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[发明专利]气体供给装置、基板处理装置及供给气体设定方法-CN200510130387.3有效
发明人：水泽兼悦;伊藤惠贵;伊藤昌秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在气体供给装置(100)上设置具有多个气体供给源的第一气体箱(111)和具有多个附加气体供给源的第二气体箱(113)。各气体供给源连接有混合管道(120)，混合管道(120)连接有通过不同缓冲室(63a、63b)的分支管道(122、123)。分支管道中分别设有压力调整部，由压力比控制部(126)调整压力比。在分支管道(123)的压力调整部下游侧连接有通过第二气体箱(113)的附加气体供给管道(130)。第一气体箱(111)的各气体由混合管道(120)混合，由分支管道分流，供给到各缓冲室。分支管道(123)上附加有第二气体箱(113)的附加气体，向缓冲室(63b)供给与缓冲室(63a)不同的混合气体。由此由简单管道结构向处理容器的多处供给任意的混合气体。
气体供给装置处理设定方法

[发明专利]气体供给装置以及气体供给装置的运转停止方法-CN201780007949.6在审
发明人：桥本宏一郎;藤泽彰利;福田贵之;和田大祐;姥拓郎;名仓见治 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： F04B41/02 文献下载
摘要：气体供给装置（2）包括：压缩气体的压缩机（22）；具有可贮存该气体的缓冲罐（212c）并连接于压缩机（22）的流入侧流路（211）；在流入侧流路（211）中的缓冲罐（212c）的上游侧可开闭流入侧流路（
侧流路压缩机气体供给装置缓冲罐闭阀侧开停止信号压缩气体运转停止可开闭喷出贮存流出上游

[发明专利]燃气发动机的副室气体供给装置-CN201280057286.6有效
发明人：寺门贵芳;古川雄太;吉栖博史 -专利权人：三菱重工业株式会社
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： F02B19/12 文献下载
摘要：本发明提供燃气发动机的副室气体供给装置，具有向副室(4)供给燃料气体的副室气体供给路径(5、14、28、29)，该副室气体供给路径经由电磁阀(23)与燃料气体供给源(24)连接，所述电磁阀被开放时，与电磁阀的开放时间相应的量的燃料气体从所述燃料气体供给源通过副室气体供给路径被供给到副室，其中，电磁阀(23)以向副室(4)供给规定量的燃料气体的方式设定其开放时间，在副室气体供给路径(5、14、28、29)上，形成有使电磁阀(23)的开放时间延长的节流部(30)。
燃气发动机气体供给装置

[发明专利]带有通孔的单轴旋转气体轴承-CN201480047907.1有效
发明人： W·G·辛达林 -专利权人：盖迪科斯系统公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： F16C32/06 文献下载
摘要：旋转气体轴承允许在通过轴承供给增压气体的同时绕单轴旋转。气体轴承包括气体供给部件和气体陷阱部件。筒状凹陷部定位在气体供给部件和气体陷阱部件中的一个中。筒状突起从气体供给部件和气体陷阱中的另一个突出并且定尺寸为以预定间隙适配在筒状凹陷部内。气体供给轴承表面与气体陷阱轴承表面相对。开口位于气体供给轴承表面中，多孔涂层覆盖气体供给轴承表面的围绕开口的部分。多孔涂层经由气体供给部件而与增压气体供给源连通，用于维持多孔涂层与气体陷阱轴承表面之间的轴承压力，使得轴承压力大于馈给压力。位于气体陷阱轴承表面中的环状通道与开口对准且与开口相对地定位，并且经由气体陷阱部件而与气体陷阱连通。
带有旋转气体轴承

[发明专利]污泥高温碳化系统及碳化工艺-CN201310112617.8有效
发明人：罗臻;钱鸣;张军发;杨海;刘景平 -专利权人：湖北博实城乡环境能源工程有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C02F11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种污泥高温碳化系统及碳化工艺。该污泥高温碳化系统包括脱水污泥供给单元、脱水污泥干化单元、干化污泥碳化单元、热循环交换单元、以及碳化加热炉。该脱水污泥干化单元包括脱水污泥干燥机。该碳化加热炉用于供给加热气体至该脱水污泥干燥机以及用于供给加热气体至该污泥碳化炉。该热循环交换单元用于将该脱水污泥干化单元排出的加热气体经过换热后传送至该碳化加热炉进行燃烧脱臭。该碳化加热炉用于将所述污泥碳化炉中碳化产生的干馏气体进行燃烧脱臭。该碳化系统将污泥在干化及碳化中产生的碳化干馏气体的利用与废气的高温脱臭综合处理相结合，降低了能耗，且简化了设备配置。
污泥高温碳化系统工艺

