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[发明专利]包含硅涂布气体供给管道的系统与施加涂层的方法-CN201210425583.3有效
发明人：石洪;约翰·迈克尔·克恩斯;方言;艾伦·龙尼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在一种实施方式中，等离子体蚀刻系统可以包括工艺气体源、等离子体处理室和气体供给管道。等离子体可以由在等离子体处理室的工艺配方气体形成。气体供给管道可包括形成内部配方接触表面和外部环境接触表面的耐腐蚀的层状结构。耐腐蚀的层状结构可以包括硅保护层、钝化的耦合连接层和不锈钢层。内部配方接触表面可以由硅保护层形成。
包含硅涂布气体供给管道系统施加涂层方法

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序及气体供给系统-CN202080047667.0在审
发明人：永冨佳将;漆原美香;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：基板处理装置包括：处理气体喷嘴，向处理室内供给处理气体；惰性气体喷嘴，以处理气体喷嘴为中心沿周向夹着的方式分别被设置2个以上，并将惰性气体供给到处理室内；处理气体供给部，向处理气体喷嘴供给处理气体；惰性气体供给部，向各个惰性气体喷嘴供给惰性气体；以及控制部，构成为能够分别控制从处理气体供给部向处理气体喷嘴供给的处理气体的流量和从惰性气体供给部向各个惰性气体喷嘴供给的各惰性气体的流量。
处理装置半导体制造方法程序气体供给系统

[发明专利]薄膜沉积装置-CN201811548590.6在审
发明人：李洪宰 -专利权人： TES股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜沉积装置，包括：腔室，提供在基板上沉积薄膜的沉积空间；气体供给部，具备至少一个向所述基板供给原料气体与反应气体且排出残留气体的气体供给模块，具备到所述沉积空间的上部；以及基板支撑部，具备到所述沉积空间的下部，安装基板且与所述气体供给部进行相对移动；且所述气体供给模块具备向所述基板供给原料气体的一对原料气体供给通道、及相隔具备到所述一对原料气体供给通道的一侧而向所述基板供给反应气体的反应气体供给通道，且包括在所述一对原料气体供给通道之间排出残留气体的第一排气通道本发明的薄膜沉积装置在通过原子层沉积法沉积薄膜时，可最大限度地抑制在供给处理气体的气体供给部产生粉末。
薄膜沉积装置原料气体供给气体供给部沉积空间基板供给残留气体沉积薄膜反应气体气体供给原料气体排出反应气体供给原子层沉积法基板支撑部安装基板处理气体排气通道相对移动基板腔室相隔

[发明专利]SiC外延生长装置-CN201911163010.6有效
发明人：梅田喜一;渥美广范 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的SiC外延生长装置具备载置SiC晶片的载置台和覆盖所述载置台的炉体，所述炉体具备原料气体供给口、第1吹扫气体供给口和第2吹扫气体供给口，所述原料气体供给口位于与所述载置台相对的位置，向所述生长空间供给原料气体，所述第1吹扫气体供给口包围所述原料气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体，所述第2吹扫气体供给口包围所述第1吹扫气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体。
sic 外延生长装置

[发明专利]衬底处理装置和半导体器件的制造方法-CN201410504987.0有效
发明人：丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，衬底处理装置具有：收纳衬底的处理室；从衬底上方供给第一处理气体的第一处理气体供给部；从衬底上方供给第一反应气体的第一反应气体供给部；从衬底侧方供给第二处理气体的第二处理气体供给部；从衬底侧方供给第二反应气体的第二反应气体供给部；和控制部，其以如下方式控制：在处理气体供给工序和反应气体供给工序中的任一工序或者两个工序中，使向衬底中心侧供给的处理气体供给量与向衬底外周侧供给的处理气体供给量不同、或者使向衬底中心侧供给的反应气体供给量与向衬底外周侧供给的反应气体供给量不同。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]混合气体的供给方法和混合气体的供给装置-CN200910261101.3有效
发明人：内田阳平;山本高弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制小流量气体到达处理腔室的时间产生较大延迟，能够更快地对气体使用对象供给规定的混合气体的混合气体的供给方法和混合气体的供给装置。该混合气体的供给方法，经由连接在共同配管(10)上的多个个别气体供给管道(1A～1P)供给多种气体，经由上述共同配管(10)的气体输出部(11)通过混合气体供给管道将该多种气体的混合气体供给处理腔室(30)，在同时供给流量不同的两种以上的气体时，与流量较多的气体相比，从设置在距离上述气体输出部(11)较近的位置的上述个别气体供给管道(1A～1P)供给流量较少的气体。
混合气体供给方法装置

[发明专利]气体供给判定方法和等离子体发生装置-CN201880096882.2在审
发明人：泷川慎二;神藤高广 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：一种气体供给判定方法，是设有第一供给口和第二供给口的等离子体发生装置的气体供给判定方法，等离子体发生装置具备：第一供给装置，用于从第一供给口供给第一气体；及第二供给装置，与第一供给装置连接，用于从第二供给口供给第二气体，气体供给判定方法具备：第一供给工序，在停止由第二供给装置供给第二气体的状态下，开始由第一供给装置供给第一气体；第一计测工序，在第一供给工序之后，对供给到第一供给口的气体进行流量计测；及第一通知工序，根据第一计测工序的流量计测结果，通知第一供给口中的第一气体的供给状态。
气体供给判定方法等离子体发生装置

[发明专利]处理液供给及管路冲洗系统-CN201110082652.0有效
发明人：昝威;裴立坤;王锐廷;何金群;李曼 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： B08B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理液供给及管路冲洗系统，包括化学液供应管路、纯水供应管路和气体供应管路，各个管路之间的连接和工艺模块。本发明的系统采用化学液与纯水独立提供的方式，向工艺模块分别提供化学液与纯水，并具有纯水与气体冲洗功能，使得该系统结构简单，功能齐全。
处理供给管路冲洗系统

