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[发明专利]边缘环及等离子体处理装置-CN202110259906.5在审
发明人： 小笠原正宏;花冈秀敏;池上真史;佐藤直行;塚原利也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种边缘环及等离子体处理装置，该边缘环的耐等离子体性得到提高。该边缘环由包含碳化硼和碳化硅的材料构成，所述材料中含有的碳化硼的含量比为30％～50％。
边缘等离子体处理装置

[发明专利]蚀刻方法及基板处理装置-CN202010841594.4在审
发明人：大堀高宽;三浦太树;小笠原正宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种能够提高硼膜或含硼膜的蚀刻的垂直性的蚀刻方法。该蚀刻方法包括：准备基板的工序，在所述基板上形成有硼膜或含硼膜；供给处理气体的工序，所述处理气体含有氯气、含氟气体、以及含氢气体；以及通过所述处理气体的等离子体经由掩模对所述硼膜或所述含硼膜进行蚀刻的工序。
蚀刻方法处理装置

[发明专利]被处理体的处理方法-CN201610300938.4有效
发明人：小林史弥;小笠原正宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种被处理体的处理方法。本发明可在含钨膜中形成具有高垂直性的开口。一个实施方式的方法包括：(i)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序；(ii)在处理容器内生成含有氯的第1处理气体的等离子体的第1等离子体处理工序；(iii)在处理容器内生成含有氟的第2处理气体的等离子体的第2等离子体处理工序；及(iv)在处理容器内生成含有氧的第3处理气体的等离子体的第3等离子体处理工序。在该方法中，执行多次序列，该序列各自包括第1等离子体处理工序、第2等离子体处理工序、及第3等离子体处理工序。
处理方法

[发明专利]基板处理方法-CN201110435763.5有效
发明人：李诚泰;小笠原正宏;伊藤雅大 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。
处理方法

[发明专利]蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置-CN201110231962.4有效
发明人： 小笠原正宏;加藤义之;水野秀树;早川欣延 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。
蚀刻气体供给方法装置

[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置-CN201110062422.8有效
发明人：李诚泰;小笠原正宏;佐佐木淳一;柳田直人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供即使对于深度较深的孔也能够蚀刻成良好的形状的等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和计算机存储介质。本发明的等离子体蚀刻方法，由形成为规定图案的光致抗蚀剂层、位于上述光致抗蚀剂层的下层的有机类的防反射膜、位于上述防反射膜的下层的SiON膜和位于上述SiON膜的下层的无定形碳层构成多层掩膜，利用作为最终的掩膜的无定形碳层的图案，对位于上述无定形碳层的下层的硅氧化膜或硅氮化膜进行等离子体蚀刻，在开始上述硅氧化膜或上述硅氮化膜的等离子体蚀刻时的初始掩膜，是在上述无定形碳层之上残留有上述SiON膜的状态，并且上述无定形碳层的膜厚/残留的上述SiON膜的膜厚≤14。
等离子体蚀刻方法装置

[发明专利]基板处理方法-CN200910261675.0有效
发明人：李诚泰;小笠原正宏;伊藤雅大 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。
处理方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法和控制程序-CN200910158711.0有效
发明人： 小笠原正宏;李诚泰 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-07-03 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻方法和控制程序，其与现有技术相比，能够抑制弓弯的产生，并能高精度地进行更精细的加工。本发明的等离子体蚀刻方法在对有机膜(102)进行蚀刻而形成被蚀刻膜(101)的掩模图案时，至少包括：第一有机膜蚀刻工序，其对有机膜(102)的一部分进行蚀刻；处理工序，其在第一有机膜蚀刻工序之后，将含硅膜(103)和有机膜(102)暴露在稀有气体的等离子体中；和第二有机膜蚀刻工序，其在处理工序之后，对有机膜(102)的残留部分进行蚀刻。
等离子体蚀刻方法控制程序

