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[发明专利]半导体衬底处理装置中包含中央气体喷射器的陶瓷喷头-CN201510372711.6有效
发明人：斯拉瓦纳普利安·斯利拉曼;亚历山大·帕特森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了半导体衬底处理装置中包含中央气体喷射器的陶瓷喷头，具体提供了一种电感耦合等离子体处理装置，其包括真空室、真空源和上面支承有半导体衬底的衬底支撑件。陶瓷喷头形成所述真空室的上壁。所述陶瓷喷头包括与用于供给工艺气体到所述真空室的所述内部的多个喷头气体出口流体连通的充气室，以及配置成容纳中央气体喷射器的中央开口。中央气体喷射器被布置在所述陶瓷喷头的中央开口中。所述中央气体喷射器包括用于供给工艺气体到所述真空室的所述内部的多个气体喷射器出口。RF能量源激励所述工艺气体成等离子体状态以处理所述半导体衬底。由中央气体喷射器供给的工艺气体的流率和由所述陶瓷喷头供给的工艺气体的流率能独立地控制。
半导体衬底处理装置包含中央气体喷射器陶瓷喷头

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN200780005104.X有效
发明人：西村荣一;菊地贵伦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：基板处理装置(10)的第三工艺单元(36)具备框体状的处理室容器(腔室)(50)、氮气供给系统(190)和臭氧气体供给系统(191)。臭氧气体供给系统(191)具有臭氧气体供给部(195)、与该臭氧气体供给部(195)连接的臭氧气体供给管(196)。臭氧气体供给管(196)具有以与晶片(W)相对的方式开口的臭氧气体供给孔(197)，臭氧气体供给部(195)通过臭氧气体供给管(196)从臭氧气体供给孔(197)向腔室(50)内供给臭氧(O₃)气体。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]成膜装置以及板-CN202110467079.9在审
发明人：醍醐佳明;梅津拓人;石黑晓夫 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实施方式提供成膜装置以及板，能够在径向上控制向基板面内供给的工艺气体的浓度、流量。本实施方式的成膜装置具备：成膜室，能够收容基板；气体供给部，具有设置在成膜室的上部并向基板的成膜面上供给工艺气体的多个喷嘴、以及抑制工艺气体的温度上升的冷却部；加热器，将基板加热到1500℃以上；以及板，在成膜室内与形成有多个喷嘴的第1开口部的气体供给部的下表面对置，且与该下表面分离地配置，板包括：多个第2开口部，具有比第1开口部小的直径，且在该板面内大致均匀地配置；以及分隔部，在与气体供给部对置的对置面上突出
装置以及

[实用新型]成膜装置以及板-CN202120901736.1有效
发明人：醍醐佳明;梅津拓人;石黑晓夫 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实施方式提供成膜装置以及板，能够在径向上控制向基板面内供给的工艺气体的浓度、流量。本实施方式的成膜装置具备：成膜室，能够收容基板；气体供给部，具有设置在成膜室的上部并向基板的成膜面上供给工艺气体的多个喷嘴、以及抑制工艺气体的温度上升的冷却部；加热器，将基板加热到1500℃以上；以及板，在成膜室内与形成有多个喷嘴的第1开口部的气体供给部的下表面对置，且与该下表面分离地配置，板包括：多个第2开口部，具有比第1开口部小的直径，且在该板面内均匀地配置；以及分隔部，在与气体供给部对置的对置面上突出
装置以及

[发明专利]等离子体处理系统和等离子体处理方法-CN201910079546.3有效
发明人：茂山和基;永关一也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
等离子体处理系统方法

