却部(20)供给工艺气体；以及连通部(56)，其连通冷却空间(55)和等离子生成空间，用于将被供给到冷却空间的工艺气体供给到等离子生成空间。
处理装置以及方法

[发明专利]氧化硅膜的成膜方法以及成膜装置-CN200510084288.6有效
发明人：长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-07-15 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种成膜方法，在能够选择性地供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体的处理区域之内，利用CVD在具有金属表面的被处理基板之上形成氧化硅膜。该成膜方法交互具有第一至第四工艺。在第一工艺中，向处理区域供给含硅气体，而停止向处理区域供给氧化性气体以及还原性气体。在第二工艺中，停止向处理区域供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体。在第三工艺中，同时向处理区域供给氧化性气体以及还原性气体，而停止向处理区域供给含硅气体。在第四工艺中，停止向处理区域供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体。
氧化方法以及装置

[发明专利]气相生长装置及气相生长方法-CN201580045081.X在审
发明人：高桥英志;佐藤裕辅 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：实施方式的气相生长装置具备n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给路，向n个反应室供给工艺气体；主质量流量控制器，设置于主气体供给路，控制工艺气体的流量；分支部，将主气体供给路分支；n条副气体供给路，在分支部分支，向n个反应室供给被分流的工艺气体；n个第一截止阀，设置在n条副气体供给路的分支部与n个反应室之间，以至分支部的距离比至反应室的距离短的方式配置，能够截断工艺气体的流动；以及n个副质量流量控制器，设置在n条副气体供给路的n个第一截止阀与n个反应室之间，控制流经n条副气体供给路的工艺气体的流量。
相生装置方法

[发明专利]气体供给组件-CN202211693826.1在审
发明人：金亨昶 -专利权人： TES股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种气体供给组件，更详细来说涉及一种在对基板供给工艺气体的情况下可对基板的中央与边缘均匀地供给工艺气体的气体供给组件。
气体供给组件

[实用新型]基板处理装置-CN201921492838.1有效
发明人：姜道桓;金峻基;金亨昶 -专利权人： TES股份有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基板处理装置，包括腔室，提供针对基板的处理空间；气体供给单元，包括设置于所述腔室的内侧的上部的背板、及与所述背板的下表面隔开而连接并供给工艺气体或清洗气体的簇射头；工艺气体供给单元，向所述气体供给单元供给工艺气体；以及两个以上的清洗气体供给单元，向所述气体供给单元供给经活化的清洗气体。在向基板处理装置的腔室内部供给各种气体的情况下，可使气体均匀地在基板处理装置的内部分散。因此，本实用新型提供的基板处理装置，可减少对处理大面积基板的基板处理装置的腔室进行清洗的清洗时间。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201580006895.2在审
发明人：金倞民;李明振;李龙炫;崔宰旭 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置，包括：工艺腔室；多个气体供给管道，用于提供气体或等离子体活性物质至工艺腔室内部；远程等离子体产生单元，其连接到多个气体供给管道当中的一个气体供给管道；和打开/关闭阀门，将其提供至远程等离子体产生单元和工艺腔室之间的该一个气体供给管道，用于选择性切断该一个气体供给管道。
处理装置

[发明专利]多晶硅薄膜沉积系统及方法-CN201910794126.3在审
发明人：郭帅;王秉国;吴功莲;蒲浩;潘国卫 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜沉积系统及方法，包括：晶圆装载腔室；工艺腔室，与所述装载腔室相连通；含氧气体供给装置，包括含氧气体供给管路，含氧气体供给管路的一端延伸至晶圆装载腔室的内部，用于至少在多晶硅薄膜沉积之后将晶圆自工艺腔室向晶圆装载腔室内传送的过程中向晶圆装载腔室内提供含氧气体；保护气体供给装置，包括保护气体供给管路，保护气体供给管路的一端延伸至晶圆装载腔室的内部，用于至少在含氧气体供给装置未向晶圆装载腔室内提供所述含氧气体时向晶圆装载腔室内提供保护气体。本发明可以对晶圆表面沉积的多晶硅薄膜的表面进行氧化，避免对后续光刻制程工艺的不良影响，确保后续光刻制程工艺的关键尺寸具有较好的均匀性。
晶圆含氧气体装载腔室装载腔多晶硅薄膜供给装置室内保护气体供给管路保护气体工艺腔室供给管路光刻制程沉积沉积系统晶圆表面均匀性延伸传送