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN200810180924.9有效
发明人：加藤和也;小野胜彦;水野秀树;小笠原正宏;北村彰规;小林典之;稻田靖;冈本晋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-09-06 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO₂膜的孔的条痕。使C₄F₈气体、C₄F₆气体和C₅F₈气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN200810005545.6有效
发明人：兴石公;广濑润;小笠原正宏;平野太一;佐佐木宽充;吉田哲雄;斋藤道茂;石原博之;大薮淳;沼田幸治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其具有：可以设置成有真空气氛的处理容器；与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向而环状地配置的第一上部电极；在所述第一上部电极的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置的第二上部电极；向所述处理容器内提供处理气体的处理气体供给部；输出第一高频的第一高频电源；把来自所述第一高频电源的所述第一高频以第一功率值提供给所述第一上部电极的第一供电部；把来自所述第一高频电源的所述第一高频，从所述第一供电部分出，以比所述第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极的第二供电部，所述第一上部电极具有与所述第二上部电极的下面相比还向下方突出的突出部分。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和方法-CN200380104292.3有效
发明人：兴石公;广瀬润;小笠原正宏;平野太一;佐佐木宽充;吉田哲雄;斋藤道茂;石原博之;大薮淳;沼田幸治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，包含可设定成具有真空气氛的处理容器(10)。与在处理容器(10)内配置的被处理基板(W)相对面地配置上部电极(36、38)。具有与上部电极(36)在周围方向上实质上连续连接的第一筒形导电部件(50)的供电部，将来自第一高频电源(52)的第一高频供给上部电极(36)。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理方法和装置-CN200380104294.2有效
发明人：兴石公;广瀬润;小笠原正宏;平野太一;佐佐木宽充;吉田哲雄;斋藤道茂;石原博之;大薮淳;沼田幸治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种等离子体处理方法，向配置有被处理基板(W)的等离子体生成空间(10)内供给规定的处理气体、使所述处理气体等离子体化。而且，由等离子体对基板(W)实施规定的等离子体处理。这里，由与基板(W)相对向的对向部(34)，对基板(W)分别独立地控制等离子体的密度空间分布与等离子体中的自由基的密度空间分布，在基板(W)的整个被处理面上得到规定的处理状态。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和方法以及等离子体处理装置的电极板-CN200380104293.8有效
发明人：兴石公;广瀬润;小笠原正宏;平野太一;佐佐木宽充;吉田哲雄;斋藤道茂;石原博之;大薮淳;沼田幸治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的等离子体处理装置包括可以设置成有真空气氛的处理容器(10)。第一上部电极(36)被配置成与配置在处理容器(10)内的被处理基板(W)相面对并成环状。在第一上部电极(36)的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置第二上部电极(38)。第一供电部(50)把来自第一高频电源(52)的第一高频以第一功率值提供给第一上部电极(36)。从第一供电部(50)分出的第二供电部(76)把来自第一高频电源的所述第一高频，以比第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极(38)。
等离子体处理装置方法以及极板

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN200410073909.6无效
发明人：加藤和也;小野胜彦;水野秀树;小笠原正宏;北村彰规;小林典之;稻田靖;冈本晋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-09-06 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO₂膜的孔的条痕。使C₄F₈气体、C₄F₆气体和C₅F₈气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]等离子体处理装置及排气环-CN01816013.1有效
发明人： 小笠原正宏;加藤和也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2001-11-02 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明可以得到具有耐等离子体性高、可抑制异常放电的排气环的等离子体处理装置。处理室(100)包含配置上部电极(112)的顶板部(110)，和配置可载置与上部电极(112)对置配置的下部电极(122)的容器部(120)。在下部电极(122)周围配以排气环(126)，以便划分处理室(100)内的等离子体处理空间(102)和排气空间(104)，在排气环(126)上形成贯通孔(126a)和比贯通孔(126a)数量少，且在等离子体处理空间(102)侧开口的盲孔(126b)。在排气环(126)的等离子体处理空间(102)侧表面上施以由Y2O3构成的绝缘膜。
等离子体处理装置排气

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