[发明专利]等离子体处理系统和等离子体处理方法-CN202111174570.9有效
发明人：茂山和基;永关一也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
等离子体处理系统方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、零件的管理方法、基板处理装置及记录介质-CN201910554484.7在审
发明人：西田政哉;嶋信人;佐藤明博;桑田阳介;前田贤一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：该技术具有执行工艺配方的工序和执行修正配方的工序，其中，工艺配方供给处理气体来处理基板，修正配方确认设于向处理炉供给处理气体的处理气体供给管线上的供给阀的特征值，执行修正配方的工序具有：在将设于处理炉的排气侧的调节处理炉内的压力的调节阀设为全开的状态下，以固定时间向处理气体供给管线供给非活性气体的工序；在将调节阀设为全开的状态下，向处理气体供给管线供给非活性气体并且检测供给阀的压力值的工序；及基于检测到的压力值来计算设有供给阀的供给管内的特征值的工序
处理气体供给处理炉供给阀配方非活性气体处理气体工艺配方修正全开半导体器件特征值变动处理基板外在因素供给管检测排气运作制造

[发明专利]原子层沉积设备-CN201910384724.3在审
发明人：申雄澈;崔圭政;白敏;杨澈勋 -专利权人： NCD株式会社
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及不是双重腔室而是具有单一腔室结构并且能够对以多列配置的多张基板实施均匀的薄膜形成工艺的原子层沉积设备，包括：工艺腔室，一侧形成开口部且具有一定的内部空间，从而实施原子层沉积工艺；多个工艺用盒，被装载到所述工艺腔室内部而进行原子层沉积工艺，工艺完成后被卸载到外部；气体供给装置，对装载到所述盒的所有基板，对所述基板的前端部供给气体，以使得各基板之间的空间形成层状流动；排气侧层状流动形成部，使得由所述气体供给装置喷射的工艺气体的层状流动保持到所述基板的后端部；排气装置，吸入所述工艺腔室内部的气体并排气；加热装置，加热所述工艺腔室；以及门，打开和关闭所述开口部。
原子沉积设备

[发明专利]刻蚀方法、结晶生长方法和半导体器件的制造方法-CN97118416.X无效
发明人：和泉茂一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1997-09-04 - 公布日： 1998-08-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：在所谓的in－situ(就地)工艺中进行半导体材料的刻蚀处理和其后的结晶生长处理。在in－situ工艺的结晶生长工序中,在供给结晶生长用的气体之前供给SiI4气体。通过由SiI4气体产生的碘对半导体层中产生的氧化膜(妨碍结晶生长的膜)进行刻蚀。其后,通过继续供给结晶生长用的气体,可生长所需要的结晶。此时,可将由SiI4气体产生的硅对再结晶生长层进行掺杂。
刻蚀方法结晶生长半导体器件制造

[发明专利]用于硫酸生产的工艺和设备-CN201180002283.8有效
发明人： M.莫勒霍杰;M.利克;M.特莱夫森;P.绍拜 -专利权人：赫多特普索化工设备公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C01B17/765 文献下载
摘要：一种用于将包含于供给气体中的二氧化硫转化为三氧化硫的工艺，包括以下步骤：a)将以下两项作为工艺气体来交替地提供：包含高浓度二氧化硫的第一供给气体，以及包含低浓度二氧化硫的第二供给气体；b)利用热交换介质通过热交换来预热所述工艺气体；c)在催化反应区中，在存在催化活性材料的情况下使工艺气体起反应；d)在催化反应区中将工艺气体的二氧化硫至少部分地转化成包含于产品气体中的三氧化硫；e)通过与热交换介质接触来冷却产品气体；其中，关于所述工序中的一个工序来提供热缓冲区，从而提供在过自热操作期间产生的热能用于在欠自热操作期间加热工艺气体。
用于硫酸生产工艺设备

[发明专利]气体流量检定系统及气体流量检定单元-CN201210262118.2有效
发明人：中田明子 -专利权人：喜开理株式会社
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G01F1/88 文献下载
摘要：本发明提供一种气体流量检定系统及气体流量检定单元，该气体流量检定系统具有：多条工艺气体管线，其将来自工艺气体供给源的气体经由第一管线截止阀、第二管线截止阀和流量控制仪器向工艺腔室供给；及共用气体管线，其为了将来自共用气体供给源的气体经由第二管线截止阀和流量控制仪器排出，而与工艺气体管线分支连接，在共用气体管线上具备共用截止阀、测定用罐、第一压力传感器和压力调整阀，关闭第一管线截止阀及共用截止阀时，利用第一压力传感器测定测定用罐内的气体的压力降低，从而进行流量控制仪器的流量检定
气体流量检定系统单元