[发明专利]燃料电池的燃料气体供给装置-CN202280007704.4在审
发明人：一桥友介;寺本雄一;入江弘毅 -专利权人：三菱重工业株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01M8/04313 文献下载
摘要：燃料电池的燃料气体供给装置具备能够向燃料电池供给多个燃料气体的多个燃料气体供给源。在多个燃料气体供给源各自的下游侧分别与多个燃料气体供给路径连接。在燃料气体供给路径分别设置有能够基于燃料气体的混合后的压力或者混合气体储槽的压力开闭的多个第一阀。另外，在多个燃料气体供给路径的合流点与所述燃料电池之间设置有用于向燃料电池供给包含多个燃料气体中的至少一个的混合气体的混合气体供给路径。在混合气体供给路径设置有第二阀。多个第一阀构成为在燃料气体的混合后的压力或者混合气体储槽的压力成为预先设定的设定压力以下的情况下打开，设定压力针对多个第一阀分别设定为相互不同。
燃料电池燃料气体供给装置

[发明专利]半导体制造装置的气体供给系统和气体供给集成单元-CN200810082230.1无效
发明人：守谷修司;中尾贤 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-02-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制造装置的气体供给系统和气体供给集成单元。气体供给系统用于从气体供给源向半导体制造装置的处理部供给规定的气体。该气体供给系统具有与气体供给源和处理部连接的气体供给流路。气体供给流路包括多个流体控制设备(手动阀、减压阀、压力计、单向阀、第一截止阀、第二截止阀、质量流量控制器、气体过滤器)，和连接在这些流体控制设备之间、形成有气体的流路的流路构成部件(流路块)。由此，在向处理部供给腐蚀性气体时，能够极力抑制相对被处理基板的金属性污染物质的混入。
半导体制造装置气体供给系统集成单元

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质-CN202010185395.2在审
发明人：板谷秀治;广濑义朗 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；处理室气体供给系统，其向处理室供给处理气体、吹扫气体或清洁气体；排气配管，其从所述处理室进行气体排放；排气配管气体供给系统，其与排气配管中的预定的堆积风险部位连接，并向堆积风险部位供给清洁促进气体；以及控制部，其对来自处理室气体供给系统的气体供给和来自排气配管气体供给系统的气体供给进行控制。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]半导体器件的制造方法和衬底制造方法以及衬底处理装置-CN201180009955.8有效
发明人：佐佐木隆史;今井义则;栗林幸永;中嶋定夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明通过提供一种半导体器件的制造方法而解决问题，该半导体器件的制造方法是衬底处理装置的半导体器件的制造方法，该衬底处理装置包括：反应室，以规定的间隔层叠多张衬底；第1气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第1气体供给口；以及第2气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第2气体供给口，第1气体供给口的方向和第2气体供给口的方向被设置成在到达衬底之前交叉，其中，该半导体器件的制造方法具有以下的工序：将衬底搬入至反应室内的工序；从第1气体供给口向反应室内至少供给含硅气体和含氯气体、或含硅及氯的气体，从第2气体供给口向反应室内至少供给含碳气体和还原气体，从第1气体供给口或第2气体供给口向反应室内进一步供给杂质气体
半导体器件制造方法衬底以及处理装置

[发明专利]等离子处理方法-CN202080004094.3在审
发明人：广田侯然;角屋诚浩;永德宏文;中司孝则 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：能够实现批次处理第一片中的工艺变动的减少的等离子处理方法具有：第一工序，向所述处理室供给气体；以及第二工序，在所述第一工序后，使用等离子对所述试样进行蚀刻，所述气体是含有碳元素和氢元素的气体、含有氯元素的气体或包含在所述第二工序中所用的全部气体的混合气体
等离子处理方法

