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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]工艺腔室-CN201510373139.5在审
发明人：肖东风;贾照伟;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭示了一种工艺腔室，用于对晶圆进行干法工艺处理，工艺腔室设置有进气喷头和排放口供工艺气体进出，工艺气体由进气喷头引入工艺腔室，再通过排放口排出，工艺腔室还设置有晶圆载盘和承放工位，晶圆载盘上开设有凹陷空间供承放工位嵌入，承放工位固持晶圆且晶圆的上表面低于晶圆载盘的上表面，晶圆载盘的边缘留有豁口，该豁口的位置与承放工位的位置相对应，豁口与凹陷空间相连通以供工艺气体通过；在工艺进行的过程中，进气喷头插入至晶圆载盘内一定深度并贴近晶圆的上表面半导体行业中的工艺气体非常昂贵，采用本发明的技术方案，能够大幅减少工艺气体的浪费，为厂商减少开支，节约成本。
工艺

[发明专利]工艺腔室-CN201910688762.8在审
发明人：颜超仁;陈章晏;丁洋 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种工艺腔室，包括：壳体，所述壳体具有空腔；槽体，所述槽体位于所述空腔内；集气罩，所述集气罩设于所述空腔内壁；抽气管道，所述抽气管道的一端连接所述集气罩；驱动装置，所述驱动装置位于所述壳体外，所述驱动装置连接所述抽气管道的另一端
抽气管道驱动装置集气罩壳体工艺腔室槽体空腔空腔内壁室内环境一端连接排出清洁

[发明专利]工艺腔室-CN201910516410.4在审
发明人：光娟亮 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺腔室，包括腔室本体、基座、进气组件和射频线圈组件，其中，射频线圈组件设置在腔室本体顶部的中部区域；基座设置在腔室本体内，用于承载晶片；进气组件可移动的设置在腔室本体的边缘区域，并穿过腔室本体的侧壁，用于向腔室本体内喷射工艺气体。本发明提供的工艺腔室能够提高晶片的刻蚀均匀性，提高刻蚀工艺的稳定性，从而提高晶片的良率。
工艺

[发明专利]工艺腔室-CN202111399573.2在审
发明人：徐刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺腔室，工艺腔室用于半导体工艺设备中，包括腔体、转接部件、加热部件和隔热部件，其中，腔体呈环状，转接部件呈环状，设置在腔体上，并与腔体之间密封，加热部件设置在转接部件上，并与转接部件之间密封本发明提供的工艺腔室，能够降低加热部件的能耗，减少能源浪费，从而能够降低半导体工艺成本。
工艺

[发明专利]工艺腔室-CN202210656611.6在审
发明人：金大洙;姜钟贤;朴相昱;吴京洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种工艺腔室，提供处理基板的蚀刻空间而执行所述基板的蚀刻工艺，所述工艺腔室包括：静电吸盘，配置于所述蚀刻空间的下方，并固定所述基板；聚焦环，围绕所述静电吸盘；喷头，配置于所述蚀刻空间的上方，并向所述基板上喷出蚀刻用气体；折流板，界定供通过所述蚀刻工艺生成的副产物以及所述蚀刻用气体的残留气体向排出泵流动的第一路径；以及盖板，围绕所述聚焦环的各角部，并在所述折流板上与所述折流板的一部分重叠配置。
工艺

[发明专利]工艺腔室-CN201410186979.6有效
发明人：郭浩;杨敬山 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种工艺腔室，包括上屏蔽、过渡板与腔体，所述过渡板固定在所述腔体中，所述上屏蔽固定在所述过渡板的内侧，还包括冷却基座；所述冷却基座置于所述腔体中，并能够在所述腔体内上下运动；在所述冷却基座中设置有气体通道本发明的工艺腔室采用了背压冷却的冷却方式，在冷却基座中设置了气体通道，通过从气体通道中通入气体对放置在冷却基座上的晶圆进行冷却，在工艺过程中产生的热量被及时传递到冷却基座上，避免晶圆的温度过高导致晶圆变形或挥发出杂质；从而可使用较高的刻蚀速率，且不必不增加工艺时间，提高了加工效率。
工艺

[发明专利]工艺腔室-CN201210501578.6有效
发明人：王坚;何增华;贾照伟;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺腔室，包括腔室主体、基座、承载座、托盘装置、第一驱动装置及第二驱动装置。腔室主体具有围成一收容空间的顶墙、侧墙及底墙；基座收容于收容空间，并将收容空间分成上腔室及下腔室；承载座具有基部及与基部相连接的承载部；托盘装置收容于下腔室，具有托盘本体，托盘本体的顶部向下凹陷形成容纳槽，托盘本体的底部向下延伸形成支撑轴，支撑轴的底端穿过腔室主体的底墙；第一驱动装置分别与承载座的连接部相连接；第二驱动装置与托盘装置的支撑轴的底端相连接。
工艺