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201410350103.0有效
发明人：西堂周平;和田优一;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在进行各种气体的上方供给和/或上方排气的情况下，能够适当地进行对于衬底的工艺处理。衬底处理装置构成为，具备：衬底载置台，其载置有衬底；处理气体供给部，其从衬底载置台的上方侧向衬底的表面上供给处理气体；惰性气体供给部，其在处理气体供给部的侧方从衬底载置台的上方侧向衬底的表面上供给惰性气体；以及多个气体排气部，其在处理气体供给部与惰性气体供给部之间将供给到衬底的表面上的气体向衬底的上方侧排气。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]气体供给装置及块状凸缘-CN200910174923.8无效
发明人：井上贵史;西村康典 -专利权人：喜开理株式会社
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： F16K27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种气体供给装置及块状凸缘，该气体供给装置能够供给复杂的工艺气体，能够减小地面占有面积。在具有第一线路及第二线路的气体供给装置(1)中，该第一线路与第一质量流控制器(MB)连接，该第二线路与第二质量流控制器(MC)连接，该第一线路具有供给气体A的第一开闭阀(VB3)及供给气体C的第二开闭阀(VB2)，该第二线路具有供给气体B的第三开闭阀(VC3)及供给气体D的第四开闭阀(VC2)，在气体供给装置(1)中，气体A和气体B是相同的气体。
气体供给装置块状凸缘

[发明专利]用于硫酸生产的工艺和设备-CN201210020805.3有效
发明人： M.莫勒霍杰;M.利克;M.特莱夫森;P.绍拜 -专利权人：赫多特普索化工设备公司
申请日： 2012-01-30 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C01B17/74 文献下载
摘要：本发明涉及用于硫酸生产的工艺和设备。具体地，提供了一种用于将包含于供给气体中的二氧化硫转化为三氧化硫的工艺，包括以下步骤：a)将以下两项作为工艺气体来交替地提供：包含高浓度二氧化硫的第一供给气体，以及包含低浓度二氧化硫的第二供给气体；b)利用热交换介质通过热交换来预热所述工艺气体；c)在催化反应区中，在存在催化活性材料的情况下使工艺气体起反应；d)在催化反应区中将工艺气体的二氧化硫至少部分地转化成包含于产品气体中的三氧化硫；e)通过与热交换介质接触来冷却产品气体；其中，关于所述工序中的一个工序来提供热缓冲器区，从而提供在过自热操作期间产生的热能用于在欠自热操作期间加热工艺气体。
用于硫酸生产工艺设备

[实用新型]用于硫酸生产的工艺和设备-CN201220029661.3有效
发明人： M.莫勒霍杰;M.利克;M.特莱夫森;P.绍拜 -专利权人：赫多特普索化工设备公司
申请日： 2012-01-30 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C01B17/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于硫酸生产的工艺和设备。具体地，提供了一种用于将包含于供给气体中的二氧化硫转化为三氧化硫的工艺，包括以下步骤：a)将以下两项作为工艺气体来交替地提供：包含高浓度二氧化硫的第一供给气体，以及包含低浓度二氧化硫的第二供给气体；b)利用热交换介质通过热交换来预热所述工艺气体；c)在催化反应区中，在存在催化活性材料的情况下使工艺气体起反应；d)在催化反应区中将工艺气体的二氧化硫至少部分地转化成包含于产品气体中的三氧化硫；e)通过与热交换介质接触来冷却产品气体；其中，关于所述工序中的一个工序来提供热缓冲器区，从而提供在过自热操作期间产生的热能用于在欠自热操作期间加热工艺气体。
用于硫酸生产工艺设备