[发明专利]用于制造光纤用初级预制品的PCVD方法-CN201410171494.X有效
发明人： I·米莉瑟维克;M·J·N·范·斯特劳伦;J·A·哈特苏克 -专利权人：德拉克通信科技公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：通过PCVD工艺制造光纤用初级预制品的方法，包括以下步骤提供具有供给侧和排出侧的中空玻璃基管；经由中空玻璃基管的供给侧将气体流供给到所述中空基管的内部，所述气体流包括包含至少一种形成玻璃的气体的主气体流，和包含至少一种掺杂剂的至少一种副气体流；在所述中空基管内部通过微波辐射产生等离子体反应区，以在所述中空基管的内表面上进行玻璃层的沉积，所述反应区沿着所述中空基管的纵轴在位于所述中空基管的供给侧附近的换向点与位于排出侧附近的换向点之间往返移动
用于制造光纤初级预制 pcvd 方法

[发明专利]雾产生装置、薄膜制造装置以及薄膜制造方法-CN202180038566.1在审
发明人：铃木涼子;西康孝;奥井公太郎 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B05B17/04 文献下载
摘要：雾产生装置，具备：容器，该容器收纳液体；气体供给部，该气体供给部将气体供给至所述容器内；和电极，使该电极与所述液体之间产生所述气体的等离子体，从所述气体供给部的气体供给口供给的所述气体的供给方向与重力作用的方向不同
产生装置薄膜制造以及方法

[发明专利]半导体制造设备用的气体供给装置-CN200880109472.3有效
发明人：西野功二;土肥亮介;永濑正明;平田薰;杉田胜幸;池田信一 -专利权人：株式会社富士金
申请日： 2008-07-17 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体制造设备用的气体供给装置，其基于有机金属气相生长法，具备向反应炉供给原料气体的主气体供给线和进行所述原料的排气的排出气体供给线，在两条气体线的中间部配设多个气体供给机构而构成，在该气体供给装置中，对比在压力式流量控制装置的孔下游侧检测的主气体供给线的气体(P10)和排出气体供给线的压力(P2)，由所述排出气体供给线的入口侧的压力控制装置进行压力调整，从而在原料气体的供给切换时使主气体供给线和排出气体供给线之间的两者的压力差为零
半导体制造备用气体供给装置

[发明专利]气相生长装置及气相生长方法-CN201510458249.1有效
发明人：高桥英志;三谷慎一;佐藤裕辅 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：实施方式的气相生长装置具备：n(n是2以上的整数)个反应室；主气体供给通路，向n个反应室供给过程气体；主质量流量控制器，设在主气体供给通路中，控制向主气体供给通路流动的过程气体的流量；(n－1)条副气体供给通路，从主气体供给通路分支，向n个反应室中的(n－1)个反应室供给被分流的过程气体；(n－1)个副质量流量控制器，设在(n－1)条副气体供给通路中，对流到(n－1)条副气体供给通路的过程气体的流量进行控制；1条副气体供给通路，从主气体供给通路分支，向(n－1)个反应室以外的1个反应室供给没有流到(n－1)条副气体供给通路的过程气体的剩余部分。
反应室气体供给通路供给通路主气体过程气体气相生长装置质量流量控制器流量控制器方法实施供给过程气相生长主质量对流分流流动

[发明专利]半导体制造装置及半导体制造方法-CN201210477226.1有效
发明人：申平洙;金秉勳 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制造装置及半导体制造方法，能够在蚀刻工艺执行时，提高氮化膜的蚀刻选择比。在本发明的半导体制造装置中，在工艺腔室外部由二氟甲烷CH2F2、氮气N2以及氧气O2气体产生等离子体，将产生的等离子体供给到工艺腔室内。根据本发明，无需变更源气体，通过调节氧气的供给量及卡盘的温度，能够将氮化硅膜相对于氧化硅膜的蚀刻选择比与氮化硅膜相对于多晶硅膜的蚀刻选择比的相对大小调节成相反。
半导体制造装置方法

[实用新型]一种高温熔融物的雾化装置-CN202022537249.X有效
发明人：李平 -专利权人：广西恒特新材料科技有限责任公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B01J2/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高温熔融物的雾化装置，包括：高温熔融物供给单元以及雾化单元；其特征在于，所述雾化单元包括设在所述高温熔融物供给单元下方的筒体，设在所述筒体内的高压气体喷枪，以及与所述高压气体喷枪对应的耐磨撞击块，在所述筒体上设有冷却风供给单元和收集单元，所述冷却风供给单元沿着所述筒体的轴向形成冷却风气流冷却颗粒并将所述颗粒输送至所述收集单元，所述收集单元位于所述撞击块后方收集经撞击后形成的颗粒。雾化效果好，工艺流程简单，生产成本低。
一种高温熔融雾化装置

[发明专利]臭氧气体加热机构、基板处理装置以及基板处理方法-CN201810100589.0有效
发明人：吉田崇;佐藤健一;矢野哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种减少由于供给臭氧气体而产生的基板温度的偏差的臭氧气体加热机构、基板处理装置以及基板处理方法。一个实施方式的臭氧气体加热机构具备：气体供给单元，其设置在基板处理装置的处理容器内，能够向基板供给臭氧气体；气体供给配管，其与所述气体供给单元连接，能够向所述气体供给单元供给所述臭氧气体；以及配管加热单元，其设置在所述气体供给配管，用于对所述气体供给配管内的所述臭氧气体进行加热。
臭氧气体加热机构处理装置以及方法