[发明专利]料斗装置-CN201810023737.3在审
发明人：中岛慎二;迎邦晓;田边喜文;木村弘树 -专利权人：昕芙旎雅有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： B65G53/08 文献下载
摘要：提供一种料斗装置，该料斗装置减少在行进面上沿期望的方向输送的供给对象物与行进面接触的机会·时间，从而相比于在供给对象物与行进面持续接触的状态下进行输送处理的装置，能够提高供给处理能力。所述料斗装置包括：行进部，其具有由多孔质材料构成的行进面；基座部，其配置在行进部的下方，并且具有至少朝向行进部开口的气体室；以及气体供给部，其能向气体室供给气体，所述料斗装置构成为将自气体供给部供给到气体室的气体经由多孔质材料向行进面上的供给对象物喷射，从而能使供给对象物自行进面浮起，并且构成为通过调整来自气体供给部的气体供给量，使供给对象物在行进面上沿预定的输送方向移动而被供给到预定的供给目的地。
对象物料斗装置气体供给部气体室行进部行进面多孔质材料行进气体供给量持续接触方向移动供给气体基座部种料斗浮起喷射开口期望配置

[发明专利]衬底处理系统、半导体器件的制造方法及存储介质-CN201410124235.1有效
发明人：佐藤武敏 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：上述衬底处理系统具有收纳衬底的多个处理室；向多个上述处理室依次供给处理气体的处理气体供给系统；向多个上述处理室依次供给被活化的反应气体的反应气体供给系统；设在上述处理气体供给系统中的缓冲容器；和控制部，以向多个上述处理室分别交替地供给上述处理气体和上述反应气体的方式，控制上述处理气体供给系统和上述反应气体供给系统，使得向多个上述处理室中的任意一个供给反应气体的时间，成为向多个上述处理室中的任意一个供给处理气体的时间与向上述缓冲容器供给处理气体的时间的合计时间
衬底处理系统半导体器件制造方法存储介质

[发明专利]可控气流分布的气体喷头-CN202011643092.7有效
发明人：刘镇颉;柳雪;柴智;祁广杰 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种可控气流分布的气体喷头，其设置于薄膜沉积装置的腔体内，且包括：第一层面板，其具有多个按第一规律分布的第一气体供给孔；第二层面板，其座靠于第一层面板上，且具有多个按第二规律分布的第二气体供给孔。在第一位置，所有的第一气体供给孔均未被第二层面板遮盖；在第二位置，第一气体供给孔中的一部分与相应的第二气体供给孔对准，另一部分被第二层面板遮盖。该气体喷头可调节气流分布和气流量，有助于满足不同的薄膜沉积工艺的喷射需要和提高沉积的薄膜的均匀性。
可控气流分布气体喷头

[发明专利]气相色谱仪-CN202080095906.X有效
发明人：山根雅史;古贺圣规 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01N30/26 文献下载
摘要：8)，其与所述分离柱(6)的出口进行流体连接，用于检测在所述分离柱(6)中分离出的成分；多个气体供给源(12A；12B)，多个气体供给源用于供给用于将由所述试样气体生成部(2)生成的试样气体输送到所述分离柱(6)的成为载气的气体；切换部(14)，其与所述多个气体供给源(12A；12B)进行流体连接，构成为将所述多个气体供给源(12A；12B)中的一个气体供给源切换地与所述试样气体生成部(2)进行流体连接；调节器(16)，其介于所述切换部(14)与所述试样气体生成部(2)之间，构成为调节从所述气体供给源(12A；12B)供给的气体的气体供给压力和向所述试样气体生成部供给的气体的气体供给流量；以及控制部(30)，其控制所述调节器(16)的动作，其中，所述控制部(30)构成为：在为了转移到能够进行下一次试样的分析的待机状态而切换了与所述试样气体生成部进行流体连接的所述气体供给源、并且至少变更了向所述试样气体生成部(2)供给的载气的气体种类的情况下，执行将所述气体供给压力和/或所述气体供给流量设为与所述待机状态不同的状态以促进所述载气在流通路径内的气体置换的置换促进动作。
色谱仪

[发明专利]气体处理装置-CN201810819824.X有效
发明人：神尾卓史;布重裕 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种气体处理装置，其具备：载置部，其设置于真空气氛的处理室，用于载置基板；气体供给部，其位于载置部的上方侧且构成处理室的顶部，并形成有用于将所述处理气体以喷淋状供给的多个气体供给口；气体供给路径形成部，其具备从气体供给部的上方与该气体供给部相向且界定用于使处理气体沿横向扩散的扩散空间的平坦的相向面，该气体供给路径形成部形成处理气体的供给路径；凹部，其围绕相向面的中央部设置；以及气体分散部，沿该气体分散部的周向形成有多个气体喷出口以使从气体分散部供给路径供给的处理气体沿横向分散到扩散空间，围绕相向面的中央部设置有多个气体分散部，各气体分散部分别以不从该相向面突出的方式设置在所述凹部内。
气体处理装置