[发明专利]工艺腔室-CN201410760665.2有效
发明人：文莉辉;赵梦欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺腔室，包括至少两个反应舱、可旋转的转盘、至少两个可升降的基座和弹性接地机构，其中，转盘位于至少两个反应舱的下方；转盘通过旋转而使每个反应舱下方对应一个承载位；每个基座通过升降，而穿过与之相对应的通孔本发明提供的工艺腔室，其可以使转盘下表面的靠近各个基座的接地区域有效接地，从而可以避免转盘与各个基座的底部之间发生启辉现象，进而可以减小射频能量的浪费。
工艺

[发明专利]工艺腔室-CN201680032137.2有效
发明人：刘炜;特里萨·克莱默·瓜里尼;于伊·Q·尼古恩;马尔科姆·贝文;厚达·格兰欧;菲利普·A·博蒂尼;伯纳德·L·黄;劳拉·哈夫雷查克;雷内·乔治 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本文描述的实施方式大体涉及用于等离子体处理工艺腔室的方法和设备。基板可放置在工艺腔室中，所述基板具有形成于其上的栅极堆叠，且含氢等离子体可用于处理栅极堆叠，以消除栅极堆叠中的缺陷。为了保护工艺腔室免受含氢等离子体产生的Hx+离子和H*自由基的影响，可在没有基板置放于工艺腔室中的情况下且在含氢等离子体处理之前，用等离子体处理工艺腔室。此外，由介电材料制成的工艺腔室的部件可用陶瓷涂层涂覆，所述陶瓷涂层包括含钇氧化物，以保护这些部件免受等离子体的影响。
工艺

[发明专利]工艺腔室-CN202111298473.0有效
发明人：鲁艳成 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺腔室，包括腔体和腔体中的基座，基座包括基座本体和基座本体底部的支撑柱，腔体的底部形成有固定通孔，支撑柱的底端固定设置在固定通孔中，且支撑柱内部的容纳孔通过固定通孔与工艺腔室的外部连通。在本发明中，支撑柱的底端受向下的预紧力，使定位盘通过环形隔热件与定位槽的底面相抵，在固定基座的同时，降低了基座向腔体传热的效率，降低了基座的热负载，并提高了腔室温度场的稳定性。
工艺

[发明专利]工艺腔室-CN202210935597.3有效
发明人：蒋秉轩;陈吉;兰玥 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开一种工艺腔室，属于半导体加工技术领域。所公开的工艺腔室用于半导体工艺设备，所述工艺腔室包括腔室本体、承载装置、靶材、准直器和驱动装置，所述承载装置设置于所述腔室本体内且用于承载待加工的晶圆，所述靶材设置于所述腔室本体的顶部，所述准直器设置于所述承载装置与所述靶材之间且与所述靶材相对设置
工艺

[实用新型]工艺腔室-CN201420074409.3有效
发明人：吴晓晶;程嘉;季林红;侯悦民 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种工艺腔室，包括：壳体，所述壳体的顶壁设有喷嘴；和多个导向叶片，所述多个导向叶片设在所述壳体的内周壁上且所述多个导向叶片沿所述壳体的周向均匀间隔布置。根据本实用新型的工艺腔室，工艺气体从喷嘴进入壳体内后，经多个导向叶片引导，可以形成均匀的气体流场，结构简单、加工难度较低，能够利用简单的结构满足整流、控制流速的作用，同时不会造成明显的流动阻力，避免损失
工艺

[实用新型]工艺腔室-CN202123037475.2有效
发明人：袁志涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种应用于半导体工艺设备的工艺腔室，其包括腔室本体和设置在腔室本体顶部的介质筒组件，其中，介质筒组件包括主介质筒和环形衬板，主介质筒位于环形衬板背离腔室本体的一侧。本实用新型提供的工艺腔室，其中的环形衬板不容易发生形变，以能够减少吸附在环形衬板下表面的工艺副产物的脱落，从而保证半导体工艺设备的工艺效果。
工艺

[实用新型]工艺腔室-CN202123427722.X有效
发明人：弓晓晓;李岩 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种工艺腔室，应用于半导体设备，工艺腔室包括腔室本体、设置于腔室本体上方的介质窗和用于向腔室本体内通入工艺气体的进气装置，介质窗的中心位置设有安装通孔，进气装置包括安装部和形成在安装部的喷头部安装部设置在安装通孔中，喷头部的出气端设有中心进气孔组、中间进气孔组和边缘进气孔组，中间进气孔组环绕中心进气孔组设置，边缘进气孔组环绕中间进气孔组设置，且中心进气孔组、中间进气孔组和边缘进气孔组分别与腔室本体外的外部气源连接，用于向腔室本体内可选择性的通入工艺气体。本实用新型提供的工艺腔室能够实现更多的进气调节，实现如M型刻蚀、均匀刻蚀等多种能够满足特定的半导体工艺对等离子体的分布需求。
工艺

[实用新型]工艺腔室-CN202223528208.X有效
发明人：王志伟;种景;戎艳天 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种工艺腔室，涉及半导体装备领域。一种工艺腔室，包括腔体、设置于腔体顶部的介质窗、耦合线圈和用于调节耦合线圈的调节装置；所述调节装置包括机架和线圈支架，所述耦合线圈设置于所述线圈支架，并位于所述介质窗的背离所述腔体的一侧，所述线圈支架可翻转地设置于所述机架
工艺

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