[发明专利]用于处理烟草的装置和方法-CN201080037768.6有效
发明人：诺埃尔·约翰·托滕;梅尔·比耶特;埃尔马·施勒德;原井卓二;奥列格·费迪乌申;约翰内斯·梅尔茨;安德列亚斯·奥托 -专利权人： JT国际股份公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： A24B3/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种装置(1)和方法，其中在用于处理烟草的装置中可以将工艺条件保持恒定。该装置包括混合装置(2)，混合装置(2)用于混合待被处理的烟草和工艺气体，并连接至用于排放第一数量的工艺气体的排放装置(3)和用于供给第二数量的工艺气体的供给装置(4)；该装置(1)具有用于控制第一数量的排放工艺气体和/或第二数量的供给工艺气体的至少一个控制装置(5)。
用于处理烟草装置方法

[发明专利]外延生长装置和使用其的半导体外延晶片的制造方法-CN201811502962.1有效
发明人：中村郁浩;蛇川顺博;南出由生;宫崎裕司 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：根据本发明的外延生长装置（100）是，一种外延生长装置，其特征在于，具有：载置半导体晶片（W）的基座（20）、向半导体晶片（W）的上表面供给第1工艺气体（G1）的第1气体供给部（150）、以及供给对半导体晶片（W）的周缘部中的第1工艺气体（G1）的气流进行控制的第2工艺气体（G2）的第2气体供给部（170），配设第2气体供给部，以使同时供给第1和第2工艺气体（G1）、（G2）时的第2工艺气体（G2）的气流的主流路
外延生长装置使用半导体晶片制造方法

[发明专利]膨胀涡轮-CN201880065359.3有效
发明人：斋藤雄一;石丸英嗣;武内辽太;足立利光;仮屋大祐;阪井直人 -专利权人：川崎重工业株式会社
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： F01D25/22 文献下载
摘要：本发明提供一种即便在工艺气体的压力急剧变化的情况下，也将由来自叶轮与罩之间的间隙的工艺气体的泄漏量抑制为较少的膨胀涡轮。膨胀涡轮具有与气体供给路或气体排出路的任一方连接，并向位于转子构件与壳体构件之间的区域供给气体的气体供给路。
膨胀涡轮

[发明专利]基板处理装置、基板处理装置的控制装置及其控制方法-CN201110132217.4有效
发明人：松田和久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：预先变更对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式，进行对基板的恰当的处理。根据设定值输入部的信息在模式运算部中求出包含旋转机构的旋转周期以及处理气体的供给周期、供给时间和供给次数的处理气体供给周期模式运算结果。根据设定值输入部的信息通过模拟器来模拟供给到基板上的处理气体的供给区域的形状，该结果显示在显示器上。在比较部中比较来自模式运算部的处理气体供给周期模式的运算结果与来自存储部的对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式的参照结果。在判断为处理气体供给周期模式的运算结果与对工艺结果造成坏影响的参照结果一致的情况下，从报警部发出报警。
处理装置控制及其方法

[发明专利]蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置-CN201110231962.4有效
发明人：小笠原正宏;加藤义之;水野秀树;早川欣延 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。
蚀刻气体供给方法装置

[发明专利]气体供给装置、真空处理装置以及气体供给方法-CN202180005325.7在审
发明人：小川芳文;高妻丰;秋永启佑;广实一幸;园田靖 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供在腔室内使用工艺气体进行处理时，能够有效地抑制由工艺气体向上游侧的倒流引起的不良状况的气体处理装置。向处理试料的处理室供给气体的气体供给装置具备：端口，其与包括清除用气体和处理用气体的多种气体的气体源分别连接；以及集合配管，其供从所述端口供给的所述多种气体分别汇合并流动，供从与所述清除用气体的气体源连接的端口供给的气体流动的气体流路形成于所述集合配管的最上游侧
气体供给装置真空处理以及方法

[发明专利]用于供给多种气体的供气单元及其制造方法-CN201380034301.X在审
发明人：李裕进;延世薰;金东济 -专利权人： TGO科技株式会社
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及用于供给多种气体的供气单元。根据本发明的一实施例，提供一种供气单元，用于供给多种气体，其特征在于，包括外管以及位于所述外管内部的至少一个内管，供给至所述内管的第一工艺气体通过多个第一气体喷射口喷射至所述外管的外部，供给至所述外管的第二工艺气体通过多个第二气体喷射口喷射至所述外管的外部
用于供给多种气体供气单元及其制造方法

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