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[发明专利]蚀刻处理方法-CN202280005768.0在审
发明人：服部孝司;山田将贵;秋永启佑 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种兼顾高的氧化硅膜的蚀刻速率和低的氮化硅膜的蚀刻速率、以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地蚀刻氧化硅膜的方法。因此，本发明的蚀刻处理方法是一种干式蚀刻方法，对于在配置于处理室内的晶片上预先形成的、氧化硅膜被氮化硅膜上下夹持而层叠的膜层的端部构成槽或者孔的侧壁的膜构造，向所述处理室内供给处理用气体，在不使用等离子的状态下进行蚀刻，其特征在于，在将该氟化氢气体的分压设为x(Pa)时，将所述晶片在(0.040x‑42.0)℃以下的低温从所述端部沿横向对所述氧化硅膜进行蚀刻。
蚀刻处理方法

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法-CN202080001687.4有效
发明人： 秋永启佑 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：为了提供使成品率提高的等离子体处理装置或者等离子体处理装置的工作方法，等离子体处理装置具备：配置于真空容器内部的处理室内的样品台；形成用于对其上方的晶圆进行处理的等离子体的等离子体形成空间以及在下方与所述等离子体形成空间连通的下部空间；配置于所述下部空间的底部的排气口；对包围该下部空间的所述真空容器的下部进行加热的加热器；在所述晶圆的处理时检测所述处理室内的压力的第一真空计；与配置于包围该下方的所述下部空间的外周的处理室的内壁的开口连通的校正用的第二真空计；使用将所述处理室内的压力视作0的程度的压力值以及比该压力值高的多个压力值中的所述第一以及第二真空计的输出来补正所述第一真空计的输出的补正机。
等离子体处理装置以及工作方法

[发明专利]气体供给装置、真空处理装置以及气体供给方法-CN202180005325.7在审
发明人：小川芳文;高妻丰;秋永启佑;广实一幸;园田靖 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供在腔室内使用工艺气体进行处理时，能够有效地抑制由工艺气体向上游侧的倒流引起的不良状况的气体处理装置。向处理试料的处理室供给气体的气体供给装置具备：端口，其与包括清除用气体和处理用气体的多种气体的气体源分别连接；以及集合配管，其供从所述端口供给的所述多种气体分别汇合并流动，供从与所述清除用气体的气体源连接的端口供给的气体流动的气体流路形成于所述集合配管的最上游侧。
气体供给装置真空处理以及方法